【技术实现步骤摘要】
本申请涉及防伪领域，具体而言，涉及一种防伪检测系统、防伪检测方法及防伪检测装置。
技术介绍
1、现有的防伪方法通常在商品表面用激光打印一些防伪标志，构成防伪标签，上述防伪标签比较简单，容易制造，防伪效果不好，防伪标识很容易就被仿造，假冒伪劣商品给正规商品生产者带来了严重的经济损失，造成了恶劣的社会影响。因此，如何提高物品的防伪效果是目前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种防伪检测系统、防伪检测方法及防伪检测装置，以至少解决相关技术中制作防伪标签的防伪技术比较简单，容易被仿造，防伪效果较差的问题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种防伪检测系统，包括：热处理模块，用于对待检测物进行热处理，其中，待检测物中具有金属薄膜，热处理后的金属薄膜形成无序分布的金属纳米颗粒，金属纳米颗粒周围形成有第一电场，位于第一电场中的金属纳米颗粒构成防伪区域；第一激光模块，用于将第一激光照射至防伪区域，以使第一电场重新分布，得到分布于金属纳米颗粒周围的第二电场，第二电场中的至少两个区域的电场强度不同；采集模块，用于采集第二电场的信息，得到与待检测物对应的防伪信息。
3、可选地，热处理模块包括：第二激光模块，用于将第二激光照射至金属薄膜上，以在金属薄膜上形成无序分布的金属纳米颗粒。
4、可选地，第二激光为高斯光束，波长范围为1059nm～1069nm。
5、可选地，采集模块包括：扫描模块，用于采集无序分布的金属
6、可选地，热处理的温度范围为400～800℃。
7、根据本申请的另一方面，提供了一种防伪检测方法，应用于上述的防伪检测系统，包括：获取待检测物的信息，待检测物的信息包括以下至少之一：待检测物中的金属薄膜的材料种类，以及金属薄膜的厚度；根据待检测物的信息，确定与待检测物对应的热处理条件；根据热处理条件，控制防伪检测系统中的热处理模块对待检测物进行热处理，其中，待检测物中具有金属薄膜，热处理后的金属薄膜形成无序分布的金属纳米颗粒，金属纳米颗粒周围形成有第一电场，位于第一电场中的金属纳米颗粒构成防伪区域；根据预设照射条件，控制防伪检测系统中的第一激光模块将第一激光照射至防伪区域，以将第一电场重新分布，得到分布于金属纳米颗粒周围的第二电场，第二电场中的至少两个区域的电场强度不同；控制防伪检测系统中的采集模块采集第二电场的信息，得到与待检测物对应的防伪信息。
8、可选地，采集模块包括扫描模块和处理器模块，处理器模块与扫描模块电连接，控制采集模块采集第二电场的信息的步骤，包括：控制扫描模块采集无序分布的金属纳米颗粒的图像信息，以使得处理器模块于对图像信息进行图像处理，得到第二电场的信息。
9、可选地，热处理模块包括第二激光模块，热处理条件包括以下至少之一：第二激光模块发射的第二激光的功率，以及第二激光对待检测物的照射时间。
10、根据本申请的再一方面，提供了一种防伪检测装置，应用于上述的防伪检测方法，防伪检测装置包括：获取模块，用于获取待检测物的信息，待检测物的信息包括以下至少之一：待检测物中的金属薄膜的材料种类，以及金属薄膜的厚度；确定模块，用于根据待检测物的信息，确定与待检测物对应的热处理条件；第一控制模块，用于根据热处理条件，控制防伪检测系统中的热处理模块对待检测物进行热处理，其中，待检测物中具有金属薄膜，热处理后的金属薄膜形成无序分布的金属纳米颗粒，金属纳米颗粒周围形成有第一电场，位于第一电场中的金属纳米颗粒构成防伪区域；第二控制模块，用于根据预设照射条件，控制防伪检测系统中的第一激光模块将第一激光照射至防伪区域，以将第一电场重新分布，得到分布于金属纳米颗粒周围的第二电场，第二电场中的至少两个区域的电场强度不同；第三控制模块，用于控制防伪检测系统中的采集模块采集第二电场的信息，得到与待检测物对应的防伪信息。
11、可选地，防伪检测系统还包括扫描模块和处理器模块，处理器模块与扫描模块电连接，第三控制模块包括：控制子模块，用于控制扫描模块采集无序分布的金属纳米颗粒的图像信息，以使得处理器模块于对图像信息进行图像处理，得到第二电场的信息。
12、应用本申请的技术方案，通过热处理模块对待检测物上的金属薄膜进行热处理形成无序分布的金属纳米颗粒，在金属纳米颗粒周围形成有第一电场，第一电场中的金属纳米颗粒构成防伪区域，当第一激光模块使第一激光照射在防伪区域时会与金属纳米颗粒相互作用以使第一电场重新分布，得到分布于金属纳米颗粒周围的第二电场，由于每一待检测物防伪区域的第二电场中，不同区域的电场强度具有不同的强弱分布，导致不同待检测物的第二电场分布也不同，即每一待检测物防伪区域的第二电场分布都是独一无二的，无法被复制，进而采用具有该防伪区域的待检测物制作防伪标签，能够具有优异的防伪效果。
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1.一种防伪检测系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的防伪检测系统，其特征在于，所述热处理模块包括：
3.根据权利要求2所述的防伪检测系统，其特征在于，所述第二激光为高斯光束，波长范围为1059nm～1069nm。
4.根据权利要求1所述的防伪检测系统，其特征在于，所述采集模块包括：
5.根据权利要求1所述的防伪检测系统，其特征在于，所述热处理的温度范围为400～800℃。
6.一种防伪检测方法，其特征在于，应用于权利要求1至5中任一项所述的防伪检测系统，包括：
7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述采集模块包括扫描模块和处理器模块，所述处理器模块与所述扫描模块电连接，所述控制所述采集模块采集所述第二电场的信息的步骤，包括：
8.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述热处理模块包括第二激光模块，所述热处理条件包括以下至少之一：所述第二激光模块发射的第二激光的功率，以及所述第二激光对所述待检测物的照射时间。
9.一种防伪检测装置，其特征在于，应用于权利要求
10.根据权利要求9所述的防伪检测装置，其特征在于，所述防伪检测系统还包括扫描模块和处理器模块，所述处理器模块与所述扫描模块电连接，所述第三控制模块包括：
...【技术特征摘要】
1.一种防伪检测系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的防伪检测系统，其特征在于，所述热处理模块包括：
3.根据权利要求2所述的防伪检测系统，其特征在于，所述第二激光为高斯光束，波长范围为1059nm～1069nm。
4.根据权利要求1所述的防伪检测系统，其特征在于，所述采集模块包括：
5.根据权利要求1所述的防伪检测系统，其特征在于，所述热处理的温度范围为400～800℃。
6.一种防伪检测方法，其特征在于，应用于权利要求1至5中任一项所述的防伪检测系统，包括：
7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述采集模块...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟泳生，周天彪，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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