【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及焊接设备，尤其涉及一种用于多工件的真空烧结炉及其工作方法。
技术介绍
1、在半导体芯片封装时需要在真空环境下进行，一般可采用真空炉形式得以实现。现有技术中的真空炉设置多个预热区、一个焊接区和多个冷却区，其中，预热区采用氮气保护，并不是完全低氧环境；焊接区为真空环境。芯片焊接完之后，焊接区和冷却区之间连接的门打开，芯片从焊接区进入到冷却区，同时，焊接区和预热区之间连接的门打开，将预热的芯片送入到焊接区进行焊接，这样，在完成一个焊接过程并进行下一个焊接过程中，焊接区的前后门要同时打开，冷却区和预热区会破坏焊接区的真空环境的保持；现有技术中单个工件进行加工，在工作时工件上的甲酸含量比较少，导致焊接质量不好和焊接效率比较低。
2、
技术实现思路
1、本专利技术提供一种用于多工件的真空烧结炉及其工作方法，用以解决现有技术中在工作时工件上的甲酸含量比较少，导致焊接质量不好和焊接效率比较低的问题。
2、一种用于多工件的真空烧结炉，包括第一插板阀、第二插板阀、第三插板阀、第四插板阀、多个驱动机构、多个升降内胆、第一加热区、第二加热区和冷却区；所述第一加热区的进口端密封设置有第一插板阀，所述第一加热区的出口端密封设置有第二插板阀，所述第二加热区的进口端密封设置有所述第二插板阀，所述第二加热区的出口端密封设置有所述第三插板阀，所述冷却区的进口端密封设置有所述第三插板阀，所述第一冷却区的出口端密封设置有所述第四插板阀，所述升降内胆设置在所述第一加热区和所述第二加热区
3、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，还包括挡停升降气缸，所述挡停升降气缸设置在所述第一加热区、所述第二加热区和所述冷却区的出口处。
4、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，还包括多个测温升降机构，所述测温升降机构设置在所述第一加热区、所述第二加热区和所述冷却区的下方。
5、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，所述第一加热区为预热区，所述第二加热区为焊接区。
6、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，所述升降内胆的两侧设置有u形缺口，所述升降内胆内部设置有甲酸氮气管。
7、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，所述驱动机构为上盖气缸。
8、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，所述第一加热区和所述第二加热区为至少一个腔体。
9、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，所述冷却区为至少一个腔体。
10、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，所述冷却区内部上方设置有冷却风扇。
11、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉，所述冷却区内部设置有冷却板，所述冷却板内部设置有冷却水道。
12、一种用于多工件的真空烧结炉的工作方法，包括：
13、s1，开启第一插板阀，第一工件进入第一加热区，第一加热区的挡停升降气缸进行挡停，第一加热区的测温升降机构升起并对治具实时测温；
14、s2，关闭第一插板阀，将第一加热区抽真空达到预定真空度，下降第一加热区的升降内胆并进行惰性气体或还原性气体的注入；
15、s3，开启第二插板阀，升起升降内胆和缩回测温升降机构，第一工件进入第二加热区，第二加热区的挡停升降气缸进行挡停，第二加热区的测温升降机构升起并对治具实时测温；
16、s4，关闭第二插板阀后开启第一插板阀，将第二加热区抽真空达到预定真空度，下降第二加热区的升降内胆并进行惰性气体或还原性气体的注入，第二工件进入第一预热区；
17、s5，依工作流程，第一工件出第四插板阀，第二工件进入冷却区，第三工件进入第二加热区，第四工件进入第一预热区，第五工件准备进入进第一插板阀。
18、根据本专利技术的用于多工件的真空烧结炉的工作方法，第一加热区为预热区，第二加热区为焊接区。
19、本专利技术通过在第一加热区和第二加热区腔体内部设置有升降内胆，在升降内胆内充入甲酸和/或惰性气体，在工作时工件上的甲酸和/或氮气含量高，焊接质量好和焊接效率高。测温升降机构直接接触对治具测温，测温精度高，从而焊接质量好。
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1.一种用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，包括第一插板阀、第二插板阀、第三插板阀、第四插板阀、多个驱动机构、多个升降内胆、第一加热区、第二加热区和冷却区；所述第一加热区的进口端密封设置有第一插板阀，所述第一加热区的出口端密封设置有第二插板阀，所述第二加热区的进口端密封设置有所述第二插板阀，所述第二加热区的出口端密封设置有所述第三插板阀，所述冷却区的进口端密封设置有所述第三插板阀，所述第一冷却区的出口端密封设置有所述第四插板阀，所述升降内胆设置在所述第一加热区和所述第二加热区内部，所述驱动机构设置在所述第一加热区和所述第二加热区的上方，所述升降内胆通过所述驱动机构驱动升降；所述第一加热区、所述第二加热区和所述冷却区为至少一个腔体。
2.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，还包括挡停升降气缸，所述挡停升降气缸设置在所述第一加热区、所述第二加热区和所述冷却区的出口处。
3.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，还包括多个测温升降机构，所述测温升降机构设置在所述第一加热区和所述第二加热区的下方。
4.根据权利要求
5.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，所述驱动机构为上盖气缸。
7.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，所述冷却区内部上方设置有冷却风扇。
8.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，所述冷却区内部设置有冷却板，所述冷却板内部设置有冷却水道。
9.一种根据权利要求1至8任一项所述的用于多工件的真空烧结炉的工作方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉的工作方法，其特征在于，所述第一加热区为预热区，所述第二加热区为焊接区。
...【技术特征摘要】
1.一种用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，包括第一插板阀、第二插板阀、第三插板阀、第四插板阀、多个驱动机构、多个升降内胆、第一加热区、第二加热区和冷却区；所述第一加热区的进口端密封设置有第一插板阀，所述第一加热区的出口端密封设置有第二插板阀，所述第二加热区的进口端密封设置有所述第二插板阀，所述第二加热区的出口端密封设置有所述第三插板阀，所述冷却区的进口端密封设置有所述第三插板阀，所述第一冷却区的出口端密封设置有所述第四插板阀，所述升降内胆设置在所述第一加热区和所述第二加热区内部，所述驱动机构设置在所述第一加热区和所述第二加热区的上方，所述升降内胆通过所述驱动机构驱动升降；所述第一加热区、所述第二加热区和所述冷却区为至少一个腔体。
2.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉，其特征在于，还包括挡停升降气缸，所述挡停升降气缸设置在所述第一加热区、所述第二加热区和所述冷却区的出口处。
3.根据权利要求1所述的用于多工件的真空烧结炉，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵永先，赵登宇，张延忠，邓燕，
申请(专利权)人：北京仝志伟业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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