【技术实现步骤摘要】
本申请涉及通信光纤，尤其涉及一种低损耗单模光纤。
技术介绍
1、光纤是光纤通信网络的传输媒质，光纤衰减越低，整个链路的光功率损耗将越少，在传输过程中能得到更长的无中继传输距离，可以有效降低网络和系统建设的成本。
2、光纤的主要成分是sio2，在制造光纤预制棒时，通过掺入geo2来提高芯层的折射率，是降低光纤衰减的最主要来源；同时，还可以在包层中掺入f元素，以降低包层的折射率，保证芯层与包层之间的折射率差值，进一步降低光纤衰减。
3、然而，上述技术方案中，在制造光纤预制棒时，芯层与包层之间的粘度/热膨胀系数出现倒置，光纤结构粘度/热膨胀系数匹配失衡，芯层和包层界面产生较大应力，将导致光纤衰减增加。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施方式提供一种低损耗单模光纤，以解决相关技术中的单模光纤的光纤衰减大的技术问题。
2、为了实现上述目的，本申请实施方式提供如下技术方案：
3、本申请实施方式提供的一种低损耗单模光纤，其包括芯层和围绕于所述芯层外围的包层，所述芯层包括内芯层和外芯层，所述内芯层中掺杂有p、geo2,所述外芯层中掺杂有f、p、geo2。
4、在一种可能的实现方式中，所述内芯层中掺杂有摩尔浓度为0.10-1.5％的geo2和摩尔浓度为0.01-0.3％的p元素；所述外芯层中掺杂有摩尔浓度为0.10-1.5％的geo2、摩尔浓度为0.01-0.3％的p元素和摩尔浓度为0-1.5％的f元素。
5、在一种可能
6、在一种可能的实现方式中，所述包层包括由中心至外周依次层叠设置的内包层、第一凹陷层、掺杂层、第二凹陷层以及外包层；所述内包层中掺杂有摩尔浓度为0-0.2％的geo2、摩尔浓度为0.01-0.3％的p元素和摩尔浓度为0.5-1.5％的f元素；所述第一凹陷层中掺杂有摩尔浓度为0-0.2％的geo2和摩尔浓度为0-2.0％的f元素；所述掺杂层中掺杂有摩尔浓度为0-0.2％的geo2和摩尔浓度为0-2.0％的f元素；所述第二凹陷层中掺杂有摩尔浓度为0-0.2％的geo2和摩尔浓度为0-3.0％的f元素。
7、在一种可能的实现方式中，所述内芯层与所述外包层之间的相对折射率差δ1为0.10-0.25％；所述外芯层与所述外包层之间的相对折射率差δ2为0-0.20％；所述内包层与所述外包层之间的相对折射率差δ3为-0.10至-0.30％；所述第一凹陷层与所述外包层之间的相对折射率差δ4为-0.25至-0.50％；所述掺杂层与所述外包层之间的相对折射率差δ5为-0.30至-0％；所述第二凹陷层与所述外包层之间的相对折射率差δ6为-0.50-0％。
8、在一种可能的实现方式中，所述内芯层的半径r1为2-6μm；所述外芯层的半径为r2，r2-r1的范围为3.0-5.0μm；所述内包层的半径为r3，r3-r2的范围为2-5μm；所述第一凹陷层的半径为r4，r4-r3的范围为2-8μm；所述掺杂层的半径为r5，r5-r4的范围为5-30μm；所述第二凹陷层的半径为r6，r6-r5的范围为10-22μm；所述外包层的半径r7为60-65μm。
9、在一种可能的实现方式中，所述低损耗单模光纤的应用波长范围为1310-1550nm。
10、在一种可能的实现方式中，所述低损耗单模光纤在应用波长1310nm处的模场直径为8.7-9.7μm；所述低损耗单模光纤在应用波长1550nm处的模场直径为9.5-10.5μm。
11、在一种可能的实现方式中，所述低损耗单模光纤在应用波长1310nm处的衰减系数≤0.350db/km；所述低损耗单模光纤在应用波长1550nm处的衰减系数≤0.175db/km。
12、在一种可能的实现方式中，所述低损耗单模光纤的零色散波长范围为1300-1324nm，所述低损耗单模光纤在零色散波长处的色散斜率≤0.092ps/(nm2*km)；所述低损耗单模光纤在应用波长1550nm处的色散系数≤18ps/(nm*km)。
13、本申请实施方式提供的一种低损耗单模光纤，其包括芯层和围绕于芯层外围的包层，芯层包括内芯层和外芯层，内芯层中掺杂有p、geo2,外芯层中掺杂有f、p、geo2。通过合理的光纤结构设计和芯层掺杂元素的控制，在芯棒剖面结构不变的前提下，减少瑞利散射，从而达到降低光纤衰减系数的目的；在光纤各项性能兼容g.652标准的前提下，使光纤具有更低的衰减损耗和更优的抗弯曲特性。
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1.一种低损耗单模光纤，其特征在于，包括芯层和围绕于所述芯层外围的包层，所述芯层包括内芯层和外芯层，所述内芯层中掺杂有P、GeO2,所述外芯层中掺杂有F、P、GeO2。
2.根据权利要求1所述的低损耗单模光纤，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的低损耗单模光纤，其特征在于，所述芯层的折射率呈抛物线渐变型分布。
4.根据权利要求1所述的低损耗单模光纤，其特征在于，所述包层包括由中心至外周依次层叠设置的内包层、第一凹陷层、掺杂层、第二凹陷层以及外包层；所述内包层中掺杂有摩尔浓度为0-0.2％的GeO2、摩尔浓度为0.01-0.3％的P元素和摩尔浓度为0.5-1.5％的F元素；
5.根据权利要求4所述的低损耗单模光纤，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的低损耗单模光纤，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的低损耗单模光纤，其特征在于，所述低损耗单模光纤的应用波长范围为1310-1550nm。
8.根据权利要求7所述的低损耗单模光纤，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的低损耗单模光纤，其
10.根据权利要求1所述的低损耗单模光纤，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种低损耗单模光纤，其特征在于，包括芯层和围绕于所述芯层外围的包层，所述芯层包括内芯层和外芯层，所述内芯层中掺杂有p、geo2,所述外芯层中掺杂有f、p、geo2。
2.根据权利要求1所述的低损耗单模光纤，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的低损耗单模光纤，其特征在于，所述芯层的折射率呈抛物线渐变型分布。
4.根据权利要求1所述的低损耗单模光纤，其特征在于，所述包层包括由中心至外周依次层叠设置的内包层、第一凹陷层、掺杂层、第二凹陷层以及外包层；所述内包层中掺杂有摩尔浓度为0-0.2％的geo2、摩尔浓度为0.01-0.3％的p...
【专利技术属性】
技术研发人员：王见青，沈一春，秦钰，蒋新力，陈娅丽，徐希凯，周慧，张俊逸，张泽霖，
申请(专利权)人：中天科技精密材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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