【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种led芯片及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，次毫米发光二极管(mini light emitting diode，miniled)由于具有更高的亮度、对比度、色域、寿命以及更低的功耗，成为新一代显示技术发展的重点。但受限于mini led芯片的尺寸，目前的mini led芯片尺寸仍然过大，难以支撑miniled更小的间距(pitch)需求。
技术实现思路
1、本申请提供一种led芯片及其制备方法、显示面板，以缓解现有mini led芯片尺寸过大，难以支撑mini led更小的间距需求的技术问题。
2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
3、本申请实施例提供一种led芯片，其包括：
4、第一衬底；
5、外延层，设置在所述第一衬底上，所述外延层包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；
6、第二衬底，与所述第一衬底相对设置，且位于所述外延层远离所述第一衬底的一侧；
7、第一辅助电极，设置在所述第二衬底靠近所述外延层的一侧表面上，并与所述第一半导体层电连接；
8、第二辅助电极，与所述第一辅助电极设置在所述第二衬底的同一侧，并与所述第一半导体层电连接，所述第二辅助电极与所述第一辅助电极之间绝缘设置；
9、第一电极，设置在是第二衬底远离所述外延层的一侧，并与所述第一辅助电极电连接；以及
10、第二电极，与所述第一电
11、其中，所述第二衬底为玻璃衬底。
12、在本申请实施例提供的led芯片中，所述第二衬底上设置有间隔的第一通孔和第二通孔，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第一辅助电极电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第二辅助电极电连接。
13、在本申请实施例提供的led芯片中，所述led芯片还包括设置在所述第二衬底相对的两个侧面的第一连接导线和第二连接导线，所述第一电极通过所述第一连接导线与所述第一辅助电极电连接，所述第二电极通过所述第二连接导线与所述第二辅助电极电连接。
14、在本申请实施例提供的led芯片中，所述led芯片还包括反射层，所述反射层设置于所述外延层远离所述第一衬底的一侧。
15、在本申请实施例提供的led芯片中，所述第一半导体层位于所述第二半导体层远离所述第二衬底的一侧；
16、所述led芯片还包括贯穿所述外延层和所述反射层的第一导电柱，所述第一导电柱与所述第一半导体层电连接，所述第一辅助电极通过所述第一导电柱与所述第一半导体层电连接。
17、在本申请实施例提供的led芯片中，所述反射层为导电反射层，所述第二辅助电极通过所述反射层与所述第二半导体层电连接。
18、在本申请实施例提供的led芯片中，所述led芯片还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述反射层远离所述外延层的一侧，并对应所述第一辅助电极设置。
19、本申请实施例还提供一种led芯片制备方法，其包括：
20、提供第一衬底，并在所述第一衬底上生长外延层，所述外延层包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；
21、提供第二衬底，所述第二衬底为玻璃衬底，并在所述第二衬底的一侧形成第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极绝缘设置；
22、在所述第二衬底背离所述第一电极的一侧形成第一辅助电极和第二辅助电极，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极绝缘设置，并使所述第一辅助电极与所述第一电极电连接，所述第二辅助电极与所述第二电极电连接；
23、将所述第一衬底上的所述外延层面向所述第二衬底设置有所述第一辅助电极的一侧，并将所述外延层绑定在所述第二衬底上，使所述第一半导体层与所述第一辅助电极电连接，所述第二半导体层与所述第二辅助电极电连接。
24、在本申请实施例提供的led芯片制备方法，使所述第一辅助电极与所述第一电极电连接，所述第二辅助电极与所述第二电极电连接的步骤包括：
25、在所述第二衬底的相对的两个侧面分别形成第一连接导线和第二连接导线，所述第一辅助电极通过所述第一连接导线与所述第一电极电连接，所述第二辅助电极通过所述第二连接导线与所述第二电极电连接。
26、本申请实施例还提供一种显示面板，其包括驱动背板以及前述实施例其中之一的led芯片，所述led芯片绑定在所述驱动背板上。
27、本申请的有益效果为：本申请提供的led芯片及其制备方法以及显示面板中，第二衬底的一侧形成有第一电极和第二电极，另一侧形成有第一辅助电极和第二辅助电极，第一电极和第一辅助电极电连接，第二电极和第二辅助电极电连接，且第二衬底采用玻璃衬底，玻璃衬底的耐热性好，基本无胀缩，同时玻璃衬底的平整度高，可以支持黄光工艺，能够形成更精细的电极和辅助电极，进而使led芯片可以做的更小，以支持更小pitch，从而解决了现有mini led芯片尺寸过大，难以支撑mini led更小的间距需求的技术问题。
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1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二衬底上设置有间隔的第一通孔和第二通孔，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第一辅助电极电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第二辅助电极电连接。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括设置在所述第二衬底相对的两个侧面的第一连接导线和第二连接导线，所述第一电极通过所述第一连接导线与所述第一辅助电极电连接，所述第二电极通过所述第二连接导线与所述第二辅助电极电连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的LED芯片，其特征在于，还包括反射层，所述反射层设置于所述外延层远离所述第一衬底的一侧。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层位于所述第二半导体层远离所述第二衬底的一侧；
6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层为导电反射层，所述第二辅助电极通过所述反射层与所述第二半导体层电连接。
7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在
8.一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的LED芯片制备方法，其特征在于，使所述第一辅助电极与所述第一电极电连接，所述第二辅助电极与所述第二电极电连接的步骤包括：
10.一种显示面板，其特征在于，包括驱动背板以及如权利要求1至7中任一项所述的LED芯片，所述LED芯片绑定在所述驱动背板上。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第二衬底上设置有间隔的第一通孔和第二通孔，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第一辅助电极电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第二辅助电极电连接。
3.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，还包括设置在所述第二衬底相对的两个侧面的第一连接导线和第二连接导线，所述第一电极通过所述第一连接导线与所述第一辅助电极电连接，所述第二电极通过所述第二连接导线与所述第二辅助电极电连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的led芯片，其特征在于，还包括反射层，所述反射层设置于所述外延层远离所述第一衬底的一侧。
5.根据权利要求4所述的led芯片，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡道兵，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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