一种大功率射频器件偏置电路制造技术

本技术公开了一种大功率射频器件偏置电路，包括高热导率介质、隔直电容和隔直部分，所述隔直电容设于高热导率介质上，高热导率介嵌入槽中，槽设置于隔直部分，所述隔直部分设于基板上；所述隔直电容与隔直部分通过导电元件连接。本技术能有效提高隔直电容位置处的散热能力，有效避免大功率情况下出现隔直电容温度过高的现象，并能够大幅提升大功率器件电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微波功率器件领域，尤其涉及一种大功率射频器件偏置电路。

技术介绍

1、随着无线通讯技术的迅猛发展，以ge、si为代表的第一代半导体和以gaas为代表的第二代半导体都已经不能完全满足系统对功率放大器的要求。以gan为代表的第三代半导体材料具有禁带宽、电子迁移率高、电子饱和速率高、击穿电压高、热导率高、化学稳定性好和抗辐射能力强等特点。高电子迁移率晶体管(gan hemt)功率器件具有工作频率高、击穿电压高、功率密度高效率高等优点，逐渐成为目前微波功率器件和微波单片集成电路应用的理想器件。

2、大功率器件采用连续波或者宽脉宽的工作模式时，由于隔直电容具有一定的寄生效应，因此在隔直电容与传输线的接合处会产生较高的热量，而常规聚四氟乙烯等材料制作的pcb直流偏置电路的热导率普遍不高，散热能力不强，使得隔直电容位置处的温度会升高至电容的使用最高温度以上，最终导致隔直电容处的焊锡融化或电容失效，使得整个电路的可靠性降低。

技术实现思路

1、技术目的：为了解决现有技术存在的问题，本技术提供一种能有效降本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大功率射频器件偏置电路，其特征在于：包括高热导率介质(2)、隔直电容(3)和隔直部分(4)，所述隔直电容(3)设于高热导率介质(2)上，高热导率介质(2)嵌入槽(5)中，槽(5)设置于隔直部分(4)，所述隔直部分(4)设于基板上；所述隔直电容(3)与隔直部分(4)通过导电元件连接。

2.根据权利要求1所述大功率射频器件偏置电路，其特征在于，隔直电容(3)与隔直部分(4)的导电元件为金丝或金带。

3.根据权利要求1所述大功率射频器件偏置电路，其特征在于，所述高热导率介质(2)选用ALN，或AL2O3，或BeO。

4.根据权利要求1所述大功率射频器...

【技术特征摘要】

1.一种大功率射频器件偏置电路，其特征在于：包括高热导率介质(2)、隔直电容(3)和隔直部分(4)，所述隔直电容(3)设于高热导率介质(2)上，高热导率介质(2)嵌入槽(5)中，槽(5)设置于隔直部分(4)，所述隔直部分(4)设于基板上；所述隔直电容(3)与隔直部分(4)通过导电元件连接。

2.根据权利要求1所述大功率射频器件偏置电路，其特征在于，隔直电容(3)与隔直部分(4)的导电元件为金丝或金带。

【专利技术属性】
技术研发人员：顾黎明，苏鹏，杨宝金，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：新型
国别省市：