【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光通信，尤其涉及一种差分驱动匹配的薄膜铌酸锂调制器及其制作方法。
技术介绍
1、近年来，随着随着5g、云计算以及人工智能等新兴业务的快速发展，带来了高速算力的需求，而高速算力的需求又极大地推动了光通信业务的发展。电光调制器是光通信、光互联和光信号处理的核心器件。随着光通信业务的不断发展，市场对高速调制器芯片在速率、功耗、插损以及集成度等方面提出了越来越高的要求。在现有的技术里，硅光调制器因其成本低，集成度高，与cmos工艺兼容等优势受到了市场的广泛青睐。而随着高速光通信的不断发展，硅光调制器因受限于其载流子迁移率的限制，很难进一步提升其调制带宽。随着光通信业务由400g向800g以及1.6t演进时，硅光调制器很难满足其调制带宽的需求。
2、薄膜铌酸锂调制器作为近几年快速发展的一种调制器技术，已经被证实可以实现>70ghz的电光调制带宽，可以满足800g以及1.6t光通信业务对调制带宽的需求。2018年，哈佛大学在natue上报道的薄膜铌酸锂调制器，实验上证实了其可以在vπ为2.3v时实现>70ghz...
【技术保护点】
1.一种匹配差分驱动的薄膜铌酸锂调制器，包括输入端口、分束器、两个波导、正信号电极、负信号电极、接地电极、加热器、合束器、输出端口；所述输入端口用于光的输入，输入端口连接所述分束器，输入光经过所述分束器后分成相同功率的两束光分别进入两个波导，传输后进入所述合束器，所述合束器与所述输出端口进行连接，输出调制后的光信号，其特征在于，所述两个波导位于正信号电极和负信号电极之间，且沿铌酸锂z向晶轴方向具有相反的极化方向。
2.如权利要求1所述的薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，所述正信号电极和所述负信号电极由T形电极结构组成，所述T形电极结构由条形金属结构负载且呈周期...
【技术特征摘要】
1.一种匹配差分驱动的薄膜铌酸锂调制器，包括输入端口、分束器、两个波导、正信号电极、负信号电极、接地电极、加热器、合束器、输出端口；所述输入端口用于光的输入，输入端口连接所述分束器，输入光经过所述分束器后分成相同功率的两束光分别进入两个波导，传输后进入所述合束器，所述合束器与所述输出端口进行连接，输出调制后的光信号，其特征在于，所述两个波导位于正信号电极和负信号电极之间，且沿铌酸锂z向晶轴方向具有相反的极化方向。
2.如权利要求1所述的薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，所述正信号电极和所述负信号电极由t形电极结构组成，所述t形电极结构由条形金属结构负载且呈周期性分布，正信号电极上的t形电极结构与负信号电极上的t形电极结构沿光传播方向交替排列。
3.如权利要求2所述的薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，所述一个波导位于正信号电极的条形结构和负信号电极t形结构之间，另一个波导位于负信号电极的条形结构与正信号电极的t形结构之间。
4.如权利要求3所述的薄膜铌酸锂调制器，其特征在于，所述t形结构宽度a和d的范围在1um-5um，周期p为40um-400um，长度b和c的范围10um-150um，f是正信号电极上的t形结构和相邻的负信号电极上的...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷祥，吴星宇，夏晨曦，花轩，
申请(专利权)人：苏州易缆微半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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