【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路，具体涉及一种ldo的过流保护电路。
技术介绍
1、低压差线性稳压器(low dropout regulator,ldo)因为其工作电压低、输出噪声低、输出纹波小、体积小以及应用电路简单等特点而得到了广泛应用。尤其是在一些低功耗、低噪声、高精度和低成本的应用中，ldo具有非常广阔的前景。过流保护电路是ldo电路中重要的辅助电路，在当ldo电路出现负载电流过大或短路等现象时，可以快速的调整电路的工作状态，保护电路不受损坏。
2、目前常见的过流保护电路分为三类。一种是在发生过流时关断功率管，电路不能输出电流，其缺点在于电路需要一定时间重新恢复到正常状态；另一种是恒定电流限电路，即将过流时的电流就限制在过流点，拥有较快的恢复时间；还有一种是折返电流限电路，即当发生过流时，会将电流限制到一个较小的固定值上，但存在引起ldo闩锁，无法启动负载的风险。恒定电流限虽然有长时间大电流工作损坏功率管的风险，但由于较快的恢复时间以及相对于折返电流限电路更简单的结构和更小的面积等原因，得到了广泛应用。
技术实现思路
1、本专利技术的目的，在于提出一种用于ldo的恒定过流保护电路，其一方面与传统的关断调整管的过流保护电路以及折返电流限电路相比，有更稳定的快速恢复能力，不存在闩锁问题；另一方面，所设计过流保护电路结构简单，静态功耗和面积小。
2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案为：
3、一种ldo恒定过流保护电路，由采样管、电流比较器以及保护开关
4、所述电流比较器包括第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第三pmos管mp3、电流镜、电流源i、第一电阻r1；其中，所述第一pmos管mp1的栅极与漏极相连，并连接第二pmos管mp2的栅极，第一pmos管mp1的源极接电源，第一pmos管mp1的漏极接电流源i的一端，电流源i的另一端接地vss；所述第二pmos管mp2的栅极接第三pmos管mp3的栅极，第二pmos管mp2的源极接第一电阻r1的一端，第二pmos管mp2的漏极接电流镜的输入端，第一电阻r1的另一端接电源；所述第三pmos管mp3的源极接电源，第三pmos管mp3的漏极接电流镜的输出端；
5、所述保护开关的栅极接第三pmos管的漏极，保护开关的源极接地vss，保护开关的漏极接ldo中ea的输出；
6、所述采样管的栅极接ldo中功率管的栅极，采样管的源极接ldo中功率管的漏极，采样管的漏极接第二pmos管mp2的源极。
7、本专利技术的有益效果为，
8、(1)应用本专利技术的ldo具有快速的过流恢复能力。
9、(2)应用本专利技术的ldo具有稳定的过流限。
10、(3)本专利技术具有低静态功耗。
11、(4)本专利技术过流保护电路结构简单，能够节约芯片面积。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种LDO恒定过流保护电路，其特征在于，包括采样管、电流比较器和保护开关；
【技术特征摘要】
1.一种ldo恒定过流保护电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗萍，陈俊林，吴泉澳，辛相文，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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