【技术实现步骤摘要】
本技术涉及串口转单总线，具体是指一种串口转单总线的传输电路。
技术介绍
1、使用充电器与锂电池充电时，充电器的电压，电流与锂电池必须匹配。为了更好地保护锂电池的性能，锂电池一般会要求充电过程按涓流充电(低压预充)、恒流充电、恒压充电以及充电终止四个阶段，进行管控。锂电池充电器的基本要求是特定的充电电流和充电电压，从而保证锂电池安全充电。增加其它充电辅助功能是为了改善电池寿命，简化充电器的操作，其中包括给过放电的电池使用涓流充电、电池电压检测、输入电流限制、充电完成后关断充电器、电池部分放电后自动启动充电等。
2、锂离子电池在充电过程中容易出现传输电路损坏的情况，影响充电安全。
技术实现思路
1、本技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种能够提高充电安全性的串口转单总线的传输电路。
2、本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
3、一种串口转单总线的传输电路，包括直流电压线v+、直流电压线v-、总线bus、第一系统和第二系统，所述第一系统和第二系统通过直流电压线v+、直流电压线v-、总线bus三线连接，所述第一系统包括第一mcu芯片、三极管q1、三极管q3、三极管q5、三极管q8，所述第一mcu芯片的tx1端与三极管q5的基极电连接，所述三极管q5的发射极与第一mcu芯片的电压输入端连接，所述三极管q5的集电极与三极管q8的基极电连接，所述三极管q8的发射极接地，所述第一mcu芯片的tx1端为低电平时，所述三极管q5、三极管q8导通，总线bu
4、进一步的，所述第一系统还设置有电阻r3和二极管d1，所述二极管d1的一端与传输电路vcc端连接，所述二极管d1的另一端与电阻r3连接。
5、进一步的，所述第二系统包括第二mcu芯片、三极管q2、三极管q4、三极管q6、三极管q7，所述第二mcu芯片的tx2端与三极管q6的基极电连接，所述三极管q6的发射极与第二mcu芯片的电压输入端连接，所述三极管q6的集电极与三极管q7的基极电连接，所述三极管q7的发射极接地，所述第二mcu芯片的tx2端为低电平时，所述三极管q6、三极管q7导通，总线bus电压拉低，所述第二mcu芯片的tx2端为高电平时，三极管q6、三极管q7截止，总线bus电压拉高；所述第二mcu芯片的rx2端与三极管q2的集电极电连接，所述三极管q2的发射极与第二mcu芯片的电压输入端连接，所述三极管q2的基极与三极管q4的集电极电连接，所述三极管q4的发射极接地。
6、进一步的，所述第一系统还包括二极管d2和二极管d8，所述二极管d2一端与三极管q3的集电极连接，所述二极管d2另一端连接有电阻r5。
7、进一步的，所述第二系统还包括二极管d3和二极管d9，所述二极管d3一端与三极管q4的集电极连接，所述二极管d3另一端连接有电阻r4。
8、进一步的，所述第一系统还设置有防esd电路，所述防esd电路包括二极管d6、二极管d7、电阻r8、电阻r10；所述二极管d6的一端与电阻r8的一端连接，所述二极管d6的另一端接地；所述二极管d7的一端与电阻r10的一端连接，所述二极管d7的另一端接地，所述电阻r8的另一端通过总线bus与电阻r10的另一端连接。
9、进一步的，所述三极管q1、三极管q5、三极管q2、三极管q6均为pnp三极管。
10、进一步的，所述三极管q3、三极管q8、三极管q4、三极管q7均为npn三极管。
11、本技术相比现有技术具有以下优点及有益效果：
12、本技术通过基本对称的第一系统与第二系统，在总线bus与直流电压线v-短路，总线拉低bus，不会损坏电路；总线bus与直流电压线v+短路，总线bus拉高，不会损坏电路，二极管d1防止直流电压线v+电压反灌传输电路vcc端，在锂离子电池充电过程中避免出现传输电路损坏的情况，提高充电安全。
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1.一种串口转单总线的传输电路，其特征在于：包括直流电压线V+、直流电压线V-、总线BUS、第一系统和第二系统，所述第一系统和第二系统通过直流电压线V+、直流电压线V-、总线BUS三线连接，所述第一系统包括第一MCU芯片、三极管Q1、三极管Q3、三极管Q5、三极管Q8，所述第一MCU芯片的Tx1端与三极管Q5的基极电连接，所述三极管Q5的发射极与第一MCU芯片的电压输入端连接，所述三极管Q5的集电极与三极管Q8的基极电连接，所述三极管Q8的发射极接地，所述第一MCU芯片的Tx1端为低电平时，所述三极管Q5、三极管Q8导通，总线BUS电压拉低，所述第一MCU芯片的Tx1端为高电平时，三极管Q5、三极管Q8截止，总线BUS电压拉高；所述第一MCU芯片的Rx1端与三极管Q1的集电极电连接，所述三极管Q5的发射极与第一MCU芯片的电压输入端连接，所述三极管Q5的基极与三极管Q3的集电极电连接，所述三极管Q3的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述第一系统还设置有电阻R3和二极管D1，所述二极管D1的一端与传输电路VCC端连接，所述二极管
