【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路测试，具体涉及一种nand flash颗粒模拟装置、读写方法和系统。
技术介绍
1、在数据安全方面，由于nand flash存储颗粒本身的原理以及特性所限，在读、写及擦的操作过程中，随着使用寿命和使用环境的变化，nand flash存储颗粒特性呈现出很多随机的变化。nand flash控制器是由控制芯片加上里面的固件实现对nand flash存储颗粒的性能以及nand flash颗粒错误进行管理，保证整个存储产品的性能和数据可靠性。但由于nand flash存储颗粒错误的随机性以及测试周期过长，很难达到nand flash控制器的全面有效的测试。因此，nand flash存储颗粒及其控制器需要进行适当的测试流程。在对nandflash控制器进行测试时需要挂载nand flash颗粒，通过对nand颗粒的写读等操作判断nand flash控制器功能是否正确。
2、在构思及实现本申请过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：在测试过程中需要使用nand flash颗粒，同时测试功能也需要存储颗粒支持才行。如待测试nandflash控制器支持2400mhz的工作频率，而nand flash颗粒不支持2400mhz的工作频率，则无法使用该方式进行测试。另外，在nand flash标准迭代更新之后，新增功能在下一代flash颗粒上才会实现。此时没有对应的颗粒进行测试验证nand flash控制器新增功能。
技术实现思路
1、为了缓解以上问题，本申请提供一
2、存储颗粒模拟器，连接nand flash控制器；
3、控制主机，连接所述存储颗粒模拟器；
4、所述存储颗粒模拟器包括控制单元、接口单元和时序控制单元；所述控制单元连接所述时序控制单元，所述接口单元连接所述控制单元和所述控制主机，所述时序控制单元连接所述nand flash控制器。
5、可选地，所述存储颗粒模拟器还包括接口驱动单元，所述接口驱动单元与所述nand flash控制器连接。
6、可选地，所述时序控制单元通过所述接口驱动单元连接所述nand flash控制器。
7、可选地，所述时序控制单元包括以下至少一项；
8、接收单元，通过所述接口驱动单元连接所述nand flash控制器；
9、发送单元，通过所述接口驱动单元连接所述nand flash控制器；
10、时序参数寄存器，用于保存所述驱动信号之间的时序关系参数。
11、可选地，所述存储颗粒模拟器还包括命令解析单元，所述命令解析单元分别与所述控制单元和所述时序控制单元连接。
12、可选地，所述命令解析单元包括命令序列检测单元和激励响应列表；
13、所述命令序列检测单元与所述时序控制单元连接；
14、所述激励响应列表，用于存储每种操作命令对应的响应操作；和/或，
15、所述激励响应列表包括命令激励序列和命令响应序列；
16、所述命令激励序列由所述操作命令组成，所述命令响应序列由所述响应操作组成。
17、可选地，所述存储颗粒模拟器还包括存储单元，所述存储单元分别与所述命令解析单元和所述控制单元连接。
18、本申请还提供一种nand flash颗粒模拟写方法，应用于如上述的nand flash颗粒模拟装置的存储颗粒模拟器，所述存储颗粒模拟器包括控制单元、接口单元、命令解析单元、接口驱动单元、存储单元和时序控制单元；所述nand flash颗粒模拟写方法包括：
19、所述控制单元控制所述命令解析单元设置激励响应列表，其中，命令激励序列设置为flash写操作指令，命令响应序列设置为数据接收操作；
20、响应于所述nand flash控制器发送flash写操作指令，所述接口驱动单元发送nand flash控制接口信号至所述时序控制单元以调节信号时序关系，所述命令解析单元基于所述flash写操作指令，检测所述激励响应列表；
21、所述命令解析单元执行所述命令响应序列设置的数据接收操作，提取所述flash写操作指令中的目标数据，并基于所述存储颗粒模拟器配置的第一预设起始地址，存储所述目标数据至所述存储单元；
22、所述命令解析单元取存储的目标数据，并通过所述接口单元发送至所述控制主机进行数据验证。
23、本申请还提供一种nand flash颗粒模拟读方法，应用于如上述的nand flash颗粒模拟装置的存储颗粒模拟器，所述存储颗粒模拟器包括控制单元、接口单元、命令解析单元、接口驱动单元、存储单元和时序控制单元；所述nand flash颗粒模拟读方法包括：
24、所述控制单元在第二预设起始地址写入返回数据，并控制所述命令解析单元设置激励响应列表，其中，命令响应序列设置为flash读操作指令，命令响应序列设置为数据发送操作；
25、响应于所述nand flash控制器发送flash读操作指令，所述接口驱动单元发送nand flash控制接口信号至所述时序控制单元以调节信号时序关系，所述命令解析单元基于所述flash读操作指令，检测所述激励响应列表；
26、所述命令解析单元基于配置的所述第二预设起始地址，从所述存储单元读取所述返回数据；
27、所述命令解析单元将数据发送操作和所述返回数据发送至所述时序控制单元，以基于所述信号时序关系，将所述返回数据通过所述接口驱动单元发送至所述nand flash控制器；
28、所述命令解析单元通过所述接口驱动单元接收所述nand flash控制器返回的读取结果，并通过所述接口单元发送至所述控制主机进行数据验证。
