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本发明指定了一种具有结构化芯片背面(RS)的半导体芯片(LD)，其中，芯片背面被设置为用于半导体芯片(LD)的电连接和热连接，其中，半导体芯片(LD)具有发射区域(E)，该发射区域(E)被设置用于产生电磁辐射(L)，并且其中，结构化的芯片背...
该专利属于艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司授权不得商用。

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