【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于处理衬底的设备，尤其涉及能够自动调整配方参数的设备。
技术介绍
1、衬底处理的配方可以决定反应室中的沉积。为了将衬底厚度固定并保持在目标值，衬底反应室的用户或操作者可以定期调整配方中的特定参数(等离子体功率、周期、温度等)。
2、然而，如果操作者可以手动改变参数，不仅不方便和缓慢，而且可能存在人为因素的误差。
3、本公开可以提供一种调整配方以确保衬底质量的方法。
技术实现思路
1、根据一实施例，可以提供一种衬底处理设备，包括配置为保持衬底的反应室、根据配方在衬底上沉积层的沉积系统以及自动沉积补偿系统。自动补偿系统可以包括计算器，该计算器被编程为：根据在反应室中运行的配方，计算由沉积系统沉积在反应室内部的累积层厚度(x)，并且根据累积层厚度(x)，计算偏移值(y),并且自动沉积补偿系统可以连接到沉积系统，以用偏移值(y)调整沉积系统运行的配方。
2、一方面，可以用偏移值(y)调整配方，并且偏移值(y)可以从选自线性、二次、三次或更高阶方程的方
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1.一种衬底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述配方用所述偏移值(y)来调整，并且偏移值(y)是从选自线性、二次、三次及更高阶方程的方程中导出的。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述偏移值(y)由三次方程导出：
4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述设备是设置有等离子体发生器的等离子体增强沉积设备，并且使用三次方程来调整等离子体发生器的等离子体功率。
5.根据权利要求3所述的设备，其中，所述设备设置有用户界面，所述用户界面可操作地连接到所述自动沉积补偿系统，并且被编程为使得值a、b、c和d可...
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述配方用所述偏移值(y)来调整，并且偏移值(y)是从选自线性、二次、三次及更高阶方程的方程中导出的。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述偏移值(y)由三次方程导出：
4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述设备是设置有等离子体发生器的等离子体增强沉积设备，并且使用三次方程来调整等离子体发生器的等离子体功率。
5.根据权利要求3所述的设备，其中，所述设备设置有用户界面，所述用户界面可操作地连接到所述自动沉积补偿系统，并且被编程为使得值a、b、c和d可以通过用户界...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·吴，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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