【技术实现步骤摘要】
本技术属于铜箔，尤其涉及一种高稳定的导电铜箔。
技术介绍
1、铜箔是一种阴质性电解材料，沉淀于电路板基底层上的一层薄的、连续的金属箔，它作为pcb的导电体。它容易粘合于绝缘层，接受印刷保护层，腐蚀后形成电路图样。铜箔具有低表面氧气特性，可以附着与各种不同基材，如金属，绝缘材料等，拥有较宽的温度使用范围。
2、公告号为cn210065631u的中国专利公开了一种导电铜箔，多个所述第一延展部和多个所述第一凹陷部依次交错设置，每个所述第一延展部上具有多个凸起，每个所述凸起的外侧壁上具有多个通孔，多个所述第二延展部和多个所述第二凹陷部依次交错设置，每个所述第二凹陷部与每个所述第一凹陷部相对设置形成球形空腔，每个所述第二延展部上具有多个凹槽，每个所述凹槽与每个所述凸起相互契合，所述导热硅胶层填充至每个所述凹槽、每个所述通孔的内部以及每个所述第一凹陷部与每个所述第二凹陷部的球形空腔内，所述第一导电胶层与所述铜基层粘接。
3、上述的导电铜箔达到提高了铜箔的韧性和散热性的目的。但是该铜箔导电性能不很好，在对铜箔进行使用时会经常出现短路断电的现象，从而影响铜箔的使用。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种高稳定的导电铜箔，旨在解决现有技术中“铜箔导电性能不很好，在对铜箔进行使用时会经常出现短路断电的现象，从而影响铜箔的使用”的技术问题。
2、为实现上述目的，本技术实施例提供一种高稳定的导电铜箔，包括导电铜箔本体，所述导电铜箔本体包括第一导电铜箔和第二导电铜箔
3、所述第一导电铜箔包括第一铜基材，所述第一铜基材表面设置有上导电传输层，所述上导电传输层内设置有若干个上导电涂层，所述上导电传输层表面贴附有上屏蔽层，所述上屏蔽层上表面设置有上离型层；
4、所述第二导电铜箔包括第二铜基材，所述第二铜基材下表面设置有下导电传输层，所述下导电传输层内设置有若干个下导电涂层，所述下导电传输层下表面贴附有下屏蔽层，所述下屏蔽层下表面设置有下离型层。
5、可选地，所述第一导电铜箔设置于所述第二导电铜箔上方，且所述第一导电铜箔与所述第二导电铜箔的厚度均为4μm-7μm。
6、可选地，所述凸块与所述凹槽的宽度相同，所述凸块嵌入所述凹槽内实现所述第一导电铜箔卡接于所述第二导电铜箔上方。
7、可选地，所述凸块的数量与所述凹槽的数量一致，且若干个所述凸块沿所述第一导电铜箔的长边方向等间距分布，若干个所述凹槽沿所述第二导电铜箔的长边方向等间距分布。
8、可选地，若干所述上导电涂层沿所述上导电传输层的长边方向等间距分布，相邻的两个所述上导电涂层之间设置有上电荷分离带。
9、可选地，若干所述下导电涂层沿所述下导电传输层的长边方向等间距分布，相邻的两个所述下导电涂层之间设置有下电荷分离带。
10、可选地，所述上离型层的内壁尺寸与所述上屏蔽层的外壁尺寸相匹配，所述上离型层与所述上屏蔽层粘性连接。
11、可选地，所述下离型层的内壁尺寸与所述下屏蔽层的外壁尺寸相匹配，所述下离型层与所述下屏蔽层粘性连接。
12、可选地，所述上离型层和所述下离型层均为pe膜，且所述上离型层和所述下离型层厚度为2～3μm。
13、可选地，所述第一导电铜箔与所述第二导电铜箔两侧壁均设置有防护片，所述防护片与所述第一导电铜箔与所述第二导电铜箔粘性连接。
14、本技术实施例提供的高稳定的导电铜箔中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一：
15、本技术实施例提供的高稳定的导电铜箔，通过所述上屏蔽层、所述屏蔽层的设置，能够实现对电磁干扰的屏蔽，使得铜箔不易受外部信号影响，出现不稳定隐性故障问题。且通过在所述上导电传输层、所述下导电传输层内部分别填充导电效果较好的所述上导电涂层和所述下导电涂层，铜箔内部的带电离子能够经所述上导电涂层转、所述下导电涂层移至铜箔电路连接位置，并且相邻所述上导电涂层之间设置有所述上电荷分离带，相邻所述下导电涂层之间设置有所述下电荷分离带，能够将铜箔不同区域的电荷相互分隔，从而减少铜箔在连接电路时出现短路断电的情况，以此方式通过减少出现短路断电的方式增加了铜箔自身的导电性能，使得铜箔能够稳定的传输。
