【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体涉及一种砷化镓基芯片的激光切割方法。
技术介绍
1、随着科学技术的发展，电子产品在改善人们的日常生活的同时，也使人们对电子产品的依赖性越来越强，要求越来越高，迫切的发展需求促使电子产品更新换代周期变短。其中半导体技术是促进上述变化的主要驱动力量，是电子产品不断发展进步的核心，这也使得人们对作为电子产品“心脏”的半导体器件的性能、质量及成本提出越来越苛刻的要求。
2、划片工艺是把前工序加工的晶圆用划片机切割成单个芯片，再用分片及或手工将芯片分开，是半导体器件加工过程中关键工序之一，其加工质量的优劣，对器件性能及可靠性有决定性影响。当前圆片划片方式主要有砂轮划片、金刚刀划片和激光划片三种，在划片效率、成品率及成本方面各有优劣。
3、但在比较脆性材料如gaas、inp等半导体材料划片方面，三种划片方式均存在一定局限性。由于材料硬度高，砂轮刀具损耗快使砂轮划片成本偏高且为保证切割品质需降低划片速度使划片效率低；传统金刚刀虽然硬度高，但在划片过程中采用点接触，磨损也非常快，导致划片过程中划痕效果不一，为保证划片质量在划片过程中需要不停调整，因此划片成本高、划片效率偏低；激光划片作为一种新型的划片技术，在划片效率及质量方面比前面两种划片方式具有非常明显的优势，但是激光划片也存在对芯片造成的热损伤、以及对光敏器件光学性能影响（如降低led管芯的发光效率等）等问题。
4、因此，在比较脆性半导体材料划片方面亟需一种划片效率高、质量好、对芯片损伤小的划片方式。
1、解决的技术问题：针对上述技术问题，本专利技术提供一种砷化镓基芯片的激光切割方法，能有效解决上述划片方法划片效率低、成本高、质量难以控制等不足之处。
2、技术方案：一种砷化镓基芯片的激光切割方法，包括以下步骤：
3、s1、减薄：将砷化镓基芯片减薄至预设厚度，完成背面工艺，得到减薄后的砷化镓基芯片；
4、s2、贴膜：将步骤s1得到的减薄后的砷化镓基芯片通过uv膜固定在铁环上；
5、s3、划切：采用激光划片机沿着减薄后的砷化镓基芯片上的划片槽进行划切；
6、s4、扩膜分片：对划切后的砷化镓基芯片进行扩膜，使其分离成独立的芯片。
7、优选的，步骤s1中所述预设厚度为50-200μm。
8、优选的，步骤s3中划切的具体操作为：在设定的参数下，对准划片槽进行划切，在砷化镓基芯片内部形成裂纹。
9、进一步的，每道划片槽的划切次数为4次，划切深度逐渐减小。
10、优选的，步骤s4中扩膜的具体操作为：将铁环固定在扩膜机上，控制中间台盘逐渐升高使得uv膜均匀的扩张直至砷化镓基芯片分离成独立的芯片。
11、有益效果：1）相比于传统gaas激光切割，本专利技术无需旋涂激光保护液，划切后无残渣出现，划切后洁净度高；
12、2）相比于传统gaas激光切割，本专利技术无需后期腐蚀，芯片通过划切产生的内部裂纹以及后续扩膜的拉伸力，使芯片沿着晶向解理开来，划片槽边缘直线度极高，无崩边，无双胞；
13、3）相比于传统gaas激光切割，本专利技术所使用激光器能量极小（<0.2w），一方面减少了芯片因激光灼伤强度降低的风险，另一方面延长了激光器使用寿命；
14、4）利用膜的拉力跳过裂片工艺，直接规避了裂片裂偏的风险，同时也简化了工艺，提升了产能。
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1.一种砷化镓基芯片的激光切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓基芯片的激光切割方法，其特征在于：步骤S1中所述预设厚度为50-200μm。
3.根据权利要求1所述的一种砷化镓基芯片的激光切割方法，其特征在于，步骤S3中划切的具体操作为：在设定的参数下，对准划片槽进行划切，在砷化镓基芯片内部形成裂纹。
4.根据权利要求3所述的一种砷化镓基芯片的激光切割方法，其特征在于：每道划片槽的划切次数为4次，划切深度逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的一种砷化镓基芯片的激光切割方法，其特征在于：步骤S4中扩膜的具体操作为：将铁环固定在扩膜机上，控制中间台盘逐渐升高使得UV膜均匀的扩张直至砷化镓基芯片分离成独立的芯片。
【技术特征摘要】
1.一种砷化镓基芯片的激光切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓基芯片的激光切割方法，其特征在于：步骤s1中所述预设厚度为50-200μm。
3.根据权利要求1所述的一种砷化镓基芯片的激光切割方法，其特征在于，步骤s3中划切的具体操作为：在设定的参数下，对准划片槽进行划切，在砷化镓基芯片内...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘棋，张冰，赵晖，杨彬，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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