【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造，具体涉及一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置。
技术介绍
1、在半导体加工过程中，晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一，而半导体晶圆加工过程中或者晶圆保存不当会引入颗粒或者污染，导致晶圆表面清洁度下降，影响半导体器件的良品率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置，气泡随着化学清洗液和/或去离子水一起流动形成气泡悬浮液体；气泡在接触晶圆表面后破裂，产生高速的瞬间水流对晶圆清洗，以去除晶圆表面的污垢和微小颗粒；可以有效地去除晶圆表面的有机和无机污染物，并且对晶圆本身没有损伤。
2、本专利技术提供一种晶圆清洗方法，包括：
3、通过真空吸附台将待清洗的晶圆吸附固定，所述真空吸附台驱动所述晶圆自转；
4、从晶圆清洗装置中的两相流喷嘴的液体通道的末端喷出化学清洗液和/或去离子水，从所述两相流喷嘴的气体通道的末端喷出气体喷射到所述化学清洗液和/或所述去离子水的喷淋区域形成气泡，所述气泡随着所述化学清洗液和/或所述去离子水一起流动形成气泡悬浮液体；所述气泡在接触所述晶圆表面后破裂，产生高速的瞬间水流，对所述晶圆清洗。
5、进一步的，所述高速的瞬间水流的速度≥1000m/s，所述高速的瞬间水流去除所述晶圆表面的污垢和微小颗粒。
6、进一步的，所述去离子水中添加氨溶液，所述氨溶液与所述去离子水混合使用。
7、进一步的，所述去离子水中添加有机溶剂，所述有机溶
8、进一步的，所述气体的流量在0.2mpa/min-0.5mpa/min之间；所述化学清洗液和/或所述去离子水的流量在0.35l/min-0.60l/min之间。
9、进一步的，向所述化学清洗液和/或所述去离子水中加入的所述气体包括清洁干燥空气或氮气。
10、进一步的，所述晶圆清洗装置对所述晶圆的清洗方式包括单面式清洗或双面式清洗；所述晶圆的放置方式包括竖直放置或水平放置。
11、本专利技术还提供一种晶圆清洗装置，包括：
12、真空吸附台、旋转支杆、固定于所述旋转支杆上的转臂、固定于所述转臂上的两相流喷嘴，所述两相流喷嘴包括隔离的液体通道和气体通道，从所述液体通道的末端喷出化学清洗液和/或去离子水，从所述气体通道的末端喷出气体喷射到所述化学清洗液和/或所述去离子水的喷淋区域，形成气泡悬浮液体对所述晶圆进行清洗。
13、进一步的，所述晶圆清洗装置还包括液体管道，所述液体管道连通所述两相流喷嘴的液体通道，所述液体管道上设置有第一控制阀门；所述气体管道连通所述两相流喷嘴的气体通道，所述气体管道上设置有第二控制阀门。
14、进一步的，所述旋转支杆带动所述转臂和所述两相流喷嘴在所述晶圆上方、与所述晶圆平行的水平面上做往复运动。
15、与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
16、本专利技术提供一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置，晶圆清洗方法包括：通过真空吸附台将待清洗的晶圆吸附固定，真空吸附台驱动晶圆自转；从晶圆清洗装置中的两相流喷嘴的液体通道的末端喷出化学清洗液和/或去离子水，从两相流喷嘴的气体通道的末端喷出气体喷射到化学清洗液和/或去离子水的喷淋区域形成气泡，气泡随着化学清洗液和/或去离子水一起流动形成气泡悬浮液体；气泡在接触晶圆表面后破裂，产生高速的瞬间水流对晶圆清洗，以去除晶圆表面的污垢和微小颗粒；可以有效地去除晶圆表面的有机和无机污染物，并且对晶圆本身没有损伤。
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1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述高速的瞬间水流的速度≥1000m/s，所述高速的瞬间水流去除所述晶圆表面的污垢和微小颗粒。
3.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加氨溶液，所述氨溶液与所述去离子水混合使用。
4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加有机溶剂，所述有机溶剂包括异丙醇或丙酮。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述气体的流量在0.2Mpa/min-0.5Mpa/min之间；所述化学清洗液和/或所述去离子水的流量在0.35L/min-0.60L/min之间。
6.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，向所述化学清洗液和/或所述去离子水中加入的所述气体包括清洁干燥空气或氮气。
7.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆清洗装置对所述晶圆的清洗方式包括单面式清洗或双面式清洗；所述晶圆的放置方式包括竖直放置或水平放置。
8.一种晶圆清洗装置，其特征
9.如权利要求8所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括液体管道，所述液体管道连通所述两相流喷嘴的液体通道，所述液体管道上设置有第一控制阀门；所述气体管道连通所述两相流喷嘴的气体通道，所述气体管道上设置有第二控制阀门。
10.如权利要求8所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述旋转支杆带动所述转臂和所述两相流喷嘴在所述晶圆上方、与所述晶圆平行的水平面上做往复运动。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述高速的瞬间水流的速度≥1000m/s，所述高速的瞬间水流去除所述晶圆表面的污垢和微小颗粒。
3.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加氨溶液，所述氨溶液与所述去离子水混合使用。
4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述去离子水中添加有机溶剂，所述有机溶剂包括异丙醇或丙酮。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述气体的流量在0.2mpa/min-0.5mpa/min之间；所述化学清洗液和/或所述去离子水的流量在0.35l/min-0.60l/min之间。
6.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳奇，姚零一，
申请(专利权)人：浙江芯测半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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