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1.一种高稳定的导电铜箔，包括导电铜箔本体，其特征在于，所述导电铜箔本体包括第一导电铜箔和第二导电铜箔，所述第一导电铜箔底面一体成型有若干个凸块，所述第二导电铜箔表面成型有与所述凸块配合的凹槽；
2.根据权利要求1所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述第一导电铜箔设置于所述第二导电铜箔上方，且所述第一导电铜箔与所述第二导电铜箔的厚度均为4μm-7μm。
3.根据权利要求2所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述凸块与所述凹槽的宽度相同，所述凸块嵌入所述凹槽内实现所述第一导电铜箔卡接于所述第二导电铜箔上方。
4.根据权利要求3所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述凸块的数量与所述凹槽的数量一致，且若干个所述凸块沿所述第一导电铜箔的长边方向等间距分布，若干个所述凹槽沿所述第二导电铜箔的长边方向等间距分布。
5.根据权利要求1-4任一项所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，若干所述上导电涂层沿所述上导电传输层的长边方向等间距分布，相邻的两个所述上导电涂层之间设置有上电荷分离带。
6.根据权利要求1-4任一项所述的高稳定的导电
7.根据权利要求1-4任一项所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述上离型层的内壁尺寸与所述上屏蔽层的外壁尺寸相匹配，所述上离型层与所述上屏蔽层粘性连接。
8.根据权利要求7所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述下离型层的内壁尺寸与所述下屏蔽层的外壁尺寸相匹配，所述下离型层与所述下屏蔽层粘性连接。
9.根据权利要求8所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述上离型层和所述下离型层均为PE膜，且所述上离型层和所述下离型层厚度为2～3μm。
10.根据权利要求1-4任一项所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述第一导电铜箔与所述第二导电铜箔两侧壁均设置有防护片，所述防护片与所述第一导电铜箔与所述第二导电铜箔粘性连接。
...【技术特征摘要】
1.一种高稳定的导电铜箔，包括导电铜箔本体，其特征在于，所述导电铜箔本体包括第一导电铜箔和第二导电铜箔，所述第一导电铜箔底面一体成型有若干个凸块，所述第二导电铜箔表面成型有与所述凸块配合的凹槽；
2.根据权利要求1所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述第一导电铜箔设置于所述第二导电铜箔上方，且所述第一导电铜箔与所述第二导电铜箔的厚度均为4μm-7μm。
3.根据权利要求2所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述凸块与所述凹槽的宽度相同，所述凸块嵌入所述凹槽内实现所述第一导电铜箔卡接于所述第二导电铜箔上方。
4.根据权利要求3所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，所述凸块的数量与所述凹槽的数量一致，且若干个所述凸块沿所述第一导电铜箔的长边方向等间距分布，若干个所述凹槽沿所述第二导电铜箔的长边方向等间距分布。
5.根据权利要求1-4任一项所述的高稳定的导电铜箔，其特征在于，若干所述上导电涂层沿所述上导电传输层的长边方向等间距分布，相邻的两...
【专利技术属性】
技术研发人员：李智，
申请(专利权)人：东莞市智元新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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