29、本申请还提供一种nand flash颗粒模拟系统，包括互相连接的nand flash控制器和如上述的nand flash颗粒模拟装置。
30、本申请还提供一种nand flash颗粒模拟系统，所述nand flash颗粒模拟系统包括存储器和处理器，其中，所述存储器上存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如上述的nand flash颗粒模拟写操作方法的步骤。
31、本申请还提供一种nand flash颗粒模拟系统，所述nand flash颗粒模拟系统包括存储器和处理器，其中，所述存储器上存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如上述的nand flash颗粒模拟读操作方法的步骤。
32、如上所述，本申请提供的nand flash颗粒模拟装置、读写方法和系统，存储颗粒模拟器，连接nand flash控制器，用于模拟实现nand flash颗粒功能，控制主机，连接所述存储颗粒模拟器；所述存储颗粒模拟器包括控制单元、接口单元和时序控制单元；所述控制本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种NAND Flash颗粒模拟装置，其特征在于，应用于NAND Flash控制器的测试，所述NAND Flash颗粒模拟装置包括：
2.如权利要求1所述的NAND Flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述存储颗粒模拟器还包括接口驱动单元，所述接口驱动单元与所述NAND Flash控制器连接。
3.如权利要求2所述的NAND Flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述时序控制单元通过所述接口驱动单元连接所述NAND Flash控制器。
4.如权利要求1所述的NAND Flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述时序控制单元包括以下至少一项；
5.如权利要求2-4任一项所述的NAND Flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述存储颗粒模拟器还包括命令解析单元，所述命令解析单元分别与所述控制单元和所述时序控制单元连接。
6.如权利要求5所述的NAND Flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述命令解析单元包括命令序列检测单元和激励响应列表；
7.如权利要求6所述的NAND Flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述存储颗
8.一种NAND Flash颗粒模拟写方法，其特征在于，应用于如权利要求1-7任一项所述的NAND Flash颗粒模拟装置的存储颗粒模拟器，所述存储颗粒模拟器包括控制单元、接口单元、命令解析单元、接口驱动单元、存储单元和时序控制单元；所述NAND Flash颗粒模拟写方法包括：
9.一种NAND Flash颗粒模拟读方法，其特征在于，应用于如权利要求1-7任一项所述的NAND Flash颗粒模拟装置的存储颗粒模拟器，所述存储颗粒模拟器包括控制单元、接口单元、命令解析单元、接口驱动单元、存储单元和时序控制单元；所述NAND Flash颗粒模拟读方法包括：
10.一种NAND Flash颗粒模拟系统，其特征在于，所述NAND Flash颗粒模拟系统包括互相连接的NAND Flash控制器和如权利要求1-7任一项所述的NAND Flash颗粒模拟装置；
...【技术特征摘要】
1.一种nand flash颗粒模拟装置，其特征在于，应用于nand flash控制器的测试，所述nand flash颗粒模拟装置包括：
2.如权利要求1所述的nand flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述存储颗粒模拟器还包括接口驱动单元，所述接口驱动单元与所述nand flash控制器连接。
3.如权利要求2所述的nand flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述时序控制单元通过所述接口驱动单元连接所述nand flash控制器。
4.如权利要求1所述的nand flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述时序控制单元包括以下至少一项；
5.如权利要求2-4任一项所述的nand flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述存储颗粒模拟器还包括命令解析单元，所述命令解析单元分别与所述控制单元和所述时序控制单元连接。
6.如权利要求5所述的nand flash颗粒模拟装置，其特征在于，所述命令解析单元包括命令序列检测单元和激励响应列表；
7.如权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆震熙，
申请(专利权)人：深圳大普微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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