【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子领域，更具体而言，涉及一种封装模组及电子设备。
技术介绍
1、衬底上可以形成各种各样的半导体装置、微机电系统装置。随着半导体装置和微机电系统装置物理结构复杂性的增加，现有技术中经常将多个器件封装为模组。
2、现有技术中模组一般是由滤波器/双工器、功率放大器、低噪放大器、开关封装在一起组成的。其中滤波器包括多个薄膜体声波谐振器，双工器包括发射滤波器和接收滤波器。现有技术中的各器件通常在二维方向上设置在衬底上，并且各个器件还常常设置在不同衬底上。这明显增加了模组的制作复杂度和成本，也增大了模组的体积，另外如果涉及声学器件，还需要将声学器件先晶圆级封装后再封装于基板之上，导致涉及声学器件的模组封装成本高，并且工序繁杂。
3、可见，现有的封装模组存在工艺复杂、工艺难度高、制备成本高昂、体积较大、产量和良率低的问题。
技术实现思路
1、本技术针对上述技术问题，设计出了一种封装模组，其能克服现有技术中存在的上述技术问题，从而简化模组的制备工艺，减小模组体积，降低工艺难度和制造成本，提高产量和良率。
2、在下文中将给出关于本技术的简要概述，以便提供关于本技术某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分，也不是意图限定本技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
3、根据本技术的一方面提供一种封装模组，包括：第一芯片层、第二芯片层、以
4、进一步的，所述第一介质层为半导体衬底，在其中形成凹槽，将所述第一芯片置于凹槽中。
5、进一步的，所述第一介质层为介质封装材料，所述第一芯片层压嵌入所述介质封装材料中。
6、进一步的，在所述凹槽中的第一芯片周围填充第二介质层。
7、进一步的，所述第一芯片上形成有焊盘，所述第一组电连接结构包括第一介质层中形成的第一导电通孔以及第一介质层上形成的第一重布线，所述第一芯片的焊盘与所述第一重布线电连接，第一重布线连接第一导电通孔，所述第一导电通孔通过多个第一焊球与外部进行电连接。
8、进一步的，所述第二芯片和第三芯片上都形成有焊盘，所述第二芯片和第三芯片通过所述第二组电连接结构与所述第一组电连接结构电连接；其中，所述第二组电连接结构包括第三介质层上形成的第二重布线以及第三介质层中形成的第二导电通孔；其中，所述第二芯片和第三芯片的焊盘通过多个第二焊球与所述第二重布线电连接，所述第二重布线与所述第二导电通孔电连接，所述第二导电通孔与第一重布线或第一导电通孔电连接。
9、进一步的，所述第一芯片的背面形成有背面金属层，所述部分所述多个第一焊球设置在所述背面金属层上。
10、进一步的，所述封装模组还包括第三芯片层，所述第三芯片层设置在所述第二芯片层上，所述第三芯片层包括至少一第四芯片和至少一第五芯片、以及第五介质层，所述第五介质层用于密封所述第四芯片和第五芯片；所述第二芯片层还包括第三组电连接结构，所述第三组电连接结构包括在所述第四介质层中形成的第三导电通孔和第三重布线，所述第四芯片和第五芯片通过所述第三组电连接结构与所述第二组电连接结构电连接。
11、进一步的，所述封装模组还包括第三芯片层，所述第三芯片层设置在所述第一芯片层背面，所述第三芯片层包括至少一第四芯片和至少一第五芯片、以及第五介质层，所述第五介质层用于密封所述第四芯片和第五芯片；所述第三芯片层还包括第三组电连接结构，所述第三组电连接结构包括形成在第一介质层背面的第三重布线、形成在第五介质层背面的第四重布线以及形成在第五介质层中的第三导电通孔，所述第四芯片和第五芯片通过所述第三组电连接结构分别与所述第一组电连接结构和外部进行电连接。
12、根据本技术的再一方面提供一种电子设备，包括本技术的封装模组。
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1.一种封装模组，其特征在于，包括：第一芯片层、第二芯片层、以及第三介质层；
2.如权利要求1所述的封装模组，其特征在于：所述第一介质层为半导体衬底，在其中形成凹槽，将所述第一芯片置于凹槽中。
3.如权利要求1所述的封装模组，其特征在于：所述第一介质层为介质封装材料，所述第一芯片层压嵌入所述介质封装材料中。
4.如权利要求2所述的封装模组，其特征在于：在所述凹槽中的第一芯片周围填充第二介质层。
5.如权利要求1所述的封装模组，其特征在于：所述第一芯片上形成有焊盘，所述第一组电连接结构包括第一介质层中形成的第一导电通孔以及第一介质层上形成的第一重布线，所述第一芯片的焊盘与所述第一重布线电连接，第一重布线连接第一导电通孔，所述第一导电通孔通过多个第一焊球与外部进行电连接。
6.如权利要求5所述的封装模组，其特征在于：所述第二芯片和第三芯片上都形成有焊盘，所述第二芯片和第三芯片通过所述第二组电连接结构与所述第一组电连接结构电连接；
7.如权利要求5所述的封装模组，其特征在于：所述第一芯片的背面形成有背面金属层，部分
8.如权利要求1所述的封装模组，其特征在于：所述封装模组还包括第三芯片层，所述第三芯片层设置在所述第二芯片层上，所述第三芯片层包括至少一第四芯片和至少一第五芯片、以及第五介质层，所述第五介质层用于密封所述第四芯片和第五芯片；
9.如权利要求1所述的封装模组，其特征在于：所述封装模组还包括第三芯片层，所述第三芯片层设置在所述第一芯片层背面，所述第三芯片层包括至少一第四芯片和至少一第五芯片、以及第五介质层，所述第五介质层用于密封所述第四芯片和第五芯片；
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的封装模组。
...【技术特征摘要】
1.一种封装模组，其特征在于，包括：第一芯片层、第二芯片层、以及第三介质层；
2.如权利要求1所述的封装模组，其特征在于：所述第一介质层为半导体衬底，在其中形成凹槽，将所述第一芯片置于凹槽中。
3.如权利要求1所述的封装模组，其特征在于：所述第一介质层为介质封装材料，所述第一芯片层压嵌入所述介质封装材料中。
4.如权利要求2所述的封装模组，其特征在于：在所述凹槽中的第一芯片周围填充第二介质层。
5.如权利要求1所述的封装模组，其特征在于：所述第一芯片上形成有焊盘，所述第一组电连接结构包括第一介质层中形成的第一导电通孔以及第一介质层上形成的第一重布线，所述第一芯片的焊盘与所述第一重布线电连接，第一重布线连接第一导电通孔，所述第一导电通孔通过多个第一焊球与外部进行电连接。
6.如权利要求5所述的封装模组，其特征在于：所述第二芯片和第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈小军，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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