【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种图像传感器及其制作方法。
技术介绍
1、图像传感器是指将光学图像转换成像素信号输出的设备。图像传感器包括ccd（charge-coupled device，电荷耦合器件）图像传感器与cmos（complementary metal-oxide-semiconductor，互补金属氧化物半导体）图像传感器。与传统的ccd图像传感器相比，cmos图像传感器具有低功耗、低成本和与cmos工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在cmos图像传感器不仅应用于消费电子领域，例如微型数模相机（dsc）、手机摄像头、摄像机和数码单反（dslr）等，而且在汽车电子、监控、生物技术和医学领域也得到了广泛的应用。
2、现有的cmos图像传感器一般分为前照式（fsi）图像传感器和背照式（bsi）图像传感器两种。与传统的前照式图像传感器相比，背照式图像传感器可以允许光通过背侧进入并由光电二极管检测，由于光线无需穿过布线层，因此背照式图像传感器具有比前照式图像传感器更高的灵敏度。
3、然而，在背照...
【技术保护点】
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述隔离结构从所述衬底的顶部延伸至所述阻挡层；从所述衬底的底部进行离子注入在所述阻挡层上形成所述第一光电二极管区。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述衬底内形成阻挡层的方法包括：对所述衬底进行离子注入，所述离子注入中注入的离子包含氧离子，所述阻挡层的材料包含氧化硅；
4.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述隔离结构上形成格栅的方法包括：
5.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述隔离结构从所述衬底的顶部延伸至所述阻挡层；从所述衬底的底部进行离子注入在所述阻挡层上形成所述第一光电二极管区。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述衬底内形成阻挡层的方法包括：对所述衬底进行离子注入，所述离子注入中注入的离子包含氧离子，所述阻挡层的材料包含氧化硅；
4.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述隔离结构上形成格栅的方法包括：
5.根据权利要求4所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成高k介质层之后，在形成所述金属层之前，还包括：在所述高k...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，郑志成，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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