【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书整体涉及线性位置感测。更具体地，一些示例涉及用于感应线性位置感测的一个或多个感测线圈，但不限于此。另外，一些示例涉及用于感应线性位置感测的目标，但不限于此。另外，公开了设备、系统和方法。
技术介绍
1、如果导线线圈被放置在变化的磁场中，则电压将在导线线圈的端部被感应。在可预测地变化的磁场中，感应电压将是可预测的(基于包括受磁场影响的线圈的面积和磁场的变化程度的因素)。可以干扰可预测地变化的磁场并且测量在导线线圈中感应的电压的所得变化。此外，可创建基于在一个或多个导线线圈中感应的电压的变化来测量可预测地变化的磁场的干扰器的移动的传感器。
2、一些传感器包括被布置在支撑结构上和/或支撑结构中的感测线圈(例如，作为印刷电路板(pcb)中的导线的感测线圈)。如何布置感测线圈可确定传感器对干扰器的移动的敏感程度。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一路径部分是大致矩形形状并且所述第二路径部分是大致矩形形状。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一路径部分限定两个或更多个向内螺旋回路，并且所述第二路径部分限定两个或更多个向外螺旋回路。
4.一种装置，所述装置包括：
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一路径部分、所述第二路径部分、所述第三路径部分和所述第四路径部分中的每一者均为大致矩形形状。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一路径部分和所述第三路径部分中的每一者限定两个或更多个向内螺旋回路，并且所述第二路径部分和所述第四路径部分中的每一者限定两个或更多个向外螺旋回路。
7.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一路径部分被布置在所述支撑结构的第一部分处，其中所述第三路径部分被布置在所述支撑结构的与所述支撑结构的所述第一部分相对的第二部分处，并且其中所述第二路径部分和所述第四路径部分被布置在所述第一部分与所述第二部分之间。
8.根据权利要求4所述的装置，其中所述
9.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一路径部分、所述第二路径部分、所述第三路径部分和所述第四路径部分中的每一者在第一横向维度上具有宽度，并且其中所述第二路径部分和所述第四路径部分中的每一者在第二横向维度上具有长度，所述长度是所述第一路径部分和所述第三路径部分中的每一者在所述第二横向维度上的长度的大致两倍。
10.根据权利要求4所述的装置，其中所述导电材料包括第一导电材料并且其中所述连续路径包括第一连续路径，所述装置包括：
11.根据权利要求4所述的装置，其中所述导电材料包括第一导电材料，并且其中所述连续路径包括第一连续路径，所述装置包括：第二导电材料，所述第二导电材料被布置在所述支撑结构处以限定用于电流在第三位置与第四位置之间流动的第二连续路径，其中：
12.根据权利要求4所述的装置，所述装置包括目标，所述目标被配置为在所述第一路径部分、所述第二路径部分、所述第三路径部分和所述第四路径部分上以大致直线路径移动。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述目标的最靠近所述支撑结构的一部分具有半圆形轮廓。
14.一种装置，所述装置包括：
15.根据权利要求14所述的线性位置传感器，其中所述目标具有圆形轮廓。
16.根据权利要求15所述的线性位置传感器，其中当所述目标沿着所述大致直线路径移动时，所述目标围绕由所述大致直线路径限定的轴线旋转。
17.根据权利要求14所述的线性位置传感器，其中所述第二感测线圈的所述两个大致矩形的凸角中的一者在所述大致直线路径的方向上具有长度，并且所述目标在所述大致直线路径的所述方向上具有介于所述长度的一半和所述长度之间的厚度。
18.根据权利要求14所述的线性位置传感器，其中所述两个大致矩形的凸角、所述三个大致矩形的凸角和所述目标中的每一者在垂直于所述大致直线路径的方向的维度上具有相同的宽度。
19.根据权利要求14所述的线性位置传感器，其中所述两个大致矩形的凸角在所述大致直线路径的方向上具有组合长度，并且其中所述三个大致矩形的凸角在所述大致直线路径的所述方向上具有相同的组合长度。
20.根据权利要求14所述的线性位置传感器，其中所述两个大致矩形的凸角中的每一者在所述大致直线路径的方向上具有相同的长度，其中所述三个大致矩形的凸角中的一者在所述大致直线路径的所述方向上具有相同的长度，并且所述三个大致矩形的凸角中的另外两者在所述大致直线路径的所述方向上具有所述相同的长度的一半。
21.根据权利要求14所述的线性位置传感器，所述线性位置传感器包括被布置在所述支撑结构处的振荡器线圈，所述振荡器线圈具有大致矩形形状。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一路径部分是大致矩形形状并且所述第二路径部分是大致矩形形状。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一路径部分限定两个或更多个向内螺旋回路，并且所述第二路径部分限定两个或更多个向外螺旋回路。
4.一种装置，所述装置包括：
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一路径部分、所述第二路径部分、所述第三路径部分和所述第四路径部分中的每一者均为大致矩形形状。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一路径部分和所述第三路径部分中的每一者限定两个或更多个向内螺旋回路，并且所述第二路径部分和所述第四路径部分中的每一者限定两个或更多个向外螺旋回路。
7.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一路径部分被布置在所述支撑结构的第一部分处，其中所述第三路径部分被布置在所述支撑结构的与所述支撑结构的所述第一部分相对的第二部分处，并且其中所述第二路径部分和所述第四路径部分被布置在所述第一部分与所述第二部分之间。
8.根据权利要求4所述的装置，其中所述第二路径部分的向外螺旋回路位于所述第四路径部分的两个向外螺旋回路之间，并且所述第四路径部分的向外螺旋回路位于所述第二路径部分的两个向外螺旋回路之间。
9.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一路径部分、所述第二路径部分、所述第三路径部分和所述第四路径部分中的每一者在第一横向维度上具有宽度，并且其中所述第二路径部分和所述第四路径部分中的每一者在第二横向维度上具有长度，所述长度是所述第一路径部分和所述第三路径部分中的每一者在所述第二横向维度上的长度的大致两倍。
10.根据权利要求4所述的装置，其中所述导电材料包括第一导电材料并且其中所述连续路径包括第一连续路径，所述装置包括：
11.根据权利要求4所述的装置，其中所述导电材料包括第一导电材料，并且其中所述连续路径包括第一连续路径，所述装置包括：第二导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·沙加，S·阿基纳，S·普塔布迪，
申请(专利权)人：微芯片技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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