【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，特别涉及一种测压装置及离子注入设备。
技术介绍
1、离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的掺杂技术，它通过离子注入设备以离子加速的方式将掺杂元素注入到半导体晶片内部，改变其导电特性并最终形成所需的器件结构。离子注入设备一般包括离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔以及高真空系统，高真空系统用于使其工艺腔中形成负压环境，工艺腔中的真空度对注入质量影响很大。
2、因此需要对工艺腔中测压，以检测其真空度，现有的测压装置一般为电容式压力计、对流真空计、热电偶气压计以及离子真空计；
3、目前常用到的高真空计为玻璃材质的离子真空计，离子真空计中的灯丝易损坏，更换频率高。其更换流程繁琐，需手动打开工艺腔，拆卸离子真空计更换，导致停机时间较长。另外，现有的离子真空计直接与工艺腔连通，更换过程中会破坏工艺腔内的真空环境，导致复机准备时间较长。
4、因此需要一种测压装置及离子注入设备，通过对测压装置结构的改进，保证在更换离子真空计时不影响工艺腔的内部真空环境，简化离子真空计的更换流程，降低停机以及复机准备时间。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种测压装置及离子注入设备，通过对测压装置的改进，以使得在更换离子真空计时不影响工艺腔的内部真空环境，简化离子真空计的更换流程，降低停机以及复机准备时间。
2、为了解决上述技术问题，本技术提供了一种测压装置，包括：安装件、离子真空计以及第一控制件；
3、
4、所述第一控制件设置于所述安装件以控制所述通道的通断。
5、可选地，所述测压装置还包括过滤组件，所述过滤组件设置于所述通道内用于过滤颗粒物。
6、可选地，所述过滤组件包括第一过滤件和第二过滤件；所述第二过滤件过滤的颗粒物的粒度大于所述第一过滤件过滤的颗粒物的粒度；所述第二过滤件位于所述第一过滤件靠近所述通道的所述第二端的一侧。
7、可选地，沿所述通道的走向方向，所述过滤组件位于所述离子真空计与所述第一控制件之间。
8、可选地，所述测压装置还包括第二控制件，所述第二控制件设置于所述安装件，所述第二控制件用于控制所述通道位于所述离子真空计与所述第一控制件之间的部分与外界的通断。
9、可选地，所述测压装置还包括泄压件，所述泄压件设置于所述安装件，所述泄压件与所述通道位于所述离子真空计与所述第一控制件之间的部分连通；
10、所述泄压件被配置为：所述第一控制件关闭所述通道，且第二控制件使所述通道与外界连通，所述通道位于所述离子真空计与所述第一控制件之间的部分超压时，所述泄压件打开泄压。
11、可选地，所述测压装置还包括压力检测件，所述压力检测件设置于所述安装件；
12、所述压力检测件用于在所述第一控制件关闭所述通道时，检测所述通道位于所述离子真空计与所述第一控制件之间部分的压力。
13、可选地，所述安装件为管道。
14、可选地，所述安装件包括顺序连接的至少两根直管，相邻的所述直管呈夹角设置。
15、本技术还提供了一种离子注入设备，包括工艺腔以及上述所述的测压装置，所述通道的第二端与所述工艺腔连通。
16、本技术中当通道被打开时，则通道与工艺腔连通，此时用于离子注入设备的正常离子注入，通道内的真空度与工艺腔的真空度相同，故通过离子真空计检测工艺腔的真空度。
17、当通道被关闭时，则离子真空计与工艺腔连通的路径中断，此时通道中位于第一控制件与离子真空计之间的部分与工艺腔隔离，当拆卸离子真空计时，通道中位于第一控制件与离子真空计之间的部分与外界连通，但不与工艺腔连通，保证在更换离子真空计时不影响工艺腔的内部真空环境，简化离子真空计的更换流程，降低停机以及复机准备时间。
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1.一种测压装置，其特征在于，包括：安装件、离子真空计以及第一控制件；
2.如权利要求1所述的测压装置，其特征在于，所述测压装置还包括过滤组件，所述过滤组件设置于所述通道内用于过滤颗粒物。
3.如权利要求2所述的测压装置，其特征在于，所述过滤组件包括第一过滤件和第二过滤件；所述第二过滤件过滤的颗粒物的粒度大于所述第一过滤件过滤的颗粒物的粒度；所述第二过滤件位于所述第一过滤件靠近所述通道的所述第二端的一侧。
4.如权利要求2所述的测压装置，其特征在于，沿所述通道的走向方向，所述过滤组件位于所述离子真空计与所述第一控制件之间。
5.如权利要求1所述的测压装置，其特征在于，所述测压装置还包括第二控制件，所述第二控制件设置于所述安装件，所述第二控制件用于控制所述通道位于所述离子真空计与所述第一控制件之间的部分与外界的通断。
6.如权利要求5所述的测压装置，其特征在于，所述测压装置还包括泄压件，所述泄压件设置于所述安装件，所述泄压件与所述通道位于所述离子真空计与所述第一控制件之间的部分连通；
7.如权利要求5所述的测压
8.如权利要求1所述的测压装置，其特征在于，所述安装件为管道。
9.如权利要求8所述的测压装置，其特征在于，所述安装件包括顺序连接的至少两根直管，相邻的所述直管呈夹角设置。
10.一种离子注入设备，其特征在于，包括工艺腔以及如权利要求1-9任意一项所述的测压装置，所述通道的第二端与所述工艺腔连通。
...【技术特征摘要】
1.一种测压装置，其特征在于，包括：安装件、离子真空计以及第一控制件；
2.如权利要求1所述的测压装置，其特征在于，所述测压装置还包括过滤组件，所述过滤组件设置于所述通道内用于过滤颗粒物。
3.如权利要求2所述的测压装置，其特征在于，所述过滤组件包括第一过滤件和第二过滤件；所述第二过滤件过滤的颗粒物的粒度大于所述第一过滤件过滤的颗粒物的粒度；所述第二过滤件位于所述第一过滤件靠近所述通道的所述第二端的一侧。
4.如权利要求2所述的测压装置，其特征在于，沿所述通道的走向方向，所述过滤组件位于所述离子真空计与所述第一控制件之间。
5.如权利要求1所述的测压装置，其特征在于，所述测压装置还包括第二控制件，所述第二控制件设置于所述安装件，所述第二控制件用于控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡海鸿，付志伟，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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