【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，特别涉及一种测压装置及离子注入设备。
技术介绍
1、离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的掺杂技术，它通过离子注入设备以离子加速的方式将掺杂元素注入到半导体晶片内部，改变其导电特性并最终形成所需的器件结构。离子注入设备一般包括离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔以及高真空系统，高真空系统用于使其工艺腔中形成负压环境，工艺腔中的真空度对注入质量影响很大。
2、因此需要对工艺腔中测压，以检测其真空度，现有的测压装置一般为电容式压力计、对流真空计、热电偶气压计以及离子真空计；
3、目前常用到的高真空计为玻璃材质的离子真空计，离子真空计中的灯丝易损坏，更换频率高。其更换流程繁琐，需手动打开工艺腔，拆卸离子真空计更换，导致停机时间较长。另外，现有的离子真空计直接与工艺腔连通，更换过程中会破坏工艺腔内的真空环境，导致复机准备时间较长。
4、因此需要一种测压装置及离子注入设备，通过对测压装置结构的改进，保证在更换离子真空计时不影响工艺腔的内部真空环境，简化离子真空计的更...
【技术保护点】
1.一种测压装置，其特征在于，包括：安装件、离子真空计以及第一控制件；
2.如权利要求1所述的测压装置，其特征在于，所述测压装置还包括过滤组件，所述过滤组件设置于所述通道内用于过滤颗粒物。
3.如权利要求2所述的测压装置，其特征在于，所述过滤组件包括第一过滤件和第二过滤件；所述第二过滤件过滤的颗粒物的粒度大于所述第一过滤件过滤的颗粒物的粒度；所述第二过滤件位于所述第一过滤件靠近所述通道的所述第二端的一侧。
4.如权利要求2所述的测压装置，其特征在于，沿所述通道的走向方向，所述过滤组件位于所述离子真空计与所述第一控制件之间。
<...【技术特征摘要】
1.一种测压装置，其特征在于，包括：安装件、离子真空计以及第一控制件；
2.如权利要求1所述的测压装置，其特征在于，所述测压装置还包括过滤组件，所述过滤组件设置于所述通道内用于过滤颗粒物。
3.如权利要求2所述的测压装置，其特征在于，所述过滤组件包括第一过滤件和第二过滤件；所述第二过滤件过滤的颗粒物的粒度大于所述第一过滤件过滤的颗粒物的粒度；所述第二过滤件位于所述第一过滤件靠近所述通道的所述第二端的一侧。
4.如权利要求2所述的测压装置，其特征在于，沿所述通道的走向方向，所述过滤组件位于所述离子真空计与所述第一控制件之间。
5.如权利要求1所述的测压装置，其特征在于，所述测压装置还包括第二控制件，所述第二控制件设置于所述安装件，所述第二控制件用于控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡海鸿，付志伟，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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