【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据采样，尤其涉及一种三相电流校正电路及方法。
技术介绍
1、在foc算法id＝0控制方式中，现有的三相电流采样方法一般有单电阻采样、双电阻采样和三电阻采样，其中，三电阻采样算法相对简单，但成本更高，因此在某些场合下，会使用mos管内阻电流采样代替三电阻采样，然而由于mos管内阻会随温度的升高而变化，采样得到的三相电流值也会有偏差，从而影响后续电机的转矩控制精度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种三相电流校正电路及方法，旨在通过硬件强滤波后的母线电流校正mos管内阻采样得到三相电流。本专利技术提供如下技术方案：
2、第一方面，本专利技术提供一种三相电流校正电路，所述电路包括：第一电流采集单元、第二电流采集单元及控制单元；
3、所述第一电流采集单元的第一端与母线电连接，所述第一电流采集单元的第二端与所述控制单元的第一端电连接，所述第一电流采集单元的第三端与所述控制单元的第二端电连接，所述第一电流采集单元的第四端与所述第二电流采集单元的第一端电连接；所述第一电流采集单元的第五端与电机电连接；所述第二电流采集单元的第二端与所述控制单元的第三端电连接，所述第二电流采集单元的第三端和第四端分别接地；
4、所述第一电流采集单元，用于获取第一相电流i_u、第二相电流i_v及第三相电流i_w；
5、所述第二电流采集单元，用于获取母线电流的第二有效值i_buseve；
6、所述控制单元，用于根据所述i_u、所述i
7、在一实施方式中，所述第一电流采集单元包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管及第六nmos管；
8、所述第一nmos管的漏极、所述第二nmos管的漏极以及所述第三nmos管的漏极分别与所述母线电连接；
9、所述第一nmos管、所述第二nmos管、所述第三nmos管、所述第四nmos管、所述第五nmos管及所述第六nmos管的栅极分别与所述控制单元的第一端电连接；
10、所述第四nmos管的源极、所述第五nmos管的源极以及所述第六nmos管的源极分别与所述第二电流采集单元的第一端电连接；
11、所述第一nmos管的源极与所述第四nmos管的漏极电连接，所述第二nmos管的源极与所述第五nmos管的漏极电连接，所述第三nmos管的源极与所述第六nmos管的漏极电连接。
12、在一实施方式中，所述第一电流采集单元还包括第一运算放大器、第二运算放大器及第三运算放大器；
13、所述第一运算放大器的输入端与所述第四nmos管并联，所述第二运算放大器的输入端与所述第五nmos管并联，所述第三运算放大器的输入端与所述第六nmos管并联；
14、所述第一运算放大器、第二运算放大器及第三运算放大器的输出端分别与所述控制单元的第二端电连接。
15、在一实施方式中，所述第二电流采集单元包括母线电阻、第四运算放大器、滤波电容以及滤波电阻；
16、所述母线电阻的第一端分别与所述第四nmos管的源极、所述第五nmos管的源极以及所述第六nmos管的源极电连接；
17、所述第四运算放大器的输入端与所述母线电阻并联，所述第四运算放大器的输出端与所述滤波电阻的第一端电连接；
18、所述滤波电阻的第二端分别与所述控制单元的第三端以及滤波电容的第一端电连接；
19、所述母线电阻的第二端接地，所述滤波电容的第二端接地。
20、在一实施方式中，所述第一nmos管的源极、所述第二nmos管的源极以及所述第三nmos管的源极分别与三相电机的不同相线电连接。
21、第二方面，本专利技术提供一种三相电流校正方法，应用于三相电流校正电路，所述方法包括：
22、第一电流采集单元获取第一相电流i_u、第二相电流i_v及第三相电流i_w；
23、第二电流采集单元获取母线电流的第二有效值i_buseve；
24、控制单元根据所述i_u、所述i_v及所述i_w，确定所述母线电流的第一有效值i_calcbuseve；根据所述i_calcbuseve和所述i_buseve，确定校正比例p；根据所述p，分别校正所述i_u、所述i_v及所述i_w，得到目标三相电流。
25、在一实施方式中，所述第一电流采集单元获取第一相电流i_u、第二相电流i_v及第三相电流i_w，包括：
26、所述控制单元向所述第一电流采集单元发送控制信号；
27、所述第一电流采集单元根据所述控制信号，确定所述i_u、所述i_v及所述i_w。
28、在一实施方式中，所述根据所述i_u、所述i_v及所述i_w，确定所述母线电流的第一有效值i_calcbuseve，包括：
29、所述控制单元获取周期tpwm内，第四nmos管的导通时间tu、第五nmos管的导通时间tv及第六nmos管的导通时间tw；
