【技术实现步骤摘要】
本技术涉及推挽电路,尤其涉及一种防止反向输入漏电的推挽式输出电路。
技术介绍
1、推挽式数字io电路是一种常见的电路结构,可以用于放大信号、驱动负载等多种应用场合;通常由pnp型晶体管和npn型晶体管组成上管和下管电路,通过晶体管将输入信号放大并输出到负载上;上管和下管交替工作,实现对负载的驱动。
2、在推挽式数字io电路中,当输出极电源电压为0伏,且输出端施加高电平时,由于pmos管的衬底接电源(此时为0伏),pmos管的vdb将大于pmos管漏极与衬底寄生的二极管的正向导通电压,因此会导致从pmos的漏极向衬底产生很大的泄露电流,严重时可能会烧毁输出极电路。
技术实现思路
1、为克服现有电路中存在的问题,本技术采用的技术方案如下:一种防止反向输入漏电的推挽式输出电路,包括:上管电路和下管电路,上管电路和下管电路电性连接,当输出极电源电压为0v且输出vo为高电平时,上管电路衬底电压升高,上管电路中的二极管正向导通,上管电路漏极与衬底之间没有泄露电流,保护输出极电源vccio。
2、进一步的,还包括:当上管电路和下管电路的输入电压vip、vin均为高电平时输出vo为高电平;当上管电路和下管电路的输入电压vip、vin均为低电平时输出vo为低电平;同步控制上管电路和下管电路的输入电压极性使输出电压同步变化,实现驱动负载电路的功能。
3、进一步的,上管电路包括:pmos管p1-p2、电阻r1和二极管d1,二极管d1的正极与pmos管p2的漏极连接,二
4、进一步的,下管电路包括:nmos管n1-n2和电阻r2,nmos管n1的漏极和pmos管p1的源极的公共端接负载输出端,nmos管n1的栅极与nmos管n2的漏极公共端与电阻r2连接后接地,nmos管n1的源极和nmos管n2的源极公共端接地;nmos管n2的栅极接输入电压。
5、进一步的,pmos管p1和pmos管p2的型号包括但不限于si2323ds-t1。
6、进一步的,nmos管n1和nmos管n2的型号包括但不限于si2302dds。
7、进一步的,二极管d1的型号包括但不限于s1a-s1 m。
8、本技术的有益效果:
9、1、通过增加二极管d1以及将p2和p1的衬底连接,能够在输出极电源电压为0v且输出端接到高电平时,漏极向衬底不产生大的泄露电流,保护输出极电源vccio。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种防止反向输入漏电的推挽式输出电路,其特征在于:包括上管电路和下管电路,上管电路和下管电路电性连接,当输出极电源电压为0V且输出为高电平时,上管电路衬底电压升高,二极管正向导通,漏极与衬底之间没有泄露电流,保护输出极电源;
2.如权利要求1所述的防止反向输入漏电的推挽式输出电路,其特征在于:PMOS管P1和PMOS管P2的型号为SI2323DS-T1。
3.如权利要求1所述的防止反向输入漏电的推挽式输出电路,其特征在于:NMOS管N1和NMOS管N2的型号为Si2302DDS。
4.如权利要求1所述的防止反向输入漏电的推挽式输出电路,其特征在于:二极管D1的型号为S1A-S1M。
【技术特征摘要】
1.一种防止反向输入漏电的推挽式输出电路,其特征在于:包括上管电路和下管电路,上管电路和下管电路电性连接,当输出极电源电压为0v且输出为高电平时,上管电路衬底电压升高,二极管正向导通,漏极与衬底之间没有泄露电流,保护输出极电源;
2.如权利要求1所述的防止反向输入漏电的推挽式输出电路,其特征在于:pm...
【专利技术属性】
技术研发人员:霍文俊,李飞,孙莉,郑培清,李乐,王雨,
申请(专利权)人:江苏思远集成电路与智能技术研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:
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