【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光器的数据存储领域，具体一种数据的写入方法及激光器。
技术介绍
1、在激光器电源系统中，在电源系统集成初期阶段，需要对激光器电源系统进行指标摸底测试。每台激光器电源系统的摸底测试数据需要长期存储且掉电不丢失。
2、由于激光器电源系统摸底测试要求的工况为6000hz(赫兹)，而当前的存储装置的存储时间对应的存储频率与激光器电源系统对应的上述高频测试工况并不匹配，不能较好地满足高频工况存储测试数据的需求，使得存储装置不能很好的被利用进行数据的存储，因此针对激光器电源系统高频测试这种特殊工况，有必要设计一种新的写入数据方法，来解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于，克服现有的技术的不足，提供一种数据的写入方法及激光器，能够既能兼容使用现有主流的存储器，又能满足高频工况的测试需求。
2、为达到上述技术目的，一方面，本专利技术提供的一种数据的写入方法，应用于激光器，所述激光器包括控制器以及存储器，所述方法包括：步骤101：在所述控制器中创建至少两个缓存区域；步骤102：获取待写入数据，并将待写入数据写入至第一缓存区域直至第一缓存区域写满数据，将第一缓存区域中的写入数据写入至存储器；步骤103：在向所述存储器写入第一缓存区域中的写入数据的过程中，继续获取待写入数据，并将所述待写入数据写入至第二缓存区域直至第二缓存区域写满数据，将第二缓存区域中的写入数据写入至存储器；步骤104：在向所述存储器写入第二缓存区域中的写入数据的过程中，
3、具体的，所述存储器根据存储单元进行数据存储，所述存储单元可存储预置存储量，所述缓存区域的存储量与存储单元的预置存储量相同，所述获取待写入数据，包括：根据每次获取待写入数据的数据量以及预置存储量，确定获取待写入数据的次数，并获取写满第一缓存区域中的待写入数据，写入所述存储单元的时间小于获取待写入数据的次数对应的时间。
4、具体的，所述将待写入数据写入至第一缓存区域直至第一缓存区域写满数据，包括：将获取到的待写入数据作为一组待写入数据存储到第一缓存区域，直至完成数据写入，并设置第一缓存区域的存满标志位。
5、具体的，所述将第一缓存区域中的写入数据写入至存储器，包括；通过控制器的dma方式，向存储器的存储单元中写入第一缓存区域中的写入数据。
6、具体的，所述在向所述存储器写入数据的过程中，继续获取待写入数据，包括：根据每次获取待写入数据的数据量以及预置存储量，确定继续获取待写入数据的次数，并获取写满第二缓存区域中的待写入数据，写入第二缓存区域中存储单元的时间小于获取待写入数据的次数对应的时间。
7、具体的，所述将所述待写入数据写入至第二缓存区域直至第二缓存区域写满数据，包括：将获取到的待写入数据作为一组待写入数据存储到第二缓存区域，直至完成数据写入，并设置第二缓存区域的存满标志位。
8、具体的，所述将第二缓存区域中的写入数据写入至存储器，包括：通过控制器的dma方式，向存储器的存储单元中写入第二缓存区域中的写入数据。
9、此外，在向所述存储器写入第一缓存区域中的写入数据的过程中，该方法还包括：在完成向存储器写入第一缓存区域中的写入数据后，设置dma的写入完成标志，以使通过控制器对第一缓存区域进行清零，并设置第一缓存区域的清零标志位。
10、此外，其特征在于，在向所述存储器写入第二缓存区域中的写入数据的过程中，该方法还包括：在完成向存储器写入第二缓存区域中的写入数据后，设置dma的写入完成标志，以使通过控制器对第二缓存区域进行清零，并设置第二缓存区域的清零标志位。
11、另一方面，本专利技术提供的一种激光器，包括：包括控制器以及存储器；所述控制器，用于在所述控制器中创建至少两个缓存区域；获取待写入数据，并将待写入数据写入至第一缓存区域直至第一缓存区域写满数据，将第一缓存区域中的写入数据写入至存储器；在向所述存储器写入第一缓存区域中的写入数据的过程中，继续获取待写入数据，并将所述待写入数据写入至第二缓存区域直至第二缓存区域写满数据，将第二缓存区域中的写入数据写入至存储器；在向所述存储器写入第二缓存区域中的写入数据的过程中，所述控制器重复执行获取待写入数据以及通过缓存区域将待写入数据写入至存储器的步骤，直至待写入数据全部写入至存储器内。
12、在本申请实施例中，步骤101：在所述控制器中创建至少两个缓存区域；步骤102：获取待写入数据，并将待写入数据写入至第一缓存区域直至第一缓存区域写满数据，将第一缓存区域中的写入数据写入至存储器；步骤103：在向所述存储器写入第一缓存区域中的写入数据的过程中，继续获取待写入数据，并将所述待写入数据写入至第二缓存区域直至第二缓存区域写满数据，将第二缓存区域中的写入数据写入至存储器；步骤104：在向所述存储器写入第二缓存区域中的写入数据的过程中，重复执行步骤102和步骤103，直至待写入数据全部写入至存储器内。
13、其中，通过本申请实施例使得获取待写入数据的速度，不受存储器自身写入速度的限制，有效弱化了存储器写入速度慢的不利影响，能够既能兼容使用现有主流的存储器，又能满足高频工况的测试需求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种数据的写入方法，其特征在于，应用于激光器，所述激光器包括控制器以及存储器，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器根据存储单元进行数据存储，所述存储单元可存储预置存储量，所述缓存区域的存储量与存储单元的预置存储量相同；
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将待写入数据写入至第一缓存区域直至第一缓存区域写满数据，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第一缓存区域中的写入数据写入至存储器，包括；
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在向所述存储器写入数据的过程中，继续获取待写入数据，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述待写入数据写入至第二缓存区域直至第二缓存区域写满数据，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第二缓存区域中的写入数据写入至存储器，包括：
8.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括
10.一种激光器，其特征在于，包括：包括控制器以及存储器；
...【技术特征摘要】
1.一种数据的写入方法，其特征在于，应用于激光器，所述激光器包括控制器以及存储器，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器根据存储单元进行数据存储，所述存储单元可存储预置存储量，所述缓存区域的存储量与存储单元的预置存储量相同；
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将待写入数据写入至第一缓存区域直至第一缓存区域写满数据，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第一缓存区域中的写入数据写入至存储器，包括；
5.根据权利要求1所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：马亚坤，曹沛，蔡斌峰，张晨阳，李学，袁钊，徐向宇，
申请(专利权)人：北京科益虹源光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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