一种高频陶瓷覆铜基板材料、制备方法及陶瓷覆铜基板技术

技术编号：40354597 阅读：7 留言：0更新日期：2024-02-09 14:39

本发明专利技术公开了一种高频陶瓷覆铜基板材料，涉及覆铜基板制备技术领域，该高频陶瓷覆铜基板材料包括按重量百分比计的如下组分：x(Ca<subgt;1‑</subgt;<subgt;a</subgt;Nd<subgt;2a/3</subgt;)TiO<subgt;3</subgt;‑(1‑x)Li<subgt;0.5</subgt;La<subgt;b</subgt;Sm<subgt;0.5‑b</subgt;TiO<subgt;3</subgt;复合陶瓷材料40‑60％，聚亚酰胺树脂40‑60％，硅烷偶联剂0.5‑2.0％，其中,0.3≤x≤0.4，0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.4。本发明专利技术还提出了一种高频陶瓷覆铜基板材料的制备方法及陶瓷覆铜基板。本发明专利技术的高频陶瓷覆铜基板材料性能优异，降低了介电常数、介电损耗小，耐高温，金属层剥离强度大，可满足天线、滤波器件、高频基板等微波器件应用要求。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于覆铜基板制备，具体涉及一种高频陶瓷覆铜基板材料、制备方法及陶瓷覆铜基板。

技术介绍

1、高频微波复合介质电路基板作为高频微波器件、部件与整机系统中使用最为广泛的关键性基础材料之一，不仅在各型号工程的高频微波信号的产生、放大、调制、传输、接收、发射等许多环节起支撑基体作用，而且在5g通讯微波电路中制作成各种功能性器件(如天线接收/发射组件、微带或带状电路、滤波器、振荡器、鉴频器、混频器、功率放大器、开关等)。而目前有关高性能高频微波基板，国内完全依赖从美国rogers集团公司以垄断性昂贵价格进口，常常受到进口制约。而现有的覆铜基板材料制备的覆铜基板由于介电常数高、介电损耗大、耐高温性能差、金属层剥离强度低等缺点，无法满足高频条件下微波器件的应用。为此，我们提出一种高频陶瓷覆铜基板材料、制备方法及陶瓷覆铜基板。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在介电常数高、介电损耗大、耐高温性能差、金属层剥离强度低的缺点，而提出的一种高频陶瓷覆铜基板材料、制备方法及陶瓷覆铜基板。该高频陶瓷覆铜基板材料及其制备方法制备的陶瓷覆铜基板，性能优异，能满足天线、滤波器件、高频基板等微波器件应用要求。

2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：

3、设计一种高频陶瓷覆铜基板材料，该高频陶瓷覆铜基板材料包括按重量百分比计的如下组分：x(ca1-and2a/3)tio3-(1-x)li0.5labsm0.5-btio3复合陶瓷材料40-60％，

4、进一步的，所述x(ca1-and2a/3)tio3-(1-x)li0.5labsm0.5-btio3复合陶瓷材料的组分选自以下五种中的任一种：

5、(1)、x＝0.3，a＝0.05，b＝0.2；

6、(2)、x＝0.35，a＝0.1，b＝0.25；

7、(3)、x＝0.375，a＝0.1，b＝0.3；

8、(4)、x＝0.375，a＝0.15，b＝0.35；

9、(5)、x＝0.4，a＝0.2，b＝0.4。

10、为了进一步解决上述技术问题，本专利技术还提出了一种高频陶瓷覆铜基板材料的制备方法，用于所述高频陶瓷覆铜基板材料的制备，其特征在于，包括如下步骤：

11、(1)、将原料按caco3、nd2o3、tio2进行配料得到混合粉料，将混合粉料进行预烧1200℃保温2小时，将预烧粉体进行球磨、烘干、过筛得到预烧粉体；

12、(2)、将步骤(1)得到的预烧粉体置入坩埚中烧成1350℃保温2小时，将烧成粉体进行球磨、烘干、过筛得(ca1-and2a/3)tio3到粉体；

13、(3)、将原料按li2co3、la2o3、sm2o3、tio2进行配料得到混合粉料，将混合粉进行预烧1100℃保温2小时，将预烧粉体进行球磨、烘干、过筛得到预烧粉体；

