【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电池,特别是涉及一种栅线结构及其制备方法、光伏电池。
技术介绍
1、在形成栅线时,通常需要刻蚀掩膜层以形成沟槽,再填充沟槽形成栅线。现有技术中发现,请参阅图1,当使用365nm波长的光源曝光以固化掩膜层后,其沟槽的下开口会翘起。请参阅图2,当使用405nm波长的光源曝光以固化掩膜层后,其沟槽会形成倒梯形。而且,请参阅图3,此时其沟槽底部还会出现残足。请参阅图4,残足会减少栅线底部和基底的接触面积,进而使得二者的结合力较差,电阻增高的情况。
2、在制备工艺中,沟槽的形貌决定了栅线的形貌,因此,获取理想的沟槽是十分重要的。然而,通过现有的刻蚀工艺形成的沟槽形貌不理想,进而无法获得满足要求的栅线。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对现有技术中的沟槽形貌不理想的问题提供一种栅线结构及其制备方法、光伏电池。
2、一方面,提供一种栅线结构制备方法,包括:
3、提供基底;
4、于所述基底上形成掩膜层,所述掩膜层包括响应于至少两种不同波长的的感光
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【技术保护点】
1.一种栅线结构制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少两个不同的波长包括365nm波长和405nm波长。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对曝光固化后的所述掩膜层进行显影,形成沟槽,包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,每次使用第一清洗液清洗所述沟槽之后,包括:
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,切水剂包括乙醇。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述填充所述沟槽,形成栅线之后,包括:
7.一种栅线结构,所述栅线结
...【技术特征摘要】
1.一种栅线结构制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少两个不同的波长包括365nm波长和405nm波长。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对曝光固化后的所述掩膜层进行显影,形成沟槽,包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,每次使用第一清洗液清洗所述沟槽之后,包括:
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,切水剂包括乙醇。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述填充所...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹红平,胡广豹,吕龙飞,曹周,齐雅倩,位野,郁操,董刚强,李强,龚志清,
申请(专利权)人:苏州迈为科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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