封装基底的端面设置外连接部石英谐振器及其制造方法、电子器件技术

本发明专利技术涉及一种石英谐振器及其制造方法，所述石英谐振器包括：石英压电层；底电极和顶电极，顶电极和底电极中的一个电极为第一电极、另一个为第二电极，所述第一电极处于压电层的一侧，所述第二电极处于压电层的另一侧；第一封装基板和第二封装基板，分别设置在压电层的一侧和另一侧，第一封装基板与第一电极相对，第二封装基板与第二电极相对，其中：第一电极的电极引出端包括至少经由第二封装基板的端面延伸到第二封装基板的远离第二电极的一侧的第一外连接部，或者第二电极的电极引出端包括至少经由第一封装基板的端面延伸到第一封装基板的远离第一电极的一侧的第二外连接部。本发明专利技术还涉及一种电子器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种封装基底的端面设置外连接部石英谐振器及其制造方法，以及一种电子器件。

技术介绍

1、高基频、小型化和低矮化是石英晶振片(下文中简称为晶片)发展的趋势。传统晶片制造方案多采用研磨切片的方式获得一定频率的散粒薄片，然后进行后续的镀电极与调频。然而，切片所采用的线切割技术对1mm×1mm及以下尺寸难以实现，基本无法覆盖1.2mm×1.0mm及以下尺寸的晶片制造，更无法满足1.0mm×0.8mm及以下尺寸规格晶片制造。晶片的基频主要受晶片谐振区域的厚度决定，晶片的基频由以下公式支配：

2、f0(mhz)＝1670(mhz·μm)/d(μm)    (1)

3、晶圆级制造可以实现单颗谐振器制造成本的大幅降低，以及谐振器之间的品控一致性；通常来说，晶圆尺寸越大，单颗谐振器的制造成本越低。然而，对于晶圆级制造方案，几百至数千颗晶片排列在单片晶圆上，对各个位置点石英厚度的精确控制挑战巨大，这也就直接导致了整片晶圆上晶片频率的准确性与一致性难以得到保证。因此，晶圆级晶片调频存在极大的挑战。目前已有技术采取本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石英谐振器，包括：

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

7.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

9.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

11.根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器，其中：

<p>12.根据权利要...

【技术特征摘要】

1.一种石英谐振器，包括：

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

7.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

9.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

11.根据权利要求1-10中任一项所述的谐振器，其中：

12.根据权利要求1-11中任一项所述的谐振器，其中：

13.一种电子器件，包括根据权利要求1-12中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，张孟伦，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：