【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体装置的寿命诊断装置以及电力变换装置。
技术介绍
1、日本特开2010-81796号公报(专利文献1)公开了对在半导体装置中使用的半导体模块内的半导体元件的电极与半导体模块的端子之间的接合部的劣化进行诊断的技术。在该技术中，测量半导体模块的多个端子之间的电压，根据所测量的电压的经时变化和预先决定的诊断基准的比较结果来推测接合部的劣化的程度，预测半导体装置的剩余寿命。
2、现有技术文献
3、专利文献1：日本特开2010-81796号公报
技术实现思路
1、一般而言，即使多个半导体模块的规格相同，在该多个半导体模块的特性中也存在个体差。因此，在专利文献1公开的技术中，在将与某个半导体模块的特性对应的电压的经时变化用作诊断基准的情况下，存在错误地诊断使用了其它半导体模块的半导体装置的剩余寿命的可能性。即，在专利文献1公开的技术中，半导体模块的特性的个体差未被排除，所以剩余寿命的诊断精度低。
2、本公开是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够高精度地诊断半导体装置的剩余寿命的寿命诊断装置以及电力变换装置。
3、本公开的一个方面的寿命诊断装置诊断半导体装置的寿命。寿命诊断装置具备第1电压测量器、第2电压测量器以及诊断部。第1电压测量器测量和搭载于半导体装置的半导体元件的第1电极连接的第1端子与和半导体元件的第2电极连接的第2端子之间的第1电压。第2电压测量器测量第2端子与连接于第2电极的第3端子之间的第2电压。诊断部使
4、根据本公开，为了诊断寿命而利用第1电压的经时变化和第2电压的经时变化的相关值。针对包括半导体元件、第1端子、第2端子以及第3端子的半导体模块的每个个体，第1电压的经时变化以及第2电压的经时变化有偏差。然而，半导体模块的每个个体的相关值的经时变化的偏差小。因此，能够进行排除了半导体模块的个体差的影响的、高精度的寿命诊断。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种寿命诊断装置，诊断半导体装置的寿命，其中，所述寿命诊断装置具备：
2.根据权利要求1所述的寿命诊断装置，其中，
3.根据权利要求2所述的寿命诊断装置，其中，
4.根据权利要求2所述的寿命诊断装置，其中，
5.根据权利要求2至4中的任意一项所述的寿命诊断装置，其中，
6.根据权利要求2至4中的任意一项所述的寿命诊断装置，其中，
7.一种电力变换装置，具备：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种寿命诊断装置，诊断半导体装置的寿命，其中，所述寿命诊断装置具备：
2.根据权利要求1所述的寿命诊断装置，其中，
3.根据权利要求2所述的寿命诊断装置，其中，
4.根据权利要求...
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