【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种封装基底的端面设置外连接部石英谐振器及其制造方法，以及一种电子器件。
技术介绍
1、高基频、小型化和低矮化是石英晶振片(下文中简称为晶片)发展的趋势。传统晶片制造方案多采用研磨切片的方式获得一定频率的散粒薄片，然后进行后续的镀电极与调频。然而，切片所采用的线切割技术对1mm×1mm及以下尺寸难以实现，基本无法覆盖1.2mm×1.0mm及以下尺寸的晶片制造，更无法满足1.0mm×0.8mm及以下尺寸规格晶片制造。晶片的基频主要受晶片谐振区域的厚度决定，晶片的基频由以下公式支配：
2、f0(mhz)＝1670(mhz·μm)/d(μm) (1)
3、晶圆级制造可以实现单颗谐振器制造成本的大幅降低，以及谐振器之间的品控一致性；通常来说，晶圆尺寸越大，单颗谐振器的制造成本越低。然而，对于晶圆级制造方案，几百至数千颗晶片排列在单片晶圆上，对各个位置点石英厚度的精确控制挑战巨大，这也就直接导致了整片晶圆上晶片频率的准确性与一致性难以得到保证。因此，晶圆级晶片调频存在极大的挑战。目前已有技术采取的办法主要集中在采用具有超高精度膜厚监控系统的研磨技术，制备厚度均一度在几纳米之内的石英薄膜。这种频率控制与调节技术对材料和制造工艺提出了极高的要求，而且晶圆面积越大，制造难度越高，阻碍了低成本、高效率的制造方案的产生。
4、现有的石英谐振器的顶电极的电极引出部和底电极的电极引出部中的一个经由压电层的边缘延伸到与另一个电极引出部同侧的位置，这种跨压电层布置电极引出部
5、此外，还希望在晶圆级制造单颗谐振器的基础上，优化谐振器的边界条件、减少声波横向泄漏，从而进一步提高谐振器的性能。但是，通过现有的机械研磨减薄方式难以优化谐振器的边界条件。
技术实现思路
1、为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本专利技术。
2、根据本专利技术的实施例的一个方面，提出了一种石英谐振器，包括：
3、石英压电层；
4、底电极和顶电极，顶电极和底电极中的一个电极为第一电极、另一个为第二电极，所述第一电极处于压电层的一侧，所述第二电极处于压电层的另一侧；
5、第一封装基板和第二封装基板，分别设置在压电层的一侧和另一侧，第一封装基板与第一电极相对，第二封装基板与第二电极相对，
6、其中：
7、第一电极的电极引出端包括至少经由第二封装基板的端面延伸到第二封装基板的远离第二电极的一侧的第一外连接部，或者第二电极的电极引出端包括至少经由第一封装基板的端面延伸到第一封装基板的远离第一电极的一侧的第二外连接部。
8、根据本专利技术的实施例的另一方面，提出了一种石英谐振器的制造方法，包括步骤：
9、提供石英晶圆；
10、以石英晶圆形成谐振结构，包括步骤：至少利用微/纳机电系统光刻技术在石英晶圆上形成与多个石英谐振器对应的石英压电层，在石英压电层的一侧和另一侧分别设置包括第一电极的第一电极层和包括第二电极的第二电极层；
11、提供第一封装基板和第二封装基板：所述第一封装基板和所述第二封装基板分别设置在所述石英压电层的两侧以形成复合结构，第一封装基板与第一电极层相对，第二封装基板与第二电极层相对；和
12、分割：至少将所述复合结构切割或者裂片，以形成机械分离的多个结构散粒；
13、为结构散粒提供外连接部，包括步骤：使得每个结构散粒的第一电极的电极引出端包括第一外连接部，所述第一外连接部至少经由第二封装基板的端面延伸到第二封装基板的远离第二电极的一侧，或者使得每个结构散粒的第二电极的电极引出端包括第二外连接部，所述第二外连接部至少经由第一封装基板的端面延伸到第一封装基板的远离第一电极的一侧。
14、本专利技术的实施例还涉及一种电子器件，包括上述的石英谐振器。
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1.一种石英谐振器，包括：
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：
7.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
9.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
11.根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器，其中：
12.根据权利要求1-11中任一项所述的谐振器，其中：
13.一种电子器件，包括根据权利要求1-12中任一项所述的石英谐振器。
14.一种石英谐振器的制造方法，包括步骤：
15.根据权利要求14所述的方法，其中：
16.根据权利要求14所述的方法，其中：
17.根据权利要求14所述的方法，其中：
18.根据权利要求17所述的方法，其中：>
19.根据权利要求14所述的方法，其中，以石英晶圆形成谐振结构的步骤包括：
20.根据权利要求19所述的方法，还包括步骤：
21.根据权利要求19所述的方法，其中：
22.根据权利要求21所述的方法，其中：
23.根据权利要求21所述的方法，其中，提供第一封装基板或第二封装基板的步骤包括：
24.根据权利要求14-23中任一项所述的方法，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种石英谐振器，包括：
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：
7.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
9.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
11.根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器，其中：
12.根据权利要求1-11中任一项所述的谐振器，其中：
13.一种电子器件，包括根据权利要求1-12中任一项所述的...
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