【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体属于一种降低外延自掺杂效应的p型埋层推阱工艺。
技术介绍
1、半导体器件对外延层电阻率的精度要求较高，目前p型埋层推阱工艺有：快速退火、炉管高温退火，快速退火与炉管高温退火工艺仅激活硅片内杂质，不改变其内部杂质浓度；
2、在外延淀积过程中，掺杂剂从衬底上重掺杂的区域扩散到外延炉中从而影响外延淀积，浓衬底中的杂质在外延前，由于前工艺的不同，导致其本身在外延前杂质含量有所不同，p型埋层在工艺过程中起到对通隔离作用，在降低其杂质含量时，不影响其对通隔离作业。因此在不影响其对通隔离的情况下，尽可能降低其本身杂质含量，可有效抑制外延工艺过程中的自掺杂效应。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种降低外延自掺杂效应的p型埋层推阱工艺，应用于pn结对通隔离工艺的双极产品，通过本专利技术方法处理后的双极产品，可有效降低后续进行外延工艺时产生的自掺杂影响，提高高压大功率器件对外延层电阻率精度。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种降低外延自掺杂效应的p型埋层推阱工艺，在进行推阱工艺后依次通入干氧、湿氧、干氧在硅片表面制备氧化层，去除氧化层得到表面杂质含量降低的硅片。
3、进一步的，在1050℃条件下，依次通入干氧、湿氧、干氧在硅片表面制备氧化层。
4、进一步的，氧化层的总厚度为2200±200a。
5、进一步的，依次通入20min干氧，20min湿氧，10min干氧。p>
6、进一步的，推阱工艺的推结温度采用1150℃，时间为60min，在纯氮气环境中进行。
7、进一步的，采用全剥工艺去除氧化层。
8、进一步的，所述硅片为p型埋层注入剂量大于1e14个/cm2的硅片。
9、进一步的，所述工艺用于pn结对通隔离工艺的双极产品。
10、与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：
11、本专利技术提供一种降低外延自掺杂效应的p型埋层推阱工艺，通过推阱-干氧-湿氧-干氧工艺流程，在硅片表面制备氧化层，根据分凝效应，氧化层内将吸收p型杂质，降低si表面的杂质含量，后续将氧化层去除从而减少了硅片表面的杂质含量，从而可以有效减轻p型杂质在外延过程中的外溢，通过该工艺后可有效降低后续外延工艺的自掺杂效应的影响，极大提高了高压大功率器件对外延层电阻率精度的要求，同时提高产品的成品率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，其特征在于，在进行推阱工艺后依次通入干氧、湿氧、干氧在硅片表面制备氧化层，去除氧化层得到表面杂质含量降低的硅片。
2.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，其特征在于，在1050℃条件下，依次通入干氧、湿氧、干氧在硅片表面制备氧化层。
3.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，其特征在于，氧化层的总厚度为2200±200A。
4.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，其特征在于，依次通入20min干氧，20min湿氧，10min干氧。
5.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，其特征在于，推阱工艺的推结温度采用1150℃，时间为60min，在纯氮气环境中进行。
6.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，其特征在于，采用全剥工艺去除氧化层。
7.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，其特征在于，所述硅片为P型埋层注入剂量大于
8.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，其特征在于，所述工艺用于PN结对通隔离工艺的双极产品。
...【技术特征摘要】
1.一种降低外延自掺杂效应的p型埋层推阱工艺，其特征在于，在进行推阱工艺后依次通入干氧、湿氧、干氧在硅片表面制备氧化层，去除氧化层得到表面杂质含量降低的硅片。
2.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的p型埋层推阱工艺，其特征在于，在1050℃条件下，依次通入干氧、湿氧、干氧在硅片表面制备氧化层。
3.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的p型埋层推阱工艺，其特征在于，氧化层的总厚度为2200±200a。
4.根据权利要求1所述的一种降低外延自掺杂效应的p型埋层推阱工艺，其特征在于，依次通入20min干氧，20min湿氧，1...
【专利技术属性】
技术研发人员：柏伟东，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。