System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高铝盖板玻璃的熔化澄清池窑及融化澄清方法技术_技高网

一种高铝盖板玻璃的熔化澄清池窑及融化澄清方法技术

技术编号:40334701 阅读:10 留言:0更新日期:2024-02-09 14:25
本发明专利技术公开了一种高铝盖板玻璃的熔化澄清池窑及融化澄清方法,其中高铝盖板玻璃的融化澄清池窑包括池窑本体、鼓泡器和窑坎,通过在池窑本体的池壁和池底同时布设电极,能够增大电流密度和载流量,同时采用组内电极并联控制实现低电压大电流的目的,提高了熔化能力;电极搭配鼓泡、窑坎和高温型环保澄清剂组合分级澄清,降低了澄清剂的分解温度,实现了由中温到高温的阶梯澄清,能够使高铝盖板玻璃的熔化澄清。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于玻璃熔制,特别涉及一种高铝盖板玻璃的熔化澄清池窑及融化澄清方法


技术介绍

1、高铝盖板玻璃通常应用于触摸屏的盖板,如智能手机、平板电脑等。近年来,随着智能显示行业的不断扩大,特别是智能手机的不断进步,高铝盖板玻璃得到突飞猛进的发展,该类玻璃的高透光性、抗刮擦和硬度等性能突出,目前已经成为电子显示行业不能缺少的基础材料,具有重要的作用。

2、高铝盖板玻璃中三氧化二铝含量高达13wt%以上,三氧化二铝能够增加玻璃的强度,提高玻璃的韧性,在玻璃熔体中倾向于形成铝氧四面体,和硅氧四面体一起共同构成玻璃网络的主体,而高铝盖板玻璃在1600℃的电阻率不超过4ω·cm,与同温度下的无碱tft显示玻璃比,电阻率低2倍以上,显然,若复制tft玻璃熔化澄清工艺在高铝盖板玻璃熔化品质上难以取得突破,造成已有池窑结构及工艺生产良品率不高,熔化澄清效果欠佳,玻璃中的气泡数较高的问题。


技术实现思路

1、为此,需要提供一种高铝盖板玻璃的熔化澄清池窑及融化澄清方法,以解决现有技术中已有池窑结构及工艺生产良品率不高,熔化澄清效果欠佳,玻璃中的气泡数较高的问题。

2、为实现上述目的,专利技术人提供了一种高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,包括池窑本体、鼓泡器和窑坎;

3、所述池窑本体包括前墙、后墙、池壁、池底和胸墙,所述前墙、后墙和池壁围设于池底上方,胸墙设置于池壁的外侧方向,两侧的胸墙之间设有火焰加热区,前墙至后墙方向形成物料输送通道;

4、所述池窑本体朝向前墙方向的前40%的长度范围内,在池壁和池底以第一排列间隙排列设置有电极,并在长度方向上各个第一排列间隙之间的电极之间形成加热回路;

5、所述鼓泡器以第二排列间隙排列设置与池底,并设置于池窑本体朝向前墙方向前40%至50%之间的长度范围内;

6、所述窑坎设置于池底,并设置于池窑本体朝向前墙方向前55%至65%的长度范围内,窑坎至后墙之间形成浅层澄清池。

7、区别于现有技术,上述技术方案具有如下优点:通过在池窑本体的池壁和池底同时布设电极,能够增大电流密度和载流量,同时采用组内电极并联控制实现低电压大电流的目的,提高了熔化能力;电极搭配鼓泡、窑坎和高温型环保澄清剂组合分级澄清,降低了澄清剂的分解温度,实现了由中温到高温的阶梯澄清,能够使高铝盖板玻璃的熔化澄清,降低玻璃内气泡的数量。

8、作为本申请的一种优选实施例,所述电极垂直于物料输送通道的输送方向设置。通过将电极垂直于物料输送通道的输送方向设置,便于电极在物料输送通道的垂直方向进行熔融玻璃加热时,降低用电电压,提高设备安全性。

9、作为本申请的一种优选实施例,所述电极之间的间距为1.5米~2.5米。通过将电极之间的间距为1.5米~2.5米,保证熔融玻璃加热时的均匀性。

10、作为本申请的一种优选实施例,所述电极为板状钼电极。

11、作为本申请的一种优选实施例,所述窑坎的高度为所在位置朝向前墙方向池窑本体高度的1/2~2/3,且所述窑坎朝向后墙的池深比窑坎朝向前墙方向的池深浅100毫米~200毫米。通过将所述窑坎的高度为所在位置朝向前墙方向池窑本体高度的1/2~2/3,且所述窑坎朝向后墙的池深比窑坎朝向前墙方向的池深浅100毫米~200毫米,改善玻璃液的对流,阻止已澄清好的玻璃液向池窑前墙加料端的回流,还能对玻璃液流有一个优选作用,使优质的玻璃液流过窑坎,并在窑坎后进一步减薄澄清,促使玻璃中气泡的排出。

