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本发明提供一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，在进行推阱工艺后依次通入干氧、湿氧、干氧在硅片表面制备氧化层，去除氧化层得到表面杂质含量降低的硅片，本发明方法应用于PN结对通隔离工艺的双极产品，通过本发明方法处理后的双极产品，可有效降低...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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