【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，更具体地说，涉及一种硅异质结太阳电池及其制作方法。
技术介绍
1、随着经济社会的发展，大量使用常规化石能源，导致了严重的环境污染问题，发展利用清洁能源已成为人们的共识。由于太阳能取之不尽用之不竭，清洁无污染，是未来最理想最可持续的可再生能源。太阳电池直接将光能转变为电能，是太阳能利用的一种重要方式。硅异质结太阳电池是一种晶体硅和薄膜技术相结合的高效太阳电池技术，该太阳电池以晶体硅为基础，经过清洗制绒、在晶体硅正面第一受光面依次沉积本征非晶硅层和n型非晶硅层、在背面第二受光面依次沉积本征非晶硅层和p型非晶硅层、在第一受光面和第二受光面同时沉积透明导电氧化物层(transparent conductive oxide，简称tco)，最后在第一受光面和第二受光面，利用丝网印刷技术，采用热固型低温树脂浆料制备金属电极，得到硅异质结太阳电池。
2、但是，在硅异质结太阳电池中，目前金属栅线通常采用丝网印刷方式制备金属栅线电极(例如ag电极)，由于透明导电氧化物层和金属栅线电极是物理接触，透明导电氧化物层的方阻和表面状态直接影响二者界面的接触电阻。目前在高效异质结太阳电池中，正面透明导电氧化物层的材料既要保证良好的透光性能，又要有一定的电学性能，在平衡透明导电氧化物层的材料的光学和电学性能后，导致正面透明导电氧化物层的材料的整体方阻较高，从而导致透明导电氧化物层和金属栅线的接触电阻较大，从而增加太阳电池的串联电阻，降低太阳电池的转换效率。
技术实现思路
1、有鉴于
2、一种硅异质结太阳电池的制作方法，所述硅异质结太阳电池的制作方法包括：
3、制备不含有金属栅线电极的硅异质结太阳电池蓝膜片；
4、采用激光加热的方式对所述硅异质结太阳电池蓝膜片的正面和背面，分别按照预定图形进行图形化加热处理，所述预定图形基于所述金属电极的图形所确定；
5、在图形化加热处理后的图形基础上叠加制备金属栅线电极。
6、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，在制备完所述金属栅线电极之后，所述硅异质结太阳电池的制作方法还包括：
7、进行光注入处理。
8、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，所述光注入处理的过程中光注入光强为1-80个太阳光强。
9、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，所述光注入处理的过程中温度范围为50℃-300℃，处理时间为10s-120s。
10、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，所述制备不含有金属栅线电极的硅异质结太阳电池蓝膜片，包括：
11、制备不含有所述金属栅线电极的正面n侧入光结构的硅异质结太阳电池蓝膜片或正面p侧入光结构的硅异质结太阳电池蓝膜片。
12、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，所述激光加热的过程中的激光光斑大小范围为10μm-30μm。
13、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，所述激光加热的过程中的激光加热温度范围为50℃-300℃。
14、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，所述激光加热的过程中的激光波段为紫外光波段、绿光波段或红外光波段。
15、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，所述激光加热的过程中的激光频率为纳秒、飞秒或皮秒。
16、优选的，在上述硅异质结太阳电池的制作方法中，所述在图形化加热处理后的图形基础上叠加制备金属栅线电极，包括：
17、采用丝网印刷、电镀或3d打印的方式在图形化加热处理后的图形基础上叠加制备金属栅线电极。
18、本申请还提供了一种硅异质结太阳电池，所述硅异质结太阳电池基于上述任一项所述的硅异质结太阳电池的制作方法所制作。
19、相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：
20、本专利技术提供的一种硅异质结太阳电池的制作方法包括：制备不含有金属栅线电极的硅异质结太阳电池蓝膜片；采用激光加热的方式对所述硅异质结太阳电池蓝膜片的正面和背面，分别按照预定图形进行图形化加热处理，所述预定图形基于所述金属电极的图形所确定；在图形化加热处理后的图形基础上叠加制备金属栅线电极。该硅异质结太阳电池的制作方法通过采用激光加热的方式对蓝膜片正面和背面分别按照预定图形进行图形化加热，降低透明导电氧化物层加热部位的局部方阻值，同时不影响透明导电氧化物层其他区域材料的透光特性，然后在激光加热图形基础上叠加制备金属栅线电极。该制作方法可以在不影响太阳电池短路电流的情况下，降低透明导电氧化物层和金属栅线电极之间界面的接触电阻和太阳电池的串联电阻，以提升太阳电池的转换效率。
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1.一种硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述硅异质结太阳电池的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，在制备完所述金属栅线电极之后，所述硅异质结太阳电池的制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述光注入处理的过程中光注入光强为1-80个太阳光强，温度范围为50℃-300℃，处理时间为10s-120s。
4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述制备不含有金属栅线电极的硅异质结太阳电池蓝膜片，包括：
5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述激光加热的过程中的激光光斑大小范围为10μm-30μm。
6.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述激光加热的过程中的激光加热温度范围为50℃-300℃。
7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述激光加热的过程中的激光波段为紫外光波段、绿光波段或红外光波段。
8.根据
9.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述在图形化加热处理后的图形基础上叠加制备金属栅线电极，包括：
10.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，所述硅异质结太阳电池基于权利要求1-9任一项所述的硅异质结太阳电池的制作方法所制作。
...【技术特征摘要】
1.一种硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述硅异质结太阳电池的制作方法包括：
2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，在制备完所述金属栅线电极之后，所述硅异质结太阳电池的制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述光注入处理的过程中光注入光强为1-80个太阳光强，温度范围为50℃-300℃，处理时间为10s-120s。
4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述制备不含有金属栅线电极的硅异质结太阳电池蓝膜片，包括：
5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池的制作方法，其特征在于，所述激光加热的过程中的激光光斑大小范围为10μm-30μm...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝志丹，肖平，赵东明，刘正新，孟凡英，王玮，李睿，王大鹏，黄海威，李孟蕾，
申请(专利权)人：华能嘉峪关新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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