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本发明涉及一种金属电极表面热熔处理的高速光电子芯片及制作方法，所述高速光电子芯片包括衬底、光电相互作用区以及金属电极，所述金属电极上划分有焊盘区域和非焊盘区域；所述金属电极的焊盘区域的厚度大于非焊盘区域的厚度，且所述焊盘区域的表面为采用脉冲...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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