System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() AR膜、元件及设备制造技术_技高网

AR膜、元件及设备制造技术

技术编号:40296681 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-07 20:45
本发明专利技术公开了AR膜、元件及设备,其中AR膜,包括顺次设置的基材层、打底层、最外层为镀二氧化硅层的复合层、镀氧化铌层,其中,所述复合层为增透的镀氧化钛层与降反的镀二氧化硅层的组合,镀氧化铌层作为放电性调控层其厚度满足:0.1‑10nm。本发明专利技术通过优化产品的结构设计,至少在顶层优化型地加镀一层氧化铌,能在作业过程中有效地遮盖住原先因顶层氧化硅放电中产生的波动,从而避免因波动导致镀层形貌厚度等发生变化,从而整体上改善产品的质量和性能,使得产品成型具有更好的性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于电子技术,特别是关于一种ar膜、元件及设备。


技术介绍

1、现有ar膜专利或多或少存在镀层均匀性偏差的问题,均匀性偏差,会直间影响表面颜色,对产品的良率有不利影响。

2、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种ar膜、元件及设备,通过优化产品的结构设计,至少在顶层优化型地加镀一层氧化铌,能在作业过程中有效地遮盖住原先因顶层氧化硅放电中产生的波动,从而避免因波动导致镀层形貌厚度等发生变化,从而整体上改善产品的质量和性能,使得产品成型具有更好的性能稳定性。

2、为实现上述目的,本专利技术的实施例提供了ar膜,包括顺次设置的基材层、打底层、最外层为镀二氧化硅层的复合层、镀氧化铌层,其中,复合层为增透的镀氧化钛层与降反的镀二氧化硅层的组合,镀氧化铌层作为放电性调控层其厚度满足:0.1-10nm。

3、在本专利技术的一个或多个实施方式中,基材层选自pet层、pi层、tac、cop层、pc层。优选的,基材层厚度为5.7-250μm。

4、在本专利技术的一个或多个实施方式中,基材层至少一个侧面还由主要原料为丙烯酸树脂的涂布液形成有涂布层,其中:远离打底层的涂布层为第一涂布层;和/或与打底层相邻的涂布层为第二涂布层。

5、在本专利技术的一个或多个实施方式中,第二涂布层厚度为40-320nm。

6、在本专利技术的一个或多个实施方式中,第一涂布层厚度为0.3-3.9μm。

7、在本专利技术的一个或多个实施方式中,打底层选自sio2层、ti层、si层、al2o3层、mgf2层、sio层、hfo2层、sno2层、y2o3层。

8、在本专利技术的一个或多个实施方式中,复合层包括第一镀层、第一镀二氧化硅层、第二镀层、第二镀二氧化硅层;且满足第一镀层的厚度5-200nm和/或第一镀二氧化硅层的厚度10-260nm和/或第二镀层的厚度5-280nm和/或第二镀二氧化硅层的厚度50-310nm,第一镀层和/或第二镀层为镀氧化钛层或镀氧化铌层。

9、在本专利技术的一个或多个实施方式中,ar膜的最外层还形成有高温保护层,其选自pet层。

10、在本专利技术的一个或多个实施方式中,电子元件,包括主体以及形成于主体上的如前述的ar膜。

11、在本专利技术的一个或多个实施方式中,电子设备,包括机体以及设置于机体的如前述的电子元件。

12、与现有技术相比,根据本专利技术实施方式的ar膜、元件及设备,通过优化产品的结构设计,至少在顶层优化型地加镀一层氧化铌,就能遮盖住原先因顶层氧化硅放电中产生的波动(主要因为氧化硅镀层较厚,如果镀层薄,溅射功率低,也能大致控制溅射稳定性)对镀层产生的直观影响。此时虽然会在一定程度上需要在工艺过程中增加一副靶材,可能会稍微影响溅射效率,不过因为需要加镀的镀层较薄,效率影响并不算大,却能很好的优化产品的质量。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种AR膜,包括顺次设置的基材层、打底层、最外层为镀二氧化硅层的复合层、镀氧化铌层,其中,所述复合层为增透的镀氧化钛层与降反的镀二氧化硅层的组合,镀氧化铌层作为放电性调控层其厚度满足:0.1-10nm。

2.如权利要求1所述的AR膜,其特征在于,所述基材层选自PET层、PI层、TAC、COP层、PC层。

3.如权利要求2所述的AR膜,其特征在于,所述基材层至少一个侧面还由主要原料为丙烯酸树脂的涂布液形成有涂布层,其中:

4.如权利要求3所述的AR膜,其特征在于,所述第二涂布层厚度为40-320nm。

5.如权利要求3所述的AR膜,其特征在于,所述第一涂布层厚度为0.3-3.9μm。

6.如权利要求1所述的AR膜,其特征在于,所述打底层选自SiO2层、Ti层、Si层、Al2O3层、MgF2层、SiO层、HfO2层、SnO2层、Y2O3层。

7.如权利要求1所述的AR膜,其特征在于,所述复合层包括第一镀层、第一镀二氧化硅层、第二镀层、第二镀二氧化硅层;且满足第一镀层的厚度5-200nm和/或第一镀二氧化硅层的厚度10-260nm和/或第二镀层的厚度5-280nm和/或第二镀二氧化硅层的厚度50-310nm,第一镀层和/或第二镀层为镀氧化钛层或镀氧化铌层。

8.如权利要求1-7任一所述的AR膜,其特征在于,所述AR膜的最外层还形成有高温保护层,其选自PET层。

9.电子元件,包括主体以及形成于主体上的如权利要求1-8任一所述的AR膜。

10.电子设备,包括机体以及设置于机体的如权利要求9所述的电子元件。

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【技术特征摘要】

1.一种ar膜,包括顺次设置的基材层、打底层、最外层为镀二氧化硅层的复合层、镀氧化铌层,其中,所述复合层为增透的镀氧化钛层与降反的镀二氧化硅层的组合,镀氧化铌层作为放电性调控层其厚度满足:0.1-10nm。

2.如权利要求1所述的ar膜,其特征在于,所述基材层选自pet层、pi层、tac、cop层、pc层。

3.如权利要求2所述的ar膜,其特征在于,所述基材层至少一个侧面还由主要原料为丙烯酸树脂的涂布液形成有涂布层,其中:

4.如权利要求3所述的ar膜,其特征在于,所述第二涂布层厚度为40-320nm。

5.如权利要求3所述的ar膜,其特征在于,所述第一涂布层厚度为0.3-3.9μm。

6.如权利要求1所述的ar膜,其特征在于,所述打底层选自sio...

【专利技术属性】
技术研发人员:高毓康陈超王志坚陈涛赵飞
申请(专利权)人:浙江日久新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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