温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种具有异质结的沟槽型SiC功率器件及制备方法。其包括：SiC基板以及有源区，对任一元胞，包括元胞沟槽、第二导电类型基区以及异质结单元组，其中，异质结单元组包括异质结单元；异质结单元至少包括第二导电类型导电多晶硅体，所述第二导电类...
该专利属于江苏索力德普半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏索力德普半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。