【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，特别涉及一种实现芯片高密度封装的结构以及方法。
技术介绍
1、集成电路中，通过互连结构实现层间的互连和模块集成，能够实现芯片高密度的封装。互连结构直接决定了集成电路的集成度、性能优劣和使用寿命。
2、通常，层间设有连接点，通过焊接连接点实现互连。然而随着对芯片高密度需求的提高，连接点的尺寸和间距不断缩小，传统的铜-锡-铜构成的互连结构开始变得不可靠，并伴随有热膨胀系数失配和焊料溢出等问题导致芯片层间焊接短路。另一方面，采用铜-铜直接键合的互连结构虽然具有热膨胀系数匹配、导电导热性能强等优势，但是受限于铜的高熔点(1083℃)和易氧化的特点，难以在低温下(相对于铜的高熔点而言)实现高品质的互连结构。
3、相关技术中，利用金属导电焊膏能够在远低于材料熔点温度下实现材料的低温焊接，目前已知能够实现在250℃内的高质量焊接互连。但是，导电焊膏需要通过转印技术实现对连接点的涂覆以作为键合材料。传统的印刷方法难以将导电焊膏精准转移至尺寸小的连接点上，存在印刷精度低、焊料塌陷和焊料外溢等问题。
<...【技术保护点】
1.一种实现芯片高密度封装的结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的实现芯片高密度封装的结构，其特征在于：所述容纳腔(122)的内侧壁呈倾斜状，内侧壁与所述第二基体(120)表面的夹角为90°～180°。
3.根据权利要求2所述的实现芯片高密度封装的结构，其特征在于：所述第一焊脚(111)为柱状，所述第二焊脚(121)为台状，所述第二焊脚(121)远离所述第二基体(120)的一端横截面尺寸大于另一端横截面尺寸，且所述第二焊脚(121)远离所述第二基体(120)的一端横截面尺寸大于所述第一焊脚(111)的横截面尺寸。
4.根...
【技术特征摘要】
1.一种实现芯片高密度封装的结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的实现芯片高密度封装的结构，其特征在于：所述容纳腔(122)的内侧壁呈倾斜状，内侧壁与所述第二基体(120)表面的夹角为90°～180°。
3.根据权利要求2所述的实现芯片高密度封装的结构，其特征在于：所述第一焊脚(111)为柱状，所述第二焊脚(121)为台状，所述第二焊脚(121)远离所述第二基体(120)的一端横截面尺寸大于另一端横截面尺寸，且所述第二焊脚(121)远离所述第二基体(120)的一端横截面尺寸大于所述第一焊脚(111)的横截面尺寸。
4.根据权利要求1所述的实现芯片高密度封装的结构，其特征在于：所述容纳腔(122)内填充有导电焊膏。
5.根据权利要求4所述的实现芯片高密度封装的结构，其特征在于：所述第二焊脚(121)包括触点，所述第二基体(120)具有所述触点的一侧表面设有绝缘层(123)，所述绝缘层(123)设有与所述触点连通的凹槽以形成所述容纳腔(122)，所述导电焊膏与所述触点接触。
6.一种实现芯片高密度封装的...
【专利技术属性】
技术研发人员：牟运，陈德一，田贲，段权珍，徐建明，王中风，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：
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