【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
1、目前在显示面板领域，为了形成高响应速度高对比度高亮度的屏幕显示，有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)在显示领域得到了大幅的发展。但是随着可穿戴设备以及可穿戴显示领域的发展，以及目前电池领域技术未得到显著突破的背景下，人们对显示设备的功耗要求越来越高。目前用于驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的低温多晶硅技术是一种主流技术趋势，功耗较低。但是由于低温多晶硅的载流子迁移率较大，存在漏电流较高的问题。因此低温多晶氧化物技术(low temperaturepolycrystalline-si oxide，ltpo)应运而生。它结合了低温多晶硅和氧化物两者的优异点，形成了一种响应速度快，功耗更低的ltpo解决方案。
2、但在制备ltpo显示面板的过程中，由于不同膜层的采用不同的材料，导致某些膜层会出现过蚀刻现象，从而影响整个显示面板的稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种显示面板，旨在解决现有的显示面板制备过程中容易出现过蚀刻现象，影响显示面板稳定性的问题。
2、为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括：
3、衬底基板，所述衬底基板包括层叠设置的基板和金属屏蔽层；
4、薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置在所述金属屏蔽层上方，且所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区的第一薄膜晶体管，以及与所述第一薄
5、所述第二薄膜晶体管包括位于所述金属屏蔽层上方的第二有源层和第二源漏极层，所述第二源漏极层通过第二过孔与第一有源层连接，所述第二源漏极层通过第三过孔与所述第二有源层连接；
6、所述显示面板还包括设置在绑定区和所述第二薄膜晶体管之间的刻蚀阻挡层和第一深孔，所述刻蚀阻挡层位于所述金属屏蔽层上方，所述第一深孔贯穿所述薄膜晶体管层和所述刻蚀阻挡层，且所述第一深孔部分贯穿所述衬底基板，所述第一深孔内形成有金属层，所述金属层通过所述第一深孔与所述金属屏蔽层电连接。
7、在一些可能的实施例中，所述刻蚀阻挡层位于所述缓冲层上方且与所述第一有源层位于同一层中，所述刻蚀阻挡层与所述第一有源层同时制备得到。
8、在一些可能的实施例中，所述第一深孔为阶梯状结构，所述第一深孔包括第一子过孔和第二子过孔，所述第二子过孔位于所述第一子过孔下方，且所述第二子过孔的孔径小于所述第一子过孔的孔径。
9、在一些可能的实施例中，所述衬底基板还包括：
10、第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述金属屏蔽层上方且完全覆盖所述金属屏蔽层；
11、第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述第一缓冲层上方且完全覆盖所述第一缓冲层；
12、其中，所述第一子过孔在所述第一缓冲层中转变为第二子过孔，所述第一子过孔的底部位于所述第一缓冲层中，所述第二子过孔的顶部位于所述第一缓冲层中且与所述第一子过孔的底部直接接触。
13、在一些可能的实施例中，所述显示面板还包括位于所述绑定区的第二深孔，所述第二深孔为阶梯状结构，所述第二深孔包括第三子过孔和第四子过孔，所述第四子过孔位于所述第三子过孔下方，且所述第四子过孔的孔径小于所述第三子过孔的孔径；
14、其中，所述第三子过孔在所述第一缓冲层中转变为第四子过孔，所述第三子过孔的底部位于所述第一缓冲层中，所述第四子过孔的顶部位于所述第一缓冲层中且与所述第三子过孔的底部直接接触。
15、在一些可能的实施例中，所述第一子过孔的底部与所述刻蚀阻挡层靠近基板的一侧之间的距离，小于第三子过孔的底部与所述刻蚀阻挡层靠近基板的一侧之间的距离。
16、在一些可能的实施例中，所述第一深孔的底部位于所述金属屏蔽层中，所述第二深孔的底部位于所述基板中。
17、第二方面，本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
18、提供衬底基板，所述衬底基板包括层叠设置的基板和金属屏蔽层；
19、在所述衬底基板上方制备独立的第一有源层和刻蚀阻挡层，所述第一有源层和所述刻蚀阻挡层位于同一层中；
20、在所述第一有源层和所述刻蚀阻挡层上方依次制备第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层、第三栅极层、第一层间介质层、第二有源层、第三绝缘层、第四栅极层和第二层间介质层；
21、进行第一步蚀刻操作，得到与所述第一有源层接触的第一过孔和第二过孔，与第二有源层接触的第三过孔、贯穿所述刻蚀阻挡层的第一子过孔和位于绑定区的第三子过孔；
22、对所述第一子过孔和所述第三子过孔进行二次蚀刻，得到第一深孔和第二深孔，第一深孔的底部位于所述金属屏蔽层中，所述第二深孔的底部位于所述基板中。
23、在一些可能的实施例中，所述方法还包括：
24、在所述第一过孔、第二过孔、第三过孔、第一深孔内填充金属材料，得到第一源漏极层、第二源漏极层和金属层；
25、在所述第一源漏极层、第二源漏极层和金属层上方制备第一平台化层，所述第一平坦化层的材料填充在所述第二深孔内部及上方。
26、有益效果：本申请提供一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括位于显示区且电连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，以及位于绑定区的刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层与第一薄膜晶体管中的第一有源层位于同一层中；显示面板还包括设置在绑定区和第二薄膜晶体管之间的刻蚀阻挡层和第一深孔，金属层填充在第一深孔内部并与金属屏蔽层连接。由于相同蚀刻条件下，蚀刻阻挡层的效率小于原本的无机层的蚀刻效率，从而降低垂直方向上的蚀刻深度，避免与金属屏蔽层连接的第一深孔出现过蚀刻较大的情况。
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1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和绑定区，所述显示面板还包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层位于所述缓冲层上方且与所述第一有源层位于同一层中，所述刻蚀阻挡层与所述第一有源层同时制备得到。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一深孔为阶梯状结构，所述第一深孔包括第一子过孔和第二子过孔，所述第二子过孔位于所述第一子过孔下方，且所述第二子过孔的孔径小于所述第一子过孔的孔径。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板还包括：
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述绑定区的第二深孔，所述第二深孔为阶梯状结构，所述第二深孔包括第三子过孔和第四子过孔，所述第四子过孔位于所述第三子过孔下方，且所述第四子过孔的孔径小于所述第三子过孔的孔径；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一子过孔的底部与所述刻蚀阻挡层靠近基板的一侧之间的距离，小于第三子过孔的底部与所述刻蚀阻挡层靠近基板的一侧之间的距离。
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