具有异质结的沟槽型SiC功率器件及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有异质结的沟槽型SiC功率器件及制备方法。其包括：SiC基板以及有源区，对任一元胞，包括元胞沟槽、第二导电类型基区以及异质结单元组，其中，异质结单元组包括异质结单元；异质结单元至少包括第二导电类型导电多晶硅体，所述第二导电类型导电多晶硅体的侧壁至少与第二导电类型基区绝缘隔离，基于第二导电类型导电多晶硅体的下端部与第二导电类型基区的接触界面形成异质结；第二导电类型导电多晶硅体与有源区上方的源极金属欧姆接触，且源极金属与所述异质结单元所在的第二导电类型基区欧姆接触。本发明专利技术能加快载流子的抽取速度，减少关断损耗，可改善功率器件的关断特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种sic功率器件及制备方法，尤其是一种具有异质结的沟槽型sic功率器件及制备方法。

技术介绍

1、绝缘栅双极型晶体管(igbt)作为新一代的电力电子器件，因其结合了场效应晶体管(mosfet)和双极结晶型晶体管(bjt)的优点，既具有mosfet易于驱动、输入阻抗低、开关速度快的优点，又具有bjt通态电流密度大、导通压降低、损耗小、稳定性好的优点，因而发展成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，被广泛应用于交通、通信、家用电器及航空航天各个领域，极大地改善了电力电子系统的性能。

2、从igbt面世以来的30多年间，如何降低igbt的开关损耗，改善器件的导通压降和关断损耗的折中关系，一直是人们研究的重点。igbt从第一代的平面栅穿通型igbt(pt-igbt)到第六代的场阻止型沟槽igbt(fst-igbt)，研究人员通过不断改进igbt的正面结构和背面结构，以使得igbt的性能不断得到提升，然而，对于第六代fst-igbt，其性能仍然可以进一步改进，在此基础上，第七代沟槽电荷存储型igbt(cst-igbt)被专利技术出来。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有异质结的沟槽型SiC功率器件，其特征是，所述SiC功率器件包括：

2.根据权利要求1所述的具有异质结的沟槽型SiC功率器件，其特征是：在元胞内，还包括设置于第二导电类型基区内的第一导电类型载流子存储层，其中，

3.根据权利要求2所述的具有异质结的沟槽型SiC功率器件，其特征是：第二导电类型第一子基区的深度与第二导电类型第二子基区的深度相一致，其中，

4.根据权利要求1所述的具有异质结的沟槽型SiC功率器件，其特征是：在元胞沟槽每侧的第二导电类型基区内设置异质结沟槽，其中，

5.根据权利要求4所述的具有异质结的沟槽型SiC功率器件...

【技术特征摘要】

1.一种具有异质结的沟槽型sic功率器件，其特征是，所述sic功率器件包括：

2.根据权利要求1所述的具有异质结的沟槽型sic功率器件，其特征是：在元胞内，还包括设置于第二导电类型基区内的第一导电类型载流子存储层，其中，

3.根据权利要求2所述的具有异质结的沟槽型sic功率器件，其特征是：第二导电类型第一子基区的深度与第二导电类型第二子基区的深度相一致，其中，

4.根据权利要求1所述的具有异质结的沟槽型sic功率器件，其特征是：在元胞沟槽每侧的第二导电类型基区内设置异质结沟槽，其中，

5.根据权利要求4所述的具有异质结的沟槽型sic功率器件，其特征是：在元胞沟槽每侧的第二导电类型基区内，还设置第一导电类型源区以及第二导电类型源区，其中，

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭振峰，王万，李娜，柴晨凯，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：