一种功率晶体管驱动电路制造技术

本技术涉及晶体管驱动电路技术领域，提供一种功率晶体管驱动电路，该电路设置了电流注入电路，D5整流R13限制WD5上的电流，WD5稳压，形成一个基准电压源，R1可以设置一个恒定的注入电流，这个电流与DESAT引脚输出电流相加，给电容CBLANK的充电时间会减少，这样就可以增大C2，增加电路抗干扰性，保护的误动作大大减少。有了恒定的注入电流引入，电路的消隐时间可以根据不同的晶体管灵活设置；电路中二极管DDST采用了碳化硅二极管，碳化硅二极管的结电容小，作用于DESAT口的干扰信号也降低，电路的误动作大大减少。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体管驱动电路，具体涉及一种功率晶体管驱动电路。

技术介绍

1、功率晶体管驱动电路是使功率晶体管按信号要求导通或截止的控制电路，可控制电力电子电路中的功率晶体管的通断。在电力电子电路中，功率晶体管均作开关元件使用，因所控制的功率较大，当信号要求功率晶体管导通时，提供足够大的基极驱动电流使其饱和导通；当信号要求功率晶体管截止时，切断基极电流或提供负的基极电流。

2、现有的功率晶体管驱动电路的desat引脚对外输出电流小,导致cblank这个电容不能加大，调整晶体管过流保护特性难；

3、此外，现有的功率晶体管驱动电路的二极管ddst采用快恢复二极管，容易将干扰窜至检测电路，电路在复杂的电磁环境中，容易误动作。

技术实现思路

1、为解决
技术介绍
中存在的问题，本技术提供一种功率晶体管驱动电路，其包括驱动芯片ic1与外部功率管d，驱动芯片ic1设置有检测引脚desat，检测引脚desat连接有电流注入电路；

2、所述电流注入电路包括二极管d5，电阻r13，稳压二极管wd5，电阻r1，其中：

3、二极管d5与电阻r13串联，稳压二极管wd5与外部功率管d的负极和驱动芯片ic1的负极连接；

4、电阻r1的一端连接稳压二极管wd5的正极，另一端连接至驱动芯片ic1的desat检测引脚。

5、优选的方案中，外部功率管d连接有二极管ddst，二极管ddst的另一端连至检测引脚desat，所述二极管ddst为碳化硅二极管。

6、本技术所达到的有益效果为：

7、本技术设置了电流注入电路，d5整流r13限制wd5上的电流，wd5稳压，形成一个基准电压源，r1可以设置一个恒定的注入电流，这个电流与desat引脚输出电流相加，给电容cblank的充电时间会减少，这样就可以增大c2，增加电路抗干扰性，保护的误动作大大减少。有了恒定的注入电流引入，电路的消隐时间可以根据不同的晶体管灵活设置，电路中二极管ddst采用了碳化硅二极管，碳化硅二极管的结电容小，作用于desat口的干扰信号也降低，电路的误动作也就大大减少。

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【技术保护点】

1.一种功率晶体管驱动电路，其包括驱动芯片IC1与外部功率管D，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种功率晶体管驱动电路，其特征在于：外部功率管D连接有二极管DDST，二极管DDST的另一端连至检测引脚DESAT，所述二极管DDST为碳化硅二极管。

【技术特征摘要】

1.一种功率晶体管驱动电路，其包括驱动芯片ic1与外部功率管d，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种功率晶体管驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪凯，林思羽，刘春辉，
申请(专利权)人：青岛正伟电源有限公司，
类型：新型
国别省市：