12、作为本申请的一种优选实施例,所述火焰加热区侧边的胸墙上相对设置有5对~8对纯氧烧枪。通过在火焰加热区侧边的胸墙上相对设置有5对~8对纯氧烧枪,便于配合电极进行熔化,形成热对流,利于澄清和气泡的排出。

13、作为本申请的一种优选实施例,所述第一排列间隙为700毫米~900毫米,所述第二排列间隙为300毫米~600毫米。

14、为实现上述目的,专利技术人还提供了一种高铝盖板玻璃的熔化澄清方法,包括上述实施例中所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,包括如下步骤:

15、向池窑本体内持续投入高铝玻璃配合料,配合料中加入质量比为0.1~0.4:0.05~1.2的氧化亚锡和硫酸钙澄清剂;

16、向池窑本体内投入熔融玻璃;

17、在配合料和熔融玻璃上部的火焰加热区提供热源;

18、电极在单元池窑的池壁和池底对配合料和熔融玻璃进行加热;

19、池底鼓泡器向熔融玻璃方向鼓入气体;

20、经由鼓泡器对流均化过的熔融玻璃进一步由火焰加热区进行加热;

21、熔融玻璃流经设在池底的窑坎,稳定熔融玻璃;

22、澄清熔融玻璃,进入池窑本体的后部浅层澄清池进行输出。

23、作为本申请的一种优选实施例,所述电极采用单相交流供电,电压为120v~200v,频率为工频。通过设置单相交流供电,电压为120v~200v,频率为工频,在最大范围的保证池窑内的玻璃得到均匀加热的同时,还降低了对加热电压的要求,同时由于熔融电阻较低,无须高电压即可获得大电流,也不必采用10khz以上的高频交流电,加热过程不产生直流分量,不会出现胶质离子溅射现象的发生,从而降低了电力投资成本,并且在电熔化时在不降低使用电压的情况下,可以加大池窑本体的宽度,提高池窑本体的容量,提高熔化率,也即提高了产能。

24、作为本申请的一种优选实施例,鼓泡器鼓入的气体为氧气、空气或稀有气体中的至少一个。

25、作为本申请的一种优选实施例,氧化亚锡和硫酸钙澄清剂向高铝盖板玻璃配合料中加入的质量比为0.15~0.3:0.5~1.0,且所述氧化亚锡和硫酸钙澄清剂的总加入量为高铝盖板玻璃配合料质量的0.7%~1.2%。

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【技术保护点】

1.一种高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,包括池窑本体、鼓泡器和窑坎;

2.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所述电极垂直于物料输送通道的输送方向设置。

3.根据权利要求2所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,位于池底的电极和位于池壁的电极的垂直方向交点之间的间距为1.5米~2.5米。

4.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所述电极为板状钼电极。

5.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所述窑坎的高度为所在位置朝向前墙方向池窑本体高度的1/2~2/3,且所述窑坎朝向后墙的池深比窑坎朝向前墙方向的池深浅100毫米~200毫米。

6.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所述火焰加热区侧边的胸墙上相对设置有5对~8对纯氧烧枪。

7.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所述第一排列间隙为700毫米~900毫米,所述第二排列间隙为300毫米~600毫米。

8.一种高铝盖板玻璃的融化澄清方法,其特征在于,包括权利要求1至6任一项所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,包括如下步骤:

9.根据权利要求8所述的高铝盖板玻璃的融化澄清方法,其特征在于,所述电极采用单相交流供电,电压为120V~200V,频率为工频。

10.根据权利要求8所述的高铝盖板玻璃的融化澄清方法,其特征在于,氧化亚锡和硫酸钙澄清剂向高铝盖板玻璃配合料中加入的质量比为0.15~0.3:0.5~1.0,且所述氧化亚锡和硫酸钙澄清剂的总加入量为高铝盖板玻璃配合料质量的0.7%~1.2%。

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【技术特征摘要】

1.一种高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,包括池窑本体、鼓泡器和窑坎;

2.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所述电极垂直于物料输送通道的输送方向设置。

3.根据权利要求2所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,位于池底的电极和位于池壁的电极的垂直方向交点之间的间距为1.5米~2.5米。

4.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所述电极为板状钼电极。

5.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所述窑坎的高度为所在位置朝向前墙方向池窑本体高度的1/2~2/3,且所述窑坎朝向后墙的池深比窑坎朝向前墙方向的池深浅100毫米~200毫米。

6.根据权利要求1所述的高铝盖板玻璃的融化澄清池窑,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩广军王建张伟张辉吴杰张军
申请(专利权)人:福州彦丰新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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