【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种驱动基板及其制备方法。
技术介绍
1、显示面板是以薄膜晶体管作为其对应像素单元驱动开关的显示面板，其在手机、电脑等显示装置中的应用非常广泛。目前，显示面板也越来越朝着高分辨率和高开口率的方向发展，因此薄膜晶体管窄沟道化已成为薄膜晶体管的主流发展趋势之一。
2、但是，在薄膜晶体管的实际制作过程中，由于曝光机曝光精度的限制，使得薄膜晶体管的沟道无法进一步缩窄。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种驱动基板及其制备方法，可以进一步缩窄薄膜晶体管的沟道宽度。
2、本申请实施例提供一种驱动基板，其包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
3、基板；
4、栅极，所述栅极设置所述基板上；
5、栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极和所述基板；
6、有源层，所述有源层设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧且与所述栅极重叠设置，所述有源层包括依次相连的第一接触区、沟道和第二接触区，所述沟道的宽度大于或等于0.5微米且小于2微米；
7、第一电极和第二电极，所述第一电极连接设置在所述第一接触区上，所述第二电极连接设置在所述第二接触区上。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层未被所述有源层和所述源漏金属层遮挡的部分形成有凹凸面。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动基板还包括源漏绝缘层和像素电极，所述源漏绝缘层覆盖所述源漏金属层和所述有源层和所述栅极绝
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动基板还包括掩模层、源漏绝缘层和像素电极，所述掩模层的材料为绝缘材料，所述掩模层覆盖所述源漏金属层和所述栅极绝缘层，所述掩模层上设置有镂空图案，所述镂空图案位于所述第一电极和所述第二电极之间且暴露所述有源层的沟道；
11、所述源漏绝缘层覆盖在所述掩模层远离所述基板的一侧且覆盖所述镂空图案和所述有源层的沟道，所述源漏绝缘层上设置有暴露所述第二电极的过孔，所述像素电极设置在所述源漏绝缘层上且通过所述过孔连接于所述第二电极。
12、相应的，本申请实施例还提供一种驱动基板的制备方法，其包括以下步骤：
13、在基板上形成栅极；
14、在所述栅极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层还覆盖所述基板；
15、在所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧形成图案化的有源层，所述有源层与所述栅极重叠设置，所述有源层包括第一区域、中间区域和第二区域，所述中间区域连接在所述第一区域和所述第二区域之间；
16、在所述有源层上形成源漏金属层，所述源漏金属层还覆盖所述栅极绝缘层；
17、在所述源漏金属层远离所述栅极绝缘层的一侧形成图案化的光阻层，所述光阻层包括第一部分和第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，所述第一部分对应叠设于所述中间区域，所述第二部分对应叠设所述第一区域和所述第二区域；
18、以所述光阻层为掩模，图案化所述源漏金属层形成叠设在所述有源层上的源漏部分；
19、灰化所述光阻层，以去除所述第二部分、减薄所述第一部分的厚度和缩短所述第一部分的宽度；
20、在所述第一部分远离所述源漏部分的一侧形成凹凸结构；
21、在所述基板上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述栅极绝缘层、所述源漏部分和所述第一部分，所述掩模层在所述凹凸结构区域断裂形成开口；
22、去除所述第一部分和所述掩模层对应于所述第一部分的部分；
23、以所述掩模层为掩模，刻蚀所述源漏部分，形成间隔设置的第一电极和第二电极和所述有源层的沟道。
24、可选的，在本申请的一些实施例中，在所述第一部分远离所述源漏部分的一侧形成凹凸结构，包括以下步骤：
25、轰击所述栅极绝缘层，使从所述栅极绝缘层脱离的颗粒溅射至所述第一部分的表面，形成分散型的保护颗粒；
26、以所述保护颗粒为掩模，刻蚀所述第一部分，使得所述第一部分远离所述源漏部分的一侧形成凹凸结构。
27、可选的，在本申请的一些实施例中，采用氩气等离子体轰击所述栅极绝缘层，使从所述栅极绝缘层脱离的颗粒溅射至所述第一部分的表面，形成分散型的保护颗粒；
28、采用氧气刻蚀所述第一部分，使得所述第一部分远离所述源漏部分的一侧形成凹凸结构。
29、可选的，在本申请的一些实施例中，灰化所述光阻层，以去除所述第二部分、减薄所述第一部分和缩短所述第一部分的宽度的步骤中，通过调控灰化的时长，控制所述第一部分的宽度。
30、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一部分未灰化之前的宽度为第一宽度；灰化所述光阻层之后，所述第一部分的宽度为第二宽度；
31、所述第一宽度大于或等于2微米和小于或等于4微米，所述第二宽度大于或等于0.5微米和小于2微米。
32、可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层的沟道的宽度大于或等于0.5微米和小于2微米。