30、根据所述i_u、所述i_v、所述i_w、所述tpwm、所述tu、所述tv及所述tw，确定所述i_calcbuseve，计算公式为：
31、
32、在一实施方式中，所述根据所述i_calcbuseve和所述i_buseve，确定校正比例p，计算公式为：
33、
34、在一实施方式中，所述根据所述p，分别校正所述i_u、所述i_v及所述i_w，得到目标三相电流，包括：
35、分别校正所述i_u、所述i_v及所述i_w，得到校正后的第一相电流i′_u、校正后的第二相电流i'_v以及校正后的第三相电流i'_w，计算公式为：
36、i'_x＝p×i_x
37、其中，x为u、v或w；
38、将所述i'_u、i'_v及i'_w确定为目标三相电流。
39、本专利技术提供的三相电流校正电路及方法，所述电路包括：第一电流采集单元、第二电流采集单元及控制单元；所述第一电流采集单元，用于获取第一相电流i_u、第二相电流i_v及第三相电流i_w；所述第二电流采集单元，用于获取母线电流的第二有效值i_buseve；所述控制单元，用于根据所述i_u、所述i_v及所述i_w，确定所述母线电流的第一有效值i_calcbuseve；根据所述i_calcbuseve和所述i_buseve，确定校正比例p；根据所述p，分别校正所述i_u、所述i_v及所述i_w，得到目标三相电流。本专利技术根据母线电阻采样电流经过强滤波处理后得到的母线电流第二有效值，以及由mos管内阻采样电流确定的母线电流第二有效值，得到校正比例，并由此校正mos管内阻采样电流，即三相本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种三相电流校正电路，其特征在于，所述电路包括：第一电流采集单元、第二电流采集单元及控制单元；
2.根据权利要求1所述的三相电流校正电路，其特征在于，所述第一电流采集单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管；
3.根据权利要求2所述的三相电流校正电路，其特征在于，所述第一电流采集单元还包括第一运算放大器、第二运算放大器及第三运算放大器；
4.根据权利要求3所述的三相电流校正电路，其特征在于，所述第二电流采集单元包括母线电阻、第四运算放大器、滤波电容以及滤波电阻；
5.根据权利要求4所述的三相电流校正电路，其特征在于，所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极以及所述第三NMOS管的源极分别与所述电机的不同相线电连接。
6.一种三相电流校正方法，其特征在于，应用于三相电流校正电路，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的三相电流校正方法，其特征在于，所述第一电流采集单元获取第一相电流i_U、第二相电流i_V及第三相电流i_W，包括：>
8.根据权利要求7所述的三相电流校正方法，其特征在于，所述根据所述i_U、所述i_V及所述i_W，确定所述母线电流的第一有效值i_calcbuseve，包括：
9.根据权利要求8所述的三相电流校正方法，其特征在于，所述根据所述i_calcbuseve和所述i_buseve，确定校正比例P，计算公式为：
10.根据权利要求9所述的三相电流校正方法，其特征在于，所述根据所述P，分别校正所述i_U、所述i_V及所述i_W，得到目标三相电流，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种三相电流校正电路，其特征在于，所述电路包括：第一电流采集单元、第二电流采集单元及控制单元；
2.根据权利要求1所述的三相电流校正电路，其特征在于，所述第一电流采集单元包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管及第六nmos管；
3.根据权利要求2所述的三相电流校正电路，其特征在于，所述第一电流采集单元还包括第一运算放大器、第二运算放大器及第三运算放大器；
4.根据权利要求3所述的三相电流校正电路，其特征在于，所述第二电流采集单元包括母线电阻、第四运算放大器、滤波电容以及滤波电阻；
5.根据权利要求4所述的三相电流校正电路，其特征在于，所述第一nmos管的源极、所述第二nmos管的源极以及所述第三nmos管的源极分别与所述电机的不同相...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈毅东，刘旺，张志源，李智顺，
申请(专利权)人：深圳市兆威机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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