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本技术公开了一种大功率射频器件偏置电路，包括高热导率介质、隔直电容和隔直部分，所述隔直电容设于高热导率介质上，高热导率介嵌入槽中，槽设置于隔直部分，所述隔直部分设于基板上；所述隔直电容与隔直部分通过导电元件连接。本技术能有效提高隔直电容位置...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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