一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件制造技术

本技术公开了一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，包括：依次设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极；第二反射镜设于外延层的上表面中部，第二电极设于外延层的上表面两侧；透明导电层设于外延层的下表面中部，电流限制层设于外延层的下表面两侧；第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构，介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部，金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面。本技术在不影响反射率的同时减少介质膜DBR对数，降低器件热阻。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体激光，尤其涉及一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件。

技术介绍

1、氮化物半导体材料包含氮化镓半导体及其合金材料，如ingan，algan，gan,inn,aln等。作为一种宽禁带的直接带隙半导体，发光复合效率高，并且具有连续可调的禁带宽度，对应的发光波长覆盖了红外、可见光和深紫外波段，因此氮化物半导体材料被广泛应用于制作高效率半导体发光器件。

2、谐振腔发光二极管(rcled)的基本结构就是把有源层置于多层f-p光学共振腔中，利用谐振腔作用使自发辐射得到增强。与传统led相比，rcled具有更高的光提取效率以及输出功率，同时发光光谱更加纯净，单色性更好，调制速率更高。它的基本结构使用金属或多对分布式布拉格反射镜(distributed bragg reflector，dbr)作为第二反射镜和第一反射镜组成谐振腔。其中，每一种第一反射镜都有其不足之处，dbr反射镜分为半导体dbr和介质膜dbr。

3、其中，半导体dbr是在材料外延生长时，交替生长多对两种折射率不同的半导体材料，根据所使用的材料系统不同主要有aln/g本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，其特征在于，包括：从底部到顶部依次层叠设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极；所述第二反射镜设于外延层的上表面中部，所述第二电极设于外延层的上表面两侧；所述透明导电层设于外延层的下表面中部，所述电流限制层设于外延层的下表面两侧；所述第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构，所述介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部，所述金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面，形成为一连续的金属反...

【技术特征摘要】

1.一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，其特征在于，包括：从底部到顶部依次层叠设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极；所述第二反射镜设于外延层的上表面中部，所述第二电极设于外延层的上表面两侧；所述透明导电层设于外延层的下表面中部，所述电流限制层设于外延层的下表面两侧；所述第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构，所述介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部，所述金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面，形成为一连续的金属反射镜膜层，并作为第一电极。

2.如权利要求1所述的一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，其特征在于，所述外延层包括从底部到顶部依次层叠设置的p型层、有源区和n型层，所述第二反射镜设于n型层的上表面中部，所述第二电极设于n型层的上表面两侧；所述透明导电层设于p型层的下表面中部，所述电流限制层设于p型层的下表面两侧。

3.如权利要求1所述的一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，其特征在于，所述介质膜分布式布拉格反射镜中高折射率材料为二氧化钛、二氧化铪、五氧化三钽或二氧化锆，低折射率材料为二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅洋，徐欢，应磊莹，张保平，刘熠新，林赛，蔡琦，游庆勇，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：新型
国别省市：