【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电子器件，涉及一种金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片及制作方法。
技术介绍
1、光电子器件是基于光学、半导体等理论原理，实现光波产生、调制和探测的基础功能器件。典型的光电子器件包括激光器、电光调制器和光电探测器等功能器件，其中激光器借助外部激励实现增益介质的粒子数反转，通过谐振腔实现光学谐振进而完成激光输出；电光调制器通过外加电场引起材料折射率的变化以实现对光信号相位、强度等特性的调控；光电探测器基于光敏材料自身的光生载流子效应，实现光信号到电信号的转化。
2、随着光通信和微波光子等应用领域的快速发展,高速光电子芯片已成为大容量光通信系统和宽带微波光子系统的核心单元，器件的高速高频特性已成为高速光电子芯片的关键特性。如图1所示，激光器、电光调制器和光电探测器等高速光电子芯片一般包含衬底、光电相互作用区和外加电极三部分，其中衬底为器件功能实现所必需的半导体光电子材料基底；光电相互作用区为光场、电场耦合相互作用的特定功能区域；外加电极实现外部电信号的加载或光生电信号的输出。
3、为保证高速光电子芯片...
【技术保护点】
1.一种金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片，包括衬底和设置在衬底上的光电相互作用区，其特征在于：所述衬底上设置有掩膜，所述掩膜上设置有金属电极，所述金属电极上划分有焊盘区域和非焊盘区域；所述金属电极的焊盘区域的厚度大于非焊盘区域的厚度，且所述焊盘区域的表面为采用脉冲激光进行热熔处理后得到的平整表面。
2.根据权利要求1所述的金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片，其特征在于：所述金属电极的焊盘区域的厚度比非焊盘区域的厚度多1μm～20μm。
3.根据权利要求1所述的金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片，其特征在于：所述金属电极设置在临近光电相互...
【技术特征摘要】
1.一种金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片，包括衬底和设置在衬底上的光电相互作用区，其特征在于：所述衬底上设置有掩膜，所述掩膜上设置有金属电极，所述金属电极上划分有焊盘区域和非焊盘区域；所述金属电极的焊盘区域的厚度大于非焊盘区域的厚度，且所述焊盘区域的表面为采用脉冲激光进行热熔处理后得到的平整表面。
2.根据权利要求1所述的金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片，其特征在于：所述金属电极的焊盘区域的厚度比非焊盘区域的厚度多1μm～20μm。
3.根据权利要求1所述的金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片，其特征在于：所述金属电极设置在临近光电相互作用区的位置，且所述金属电极临近光电相互作用区的区域划分为非焊盘区域，所述金属电极的非焊盘区域之外的区域划分为焊盘区域。
4.一种金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片的制作方法，其特征在于，所述高...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏浩，杨千泽，王立民，张洪波，文治颖，田自君，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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