一种调制电流自相关温度补偿电路制造技术

技术编号:40290420 阅读:19 留言:0更新日期:2024-02-07 20:41
本技术公开了一种调制电流自相关温度补偿电路,包括温度补偿电路和调制驱动电路,温度补偿电路包括自相关电流设置模块和补偿电流产生模块;本技术采用与用户设置的基准调制电流成比例的电流作为温度补偿电流,补偿电流通过和基准调制电流的相关性能自动实现与激光器温度特性相关,能达到更好的补偿效果;温度补偿斜率由多比特控制信号设置的相关系数决定,补偿起始温度点在电路内部设置,不需要额外的片外器件,能简单有效地实现调制电流温度补偿,性价比高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种光通信集成电路,特别是一种用于激光驱动器的调制电流自相关温度补偿电路


技术介绍

1、在光纤通信系统中,激光器的阈值电流会随着温度升高而升高,发光效率随着温度升高而降低,导致激光器输出的高频光脉冲信号的功率下降,体现发射光功率和关断光功率比值的消光比降低,光眼图质量恶化,通信距离缩短。一般是对激光器的偏置电流和调制电流进行温度补偿来降低这些影响。偏置电流控制平均光功率,调制电流控制高频脉冲光功率。调制电流的温度补偿要实现当温度升高到一定值后,驱动器输出高频脉冲电流,即调制电流要随温度的升高而增加,弥补由于激光器发光效率降低带来的影响。通常,调制电流要达到这种温度补偿效果,需要通过调节片外电阻器件或者片内寄存器来设置调制电流的温度补偿起始点和温度补偿斜率,代价大,性价比低。


技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足,本技术提供一种调制电流自相关温度补偿电路。

2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:

3、一种调制电流自相关温度补偿电路,包括温度补偿电路和调制驱动电路,所述温度补偿电路包括自相关电流设置模块和补偿电流产生模块;所述自相关电流设置模块的调制电流输入端接基准调制电流 imodset,控制信号输入端接多比特控制信号bn,输出端接所述补偿电流产生模块的输入端,所述补偿电流产生模块的输出端电流与所述基准调制电流 imodset合并后作为调制电流 imodtc接所述调制驱动电路。

4、作为本技术的进一步改进,所述基准调制电流 imodset输入所述自相关电流设置模块后,输出与所述基准调制电流 imodset成比例的自相关电流 kn imodset,所述自相关电流 kn imodset输入所述补偿电流产生模块后输出温度补偿电流 itc。

5、作为本技术的更进一步改进,所述温度补偿电路包括mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4、mos管q5、mos管q6、mos管q7、mos管q8、mos管q9、mos管q10、mos管q11、mos管q12、mos管q13、电阻r1、开关s1、开关s2;所述基准调制电流 imodset从所述mos管q1的d极流入所述温度补偿电路,所述mos管q1的g极与所述mos管q2的g极连接,所述mos管q1的d极与所述mos管q1的g极连接,所述mos管q1的s极与所述mos管q2、mos管q8、mos管q9、mos管q10、mos管q11的s极连接后接地,所述mos管q1的g极与所述mos管q2的g极的接点与所述mos管q11的g极连接,所述mos管q2的d极与所述mos管q3的d极连接,所述mos管q3的s极与供电电源vdd连接,所述mos管q3的g极与所述mos管q4的g极连接,所述mos管q3的g极与所述mos管q4的g极接点与所述mos管q2的d极与所述mos管q3的d极的接点连接,所述mos管q4的g极与所述mos管q5的g极连接,所述多比特控制信号bn 控制所述开关s1和开关s2的通断,控制所述自相关电流 kn imodset输出,所述mos管q4的s极与所述供电电源vdd连接,所述mos管q4的d极连接所述开关s1后与mos管q6的s极连接,所述mos管q5的s极与所述供电电源vdd连接,所述mos管q5的d极连接所述开关s2后与mos管q7的s极连接,所述mos管q6与mos管q7的s极相连,所述mos管q6的g极作为电流 iptat的输入端,所述mos管q6的d极与所述mos管q8的d极连接,所述mos管q8的g极与d极相连,所述电阻r1的一端连接在所述mos管q6的g极,另一端接地,所述mos管q7的d极与所述mos管q9的d极连接,所述mos管q7的g极连接基准电压 vref,所述mos管q9的g极连接d极,所述mos管q10的g极与所述mos管q9的g极连接,所述mos管q12、mos管q13的s极与所述供电电源vdd连接,所述mos管q12的g极与所述mos管q13的g极连接,所述mos管q12的d极分两路,一路连接所述mos管q10的d极,一路连接所述mos管q11的d极,所述mos管q12的d极与g极连接,所述mos管q13的d极作为所述调制电流 imodtc的输出端。

6、本技术的有益效果是:本技术采用与用户设置的基准调制电流成比例的电流作为温度补偿电流,补偿电流通过和基准调制电流的相关性能自动实现与激光器温度特性相关,能达到更好的补偿效果;温度补偿斜率由多比特控制信号设置的相关系数决定,补偿起始温度点在电路内部设置,不需要额外的片外器件,能简单有效地实现调制电流温度补偿,性价比高。