3.根据权利要求1所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述第二系统包括第二MCU芯片、三极管Q2、三极管Q4、三极管Q6、三极管Q7，所述第二MCU芯片的Tx2端与三极管Q6的基极电连接，所述三极管Q6的发射极与第二MCU芯片的电压输入端连接，所述三极管Q6的集电极与三极管Q7的基极电连接，所述三极管Q7的发射极接地，所述第二MCU芯片的Tx2端为低电平时，所述三极管Q6、三极管Q7导通，总线BUS电压拉低，所述第二MCU芯片的Tx2端为高电平时，三极管Q6、三极管Q7截止，总线BUS电压拉高；所述第二MCU芯片的Rx2端与三极管Q2的集电极电连接，所述三极管Q2的发射极与第二MCU芯片的电压输入端连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q4的集电极电连接，所述三极管Q4的发射极接地。
4.根据权利要求1所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述第一系统还包括二极管D2和二极管D8，所述二极管D2一端与三极管Q3的集电极连接，所述二极管D2另一端连接有电阻R5。
5.根据权利要求1所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述第二系统还包括二极管D3和二极管D9，所述二极管D3一端与三极管Q4的集电极连接，所述二极管D3另一端连接有电阻R4。
6.根据权利要求1所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述第一系统还设置有防ESD电路，所述防ESD电路包括二极管D6、二极管D7、电阻R8、电阻R10；所述二极管D6的一端与电阻R8的一端连接，所述二极管D6的另一端接地；所述二极管D7的一端与电阻R10的一端连接，所述二极管D7的另一端接地，所述电阻R8的另一端通过总线BUS与电阻R10的另一端连接。
7.根据权利要求3所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述三极管Q1、三极管Q5、三极管Q2、三极管Q6均为PNP三极管。
8.根据权利要求3所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述三极管Q3、三极管Q8、三极管Q4、三极管Q7均为NPN三极管。
...【技术特征摘要】
1.一种串口转单总线的传输电路，其特征在于：包括直流电压线v+、直流电压线v-、总线bus、第一系统和第二系统，所述第一系统和第二系统通过直流电压线v+、直流电压线v-、总线bus三线连接，所述第一系统包括第一mcu芯片、三极管q1、三极管q3、三极管q5、三极管q8，所述第一mcu芯片的tx1端与三极管q5的基极电连接，所述三极管q5的发射极与第一mcu芯片的电压输入端连接，所述三极管q5的集电极与三极管q8的基极电连接，所述三极管q8的发射极接地，所述第一mcu芯片的tx1端为低电平时，所述三极管q5、三极管q8导通，总线bus电压拉低，所述第一mcu芯片的tx1端为高电平时，三极管q5、三极管q8截止，总线bus电压拉高；所述第一mcu芯片的rx1端与三极管q1的集电极电连接，所述三极管q5的发射极与第一mcu芯片的电压输入端连接，所述三极管q5的基极与三极管q3的集电极电连接，所述三极管q3的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述第一系统还设置有电阻r3和二极管d1，所述二极管d1的一端与传输电路vcc端连接，所述二极管d1的另一端与电阻r3连接。
3.根据权利要求1所述的串口转单总线的传输电路，其特征在于：所述第二系统包括第二mcu芯片、三极管q2、三极管q4、三极管q6、三极管q7，所述第二mcu芯片的tx2端与三极管q6的基极电连接，所述三极管q6的发射极与第二mcu芯片的电压输入端连接，所述三极管q6的集电极与三极管q7的基极电连接，所述三极管q7的发射极接地，所述第二mcu芯片的tx2端为...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立群，
申请(专利权)人：深圳市京泉华智能电气有限公司，
类型：新型
国别省市：
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