【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种存储器装置和该存储器装置的制造方法，更具体地，涉及一种包括铁电随机存取存储器单元的存储器装置和该存储器装置的制造方法。
技术介绍
1、存储器装置可以分类为当电源中断时存储的数据消失的易失性存储器装置或者即使当电源中断时存储的数据仍被保留的非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置可以是nand闪存存储器、nor闪存存储器、电阻式随机存取存储器、相变随机存取存储器、磁阻式随机存取存储器、铁电随机存取存储器、自旋转移力矩随机存取存储器等。
3、铁电随机存取存储器(fram)单元可以将具有铁电特性的材料用于数据存储层。例如，可以在数据存储层的晶粒(grain)中形成畴(domain)，并且可以在畴中发生自发极化。因此，当构成数据存储层的晶粒的尺寸改变时，畴的尺寸也可能改变。当畴的尺寸改变时，fram单元的阈值电压分布可能改变。
技术实现思路
1、实施方式提供一种存储器装置和该存储器装置的制造方法，其能够改善铁电随机存取存储器单元的阈值电压分布。>
2、根据本公本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个铁电层由PbZrTiO3、SrBi2Ta2O9、BiFeO3、HfO2、HfO2ZrO2和HfSiO4中的至少一种材料形成。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个铁电层包括：
4.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括形成在所述多个铁电层中的两个铁电层之间的晶体控制层。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述晶体控制层由非晶绝缘层形成。
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个铁电层由pbzrtio3、srbi2ta2o9、bifeo3、hfo2、hfo2zro2和hfsio4中的至少一种材料形成。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个铁电层包括：
4.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括形成在所述多个铁电层中的两个铁电层之间的晶体控制层。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述晶体控制层由非晶绝缘层形成。
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述晶体控制层由非晶氧化硅层或非晶氧化铝层形成。
7.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个铁电层中的每一个由pbzrtio3、srbi2ta2o9、bifeo3、hfo2、hfo2zro2和hfsio4中的至少一种材料形成。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成包括所述多个铁电层的所述数据存储层的步骤包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述形成包括所述多个铁电层的所述数据存储层的步骤还包括在所述第二铁电层上顺序地形成一个或更多个铁电层的步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹盛铉，金大炫，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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