【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固态硬盘，尤其是指一种提升qlc固态硬盘写性能的方法、装置及计算机设备。
技术介绍
1、qlc nand通常需要多次编程才能真正完成数据存储，另外，由于需要消除相邻的word line之间的影响，两次编程需要在多个word line之间交错，故而使得处于不稳定状态的word line数量较多。qlc ssd无法在自身的ram中缓存不稳定word line包含的数据，一般采用slc缓存这些数据，即主机写入的数据都必须先写入到slc缓存，然后再写入qlc区域，如此不但增加了nand的磨损，也降低了qlc的写入性能。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是：如何提升qlc固态硬盘写性能。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种提升qlc固态硬盘写性能的方法，包括qlc直写模式进入流程，qlc直写模式进入流程包括：
3、判断当前qlc块是否已写完；
4、若当前qlc块已写完，则判断当前主机提交的写命令包含的数据量是否足够完成qlc的完整编程；
5、若当前主机提交的写命令包含的数据量足够完成qlc的完整编程，且当前是slc缓存模式，则从slc缓存模式切换到qlc直写模式；
6、在qlc直写模式下，分配新的qlc块，主机新写入数据就直接写入qlc而不经过slc缓存。
7、进一步的，提升qlc固态硬盘写性能的方法还包括，在qlc直写模式下，将slc缓存数据搬入qlc块中。
<...【技术保护点】
1.一种提升QLC固态硬盘写性能的方法，其特征在于，包括QLC直写模式进入流程，QLC直写模式进入流程包括：
2.如权利要求1所述的提升QLC固态硬盘写性能的方法，其特征在于，还包括，在QLC直写模式下，将SLC缓存数据搬入QLC块中。
3.如权利要求1所述的提升QLC固态硬盘写性能的方法，其特征在于，还包括QLC直写模式退出流程，QLC直写模式退出流程包括：
4.如权利要求3所述的提升QLC固态硬盘写性能的方法，其特征在于，在完成超时命令后，再次判断写命令处理时间是否超过预设阈值，若写命令处理时间没有超过预设阈值，则结束流程。
5.一种提升QLC固态硬盘写性能的装置，其特征在于，包括QLC直写模式进入模块，QLC直写模式进入模块包括：
6.如权利要求5所述的提升QLC固态硬盘写性能的装置，其特征在于，所述QLC直写单元，还用于在QLC直写模式下，将SLC缓存数据搬入QLC块中。
7.如权利要求5所述的提升QLC固态硬盘写性能的装置，其特征在于，还包括QLC直写模式退出模块，QLC直写模式退出模块包括：>
8.如权利要求7所述的提升QLC固态硬盘写性能的装置，其特征在于，还包括第四判断单元，用于在完成超时命令后，再次判断写命令处理时间是否超过预设阈值，若写命令处理时间没有超过预设阈值，则结束流程。
9.一种计算机设备，其特征在于：所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至4中任一项所述的提升QLC固态硬盘写性能的方法。
10.一种存储介质，其特征在于：所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现如权利要求1至4中任一项所述的提升QLC固态硬盘写性能的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种提升qlc固态硬盘写性能的方法，其特征在于，包括qlc直写模式进入流程，qlc直写模式进入流程包括：
2.如权利要求1所述的提升qlc固态硬盘写性能的方法，其特征在于，还包括，在qlc直写模式下，将slc缓存数据搬入qlc块中。
3.如权利要求1所述的提升qlc固态硬盘写性能的方法，其特征在于，还包括qlc直写模式退出流程，qlc直写模式退出流程包括：
4.如权利要求3所述的提升qlc固态硬盘写性能的方法，其特征在于，在完成超时命令后，再次判断写命令处理时间是否超过预设阈值，若写命令处理时间没有超过预设阈值，则结束流程。
5.一种提升qlc固态硬盘写性能的装置，其特征在于，包括qlc直写模式进入模块，qlc直写模式进入模块包括：
6.如权利要求5所述的提升qlc固态硬盘写性能的装置，其特征在于，所述qlc直写单...
【专利技术属性】
技术研发人员：李建，王孜顺，邱一霄，
申请(专利权)人：苏州忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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