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【技术保护点】

1.一种调制电流自相关温度补偿电路,包括温度补偿电路和调制驱动电路,其特征在于所述温度补偿电路包括自相关电流设置模块和补偿电流产生模块;所述自相关电流设置模块的调制电流输入端接基准调制电流Imodset,控制信号输入端接多比特控制信号bn,输出端接所述补偿电流产生模块的输入端,所述补偿电流产生模块的输出端电流与所述基准调制电流Imodset合并后作为调制电流ImodTC接所述调制驱动电路。

2.根据权利要求1所述的调制电流自相关温度补偿电路,其特征在于所述基准调制电流Imodset输入所述自相关电流设置模块后,输出与所述基准调制电流Imodset成比例的自相关电流knImodset,所述自相关电流knImodset输入所述补偿电流产生模块后输出温度补偿电流ITC。

3.根据权利要求2所述的,其特征在于所述温度补偿电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7、MOS管Q8、MOS管Q9、MOS管Q10、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、电阻R1、开关S1、开关S2;所述基准调制电流Imodset从所述MOS管Q1的D极流入所述温度补偿电路,所述MOS管Q1的G极与所述MOS管Q2的G极连接,所述MOS管Q1的D极与所述MOS管Q1的G极连接,所述MOS管Q1的S极与所述MOS管Q2、MOS管Q8、MOS管Q9、MOS管Q10、MOS管Q11的S极连接后接地,所述MOS管Q1的G极与所述MOS管Q2的G极的接点与所述MOS管Q11的G极连接,所述MOS管Q2的D极与所述MOS管Q3的D极连接,所述MOS管Q3的S极与供电电源VDD连接,所述MOS管Q3的G极与所述MOS管Q4的G极连接,所述MOS管Q3的G极与所述MOS管Q4的G极接点与所述MOS管Q2的D极与所述MOS管Q3的D极的接点连接,所述MOS管Q4的G极与所述MOS管Q5的G极连接,所述多比特控制信号bn 控制所述开关S1和开关S2的通断,控制所述自相关电流knImodset输出,所述MOS管Q4的S极与所述供电电源VDD连接,所述MOS管Q4的D极连接所述开关S1后与MOS管Q6的S极连接,所述MOS管Q5的S极与所述供电电源VDD连接,所述MOS管Q5的D极连接所述开关S2后与MOS管Q7的S极连接,所述MOS管Q6与MOS管Q7的S极相连,所述MOS管Q6的G极作为电流Iptat的输入端,所述MOS管Q6的D极与所述MOS管Q8的D极连接,所述MOS管Q8的G极与D极相连,所述电阻R1的一端连接在所述MOS管Q6的G极,另一端接地,所述MOS管Q7的D极与所述MOS管Q9的D极连接,所述MOS管Q7的G极连接基准电压Vref,所述MOS管Q9的G极连接D极,所述MOS管Q10的G极与所述MOS管Q9的G极连接,所述MOS管Q12、MOS管Q13的S极与所述供电电源VDD连接,所述MOS管Q12的G极与所述MOS管Q13的G极连接,所述MOS管Q12的D极分两路,一路连接所述MOS管Q10的D极,一路连接所述MOS管Q11的D极,所述MOS管Q12的D极与G极连接,所述MOS管Q13的D极作为所述调制电流ImodTC的输出端。

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【技术特征摘要】

1.一种调制电流自相关温度补偿电路,包括温度补偿电路和调制驱动电路,其特征在于所述温度补偿电路包括自相关电流设置模块和补偿电流产生模块;所述自相关电流设置模块的调制电流输入端接基准调制电流imodset,控制信号输入端接多比特控制信号bn,输出端接所述补偿电流产生模块的输入端,所述补偿电流产生模块的输出端电流与所述基准调制电流imodset合并后作为调制电流imodtc接所述调制驱动电路。

2.根据权利要求1所述的调制电流自相关温度补偿电路,其特征在于所述基准调制电流imodset输入所述自相关电流设置模块后,输出与所述基准调制电流imodset成比例的自相关电流knimodset,所述自相关电流knimodset输入所述补偿电流产生模块后输出温度补偿电流itc。

3.根据权利要求2所述的,其特征在于所述温度补偿电路包括mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4、mos管q5、mos管q6、mos管q7、mos管q8、mos管q9、mos管q10、mos管q11、mos管q12、mos管q13、电阻r1、开关s1、开关s2;所述基准调制电流imodset从所述mos管q1的d极流入所述温度补偿电路,所述mos管q1的g极与所述mos管q2的g极连接,所述mos管q1的d极与所述mos管q1的g极连接,所述mos管q1的s极与所述mos管q2、mos管q8、mos管q9、mos管q10、mos管q11的s极连接后接地,所述mos管q1的g极与所述mos管q2的g极的接点与所述mos管q11的g极连接,所述mos管...

【专利技术属性】
技术研发人员:王欢
申请(专利权)人:瑞韬电子科技无锡有限公司
类型:新型
国别省市:

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