33、可选的，在本申请的一些实施例中，以所述掩模层为掩模，刻蚀所述源漏部分，之后还包括步骤：
34、去除所述掩模层；
35、在所述第一电极和所述第二电极上形成图案化的源漏绝缘层，所述源漏绝缘层还覆盖所述栅极绝缘层，所述源漏绝缘层还设置有过孔，所述过孔暴露所述第二电极；
36、在所述源漏绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔连接所述第二电极。
37、可选的，在本申请的一些实施例中，以所述掩模层为掩模，刻蚀所述源漏部分，之后还包括步骤：
38、保留所述掩模层，所述掩模层的材料为绝缘材料；
39、在所述掩模层上形成图案化的源漏绝缘层，所述源漏绝缘层还设置有过孔，所述过孔还贯穿所述掩模层暴露所述第二电极；
40、在所述源漏绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔连接所述第二电极。
41、本申请实施例的驱动基板及其制备方法采用在有源层上形成源漏金属层，在源漏金属层远离栅极绝缘层的一侧形成图案化的光阻层，光阻层包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，所述第一部分对应叠设于所述中间区域，所述第二部分对应叠设所述第一区域和所述第二区域；以所述光阻层为掩模，图案化所述源漏金属层形成叠设在所述有源层上的源漏部分；灰化所述光阻层，以去除所述第二部分、减薄所述第一部分和缩短所述第一部分的宽度；在所述第一部分远离所述源漏部分的一侧形成凹凸结构；在所述基板上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述栅极绝缘层、所述源漏部分和所述第一部分，所述掩模层在所述凹凸结构区域断裂形成开口；去除所述第一部分和所述掩模层对应于所述第一部分的部分；以所述掩模层为掩模，刻蚀所述源漏部分，形成间隔设置的第一电极和第二电极，且暴露所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种驱动基板，其特征在于，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述栅极绝缘层未被所述有源层和所述源漏金属层遮挡的部分形成有凹凸面。
3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括源漏绝缘层和像素电极，所述源漏绝缘层覆盖所述源漏金属层、所述有源层和所述栅极绝缘层，所述源漏绝缘层上设置有暴露所述第二电极的过孔，所述像素电极设置在所述源漏绝缘层上且通过所述过孔连接于所述第二电极。
4.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括掩模层、源漏绝缘层和像素电极，所述掩模层的材料为绝缘材料，所述掩模层覆盖所述源漏金属层和所述栅极绝缘层，所述掩模层上设置有镂空图案，所述镂空图案位于所述第一电极和所述第二电极之间且暴露所述有源层的沟道；
5.一种驱动基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，在所述第一部分远离所述源漏部分的一侧形成凹凸结构，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的驱动
8.根据权利要求5所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，灰化所述光阻层，以去除所述第二部分、减薄所述第一部分的厚度和缩短所述第一部分的宽度的步骤中，通过调控灰化的时长，控制所述第一部分的宽度。
9.根据权利要求5-8任意一项所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述第一部分未灰化之前的宽度为第一宽度；灰化所述光阻层之后，所述第一部分的宽度为第二宽度；
10.根据权利要求9所述的驱动基板的制备方法，其特征在于，所述有源层的沟道的宽度大于或等于0.5微米和小于2微米。
...【技术特征摘要】
1.一种驱动基板，其特征在于，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述栅极绝缘层未被所述有源层和所述源漏金属层遮挡的部分形成有凹凸面。
3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括源漏绝缘层和像素电极，所述源漏绝缘层覆盖所述源漏金属层、所述有源层和所述栅极绝缘层，所述源漏绝缘层上设置有暴露所述第二电极的过孔，所述像素电极设置在所述源漏绝缘层上且通过所述过孔连接于所述第二电极。
4.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括掩模层、源漏绝缘层和像素电极，所述掩模层的材料为绝缘材料，所述掩模层覆盖所述源漏金属层和所述栅极绝缘层，所述掩模层上设置有镂空图案，所述镂空图案位于所述第一电极和所述第二电极之间且暴露所述有源层的沟道；
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【专利技术属性】
技术研发人员：林钦遵，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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