半导体芯片和构件制造技术

本发明专利技术指定了一种具有结构化芯片背面(RS)的半导体芯片(LD)，其中，芯片背面被设置为用于半导体芯片(LD)的电连接和热连接，其中，半导体芯片(LD)具有发射区域(E)，该发射区域(E)被设置用于产生电磁辐射(L)，并且其中，结构化的芯片背面(RS)具有连接盘(AP)，该连接盘(AP)被设置用于发射区域(E)的电连接。连接盘(AP)是p接触点或n接触点，其中，所有被构造成p接触点或者被构造成n接触点的连接盘(AP)在平面图中各自与发射区域(E)中的至少两个重叠并且各自被设置用于电连接发射区域(E)中的仅一个。此外，指定了一种构件(100)特别具有至少一个这样的半导体芯片(LD)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术指定了一种半导体芯片。此外，本专利技术还指定了构件。

技术介绍

1、半导体芯片或大量半导体芯片通常固定在外部载体上，例如固定在标准化的芯片基底上，并且与其以导电或导热的方式连接。在许多情况下，需要半导体芯片的均匀的热连接和电连接。在许多情况下，在半导体芯片或在一个半导体芯片的发射辐射的区域之间的小的节距距离，比方说，发射极距离是期望的。

技术实现思路

1、本专利技术目的在于，指定一种基于电连接和热连接具有改进特性和/或具有小节距距离或发射极距离的半导体芯片和构件。

2、该目的通过根据独立权利要求的半导体芯片和构件来解决。半导体和构件的另外的设计方案和进一步的改进方案是从属权利要求的主题。

3、在半导体芯片的至少一个实施例中，其具有结构化芯片背面，该芯片背面设置有用于半导体芯片电连接和热连接。

4、在半导体的至少另一个结构型式中，其具有结构化的芯片背面，该芯片背面设置用于半导体芯片的电连接和热连接。半导体芯片具有发射区域，该区域被设置用于产生电磁辐射。结构化的芯片背本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体芯片(LD)，具有结构化的芯片背面(RS)，所述芯片背面设置用于所述半导体芯片(LD)的电连接和热连接，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体芯片(LD)，所述半导体芯片具有芯片正面(VS)和侧面(LS)，其中，

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片(LD)，其中，被构造成所述p接触点或者所述n接触点的所有所述连接盘(AP)在平面图中各自与三个、四个或与所有所述半导体芯片(LD)的所述发射区域(E)重叠。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片(LD)，其中，所述连接盘(AP)是所述p接触点，并且所述半导体芯片(LD)除了具...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体芯片(ld)，具有结构化的芯片背面(rs)，所述芯片背面设置用于所述半导体芯片(ld)的电连接和热连接，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体芯片(ld)，所述半导体芯片具有芯片正面(vs)和侧面(ls)，其中，

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片(ld)，其中，被构造成所述p接触点或者所述n接触点的所有所述连接盘(ap)在平面图中各自与三个、四个或与所有所述半导体芯片(ld)的所述发射区域(e)重叠。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片(ld)，其中，所述连接盘(ap)是所述p接触点，并且所述半导体芯片(ld)除了具有被构造成所述p接触点的所述连接盘(ap)外还具有其他连接盘(wa)，其中，所述其他连接盘(wa)形成所述半导体芯片(ld)的所述n接触点，并且其中，所述半导体芯片(ld)的所述p接触点和所述n接触点位于相同的接触平面上。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片(ld)，所述半导体芯片具有带所述发射区域(e)的半导体主体(hl)、电分布层(us)和绝缘层(ip)，其中，

6.根据前一权利要求所述的半导体芯片(ld)，其中，在所述绝缘层(ip)中布置有大量所述镀通孔(v)，其中，所述电分布层(us)经由大量所述镀通孔(v)与多个所述连接盘(ap)导电地连接。

7.根据权利要求5至6中任一项所述的半导体芯片(ld)，其中，所述绝缘层(ip)在所述电分布层(us)与所述芯片背面(rs)之间形成所述半导体芯片(ld)的单独绝缘平面。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体芯片(ld)，具有大量所述连接盘(ap)和所述镀通孔(v)，其中，

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体芯片(ld)，所述半导体芯片除了具有所述连接盘(ap)外还具有其他连接盘(wa)，其中，所述连接盘(ap)和所述其他连接盘(wa)形成所述半导体芯片(ld)的所述p接触点和所述n接触点，其中，所述半导体芯片(ld)的所述p接触点和所述n接触点位于相同的接触平面上。

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【专利技术属性】
技术研发人员：约尔格·埃里克·佐尔格，埃里克·海涅曼，安德烈·萨默斯，托马斯·基普斯，塞巴斯蒂安·施莱格尔，马蒂亚斯·海德曼，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：