一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，属于玻璃材料脱碱技术领域，与传统药玻脱碱方式对比，本发明专利技术通过用不同的酸对玻璃瓶内表面进行酸洗，可以实现在玻璃瓶表面形成粗糙的微纳结构，有利于提高后续镀膜操作中膜层与玻璃表面之间的结合力。经酸洗后的玻璃瓶在530℃～580℃下脱碱5～15分钟后玻璃瓶内表面碱金属离子含量下降最高可达60％，可以满足光刻胶用玻璃存储瓶对金属离子析出控制严格的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于玻璃材料脱碱，具体的，涉及一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法。

技术介绍

1、作为半导体制造的核心流程，光刻工艺对于芯片制造来说至关重要，而光刻胶正是光刻工艺最重要的耗材，在光刻过程中起到防腐蚀的保护作用，对光刻精度至关重要，是半导体产业最关键的材料。高端光刻胶对光照和温度十分敏感，易老化，且极其微小的杂质也会使其性能发生变化，因此包装和储存的要求十分苛刻。其原材料-光敏剂、树脂以及溶剂都很容易被污染损害，细微的污染都可能改变半导体的性质，因此对包装材料金属离子以及其他杂质的析出要求极高。

2、目前常见的药用玻璃瓶内表面处理方式主要包括霜化(脱碱)处理和硅化处理两种，但由于光刻胶用存储瓶对离子析出控制要求非常严格，传统的霜化工艺已经不能满足内表面金属离子以及其他杂质的析出的要求。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，解决现有技术中霜化工艺已经不能满足玻璃存储瓶内表面金属离子以及其他杂质的析出要求的问题。

2、本专利技术的目的可以通过以下技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，步骤1中在酸洗时采用的酸溶液为氢氟酸。

3.根据权利要求1所述的一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，步骤1中在酸洗时采用的酸溶液为氢氟酸与硫酸的任意比混合物。

4.根据权利要求1所述的一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，步骤1中在酸洗时采用的酸溶液为氢氟酸与盐酸的任意比混合物。

5.根据权利要求1所述的一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，酸洗方法为：在室温条件下通过酸溶液接触玻璃存储瓶的内壁3-...

【技术特征摘要】

1.一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，步骤1中在酸洗时采用的酸溶液为氢氟酸。

3.根据权利要求1所述的一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，步骤1中在酸洗时采用的酸溶液为氢氟酸与硫酸的任意比混合物。

4.根据权利要求1所述的一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，步骤1中在酸洗时采用的酸溶液为氢氟酸与盐酸的任意比混合物。

5.根据权利要求1所述的一种光刻胶用玻璃存储瓶脱碱方法，其特征在于，酸洗方法为：在室温条件下通过酸溶液接...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，滕飞，石丽芬，单传丽，张冲，曹欣，秦旭升，王萍萍，高强，赵凤阳，杨勇，柯震坤，李常青，张晓雨，
申请(专利权)人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司，
类型：发明
国别省市：