本申请公开了一种场效应管、其制备方法、功率放大器及电子电路。场效应管包括：SiC衬底、第一AlN层、第一GaN层、第一AlGaN层、第二GaN层、第二AlGaN层、源极、漏极和栅极。SiC衬底、第一AlN层、第一GaN层、第一AlGaN层、第二GaN层以及第二AlGaN层依次层叠设置，源极、漏极和栅极均设置于第二AlGaN层背离第二GaN层一侧。本申请在第一AlN层和第一AlGaN层之间插入第一GaN层，由于AlN和GaN的晶格常数差异相较于AlN和AlGaN更大，因此晶格失配引入的压应力更大，引入第一GaN层的场效应管可以更有效地补偿张应力，从而改善场效应管中外延片面临的较大翘曲度的问题。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
pct国内申请，权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文，薛晓咏，段焕涛，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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