14、(4)、将步骤(3)得到的预烧粉体置入坩埚中烧成1300℃保温2小时，将烧成粉体进行球磨、烘干、过筛得到li0.5labsm0.5-btio3烧成粉体

15、(5)、将步骤(2)和步骤(4)中制备的(ca1-and2a/3)tio3和li0.5labsm0.5-btio3烧成粉体按照比例进行球磨混合均匀，得到复合陶瓷材料；

16、(6)、将步骤(5)制备的复合陶瓷材料50-60％，聚亚酰胺树脂40-50％，偶联剂0.5-2.0％进行配料，置入球磨机中混合加热密炼破碎，获得高频陶瓷覆铜基板材料。

17、为了进一步解决上述技术问题，本专利技术还提出了一种陶瓷覆铜基板，采用所述的高频陶瓷覆铜基板材料进行制备，将制备的高频陶瓷覆铜基板材料置入磨具中，加热300℃，预压20-50mpa成型获得半固化片；在半固化上下表面覆上铜箔加热300-380℃，保温180-200min，加压成型压力80-100mpa，冷却获得陶瓷覆铜基板。

18、本专利技术提出的一种高频陶瓷覆铜基板材料、制备方法及陶瓷覆铜基板，有益效果在于：该高频陶瓷覆铜基板材料性能优异，降低了介电常数、介电损耗小，耐高温，金属层剥离强度大，可满足天线、滤波器件、高频基板等微波器件应用要求。具体地：

19、该复合材料具有相对介电常数6.0-12.0、介质损耗<0.0025@10ghz、相对介电常数温度系数<-40ppm/℃(0-100℃范围)和金属层剥离强度>10n/cm等综合性能优异聚亚酰胺树脂基陶瓷复合基板材料。能满足天线、滤波器件、高频基板等微波器件应用要求。

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【技术保护点】

1.一种高频陶瓷覆铜基板材料，其特征在于，该高频陶瓷覆铜基板材料包括按重量百分比计的如下组分：x(Ca1-aNd2a/3)TiO3-(1-x)Li0.5LabSm0.5-bTiO3复合陶瓷材料40-60％，聚亚酰胺树脂40-60％，硅烷偶联剂0.5-2.0％，其中,0.3≤x≤0.4，0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.4。

2.根据权利要求1所述的一种高频陶瓷覆铜基板材料，其特征在于，所述x(Ca1-aNd2a/3)TiO3-(1-x)Li0.5LabSm0.5-bTiO3复合陶瓷材料的组分选自以下五种中的任一种：

3.一种高频陶瓷覆铜基板材料的制备方法，用于如权利要求1-2任一项所述的高频陶瓷覆铜基板材料的制备，其特征在于，具体包括如下步骤：

4.一种陶瓷覆铜基板，采用如权利要求3所述的高频陶瓷覆铜基板材料进行制备，其特征在于，将制备的高频陶瓷覆铜基板材料置入磨具中，加热300℃，预压20-50Mpa成型获得半固化片；在半固化上下表面覆上铜箔加热300-380℃，保温180-200min，加压成型压力80-100Mpa，冷却获得陶瓷覆铜基板。</p>...

【技术特征摘要】

1.一种高频陶瓷覆铜基板材料，其特征在于，该高频陶瓷覆铜基板材料包括按重量百分比计的如下组分：x(ca1-and2a/3)tio3-(1-x)li0.5labsm0.5-btio3复合陶瓷材料40-60％，聚亚酰胺树脂40-60％，硅烷偶联剂0.5-2.0％，其中,0.3≤x≤0.4，0≤a≤0.2，0.2≤b≤0.4。

2.根据权利要求1所述的一种高频陶瓷覆铜基板材料，其特征在于，所述x(ca1-and2a/3)tio3-(1-x)li0.5labsm0.5-btio3复合陶瓷...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵辉，宋夏娣，
申请(专利权)人：苏州长玻电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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