System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种电子设备制造技术_技高网

一种电子设备制造技术

技术编号:40276018 阅读:12 留言:0更新日期:2024-02-02 23:03
本申请实施例提供了一种电子设备,包括一种天线,该天线利用金属边框作为辐射体,在小净空的环境下实现圆极化。该天线利用电子设备的导电边框的部分作为辐射体,该部分边框呈弯折状。天线可以由极化正交的两种模式分别产生第一谐振和第二谐振,且第一谐振的频率和第二谐振的频率的比值大于1且小于或等于1.5。天线在第一谐振和第二谐振之间的第一频段可以具有良好的圆极化特性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及无线通信领域,尤其涉及一种电子设备


技术介绍

1、在卫星导航或通信系统中,相比于线极化天线,圆极化天线具有一些独特的优势,例如,由于线极化波经过电离层时会发生极化旋转现象(polarization rotation)(一般称作“法拉第旋转(faraday rotation)”),而圆极化波由于具有旋转对称性可以抵抗法拉第旋转,因此在卫星导航或通信上一般均采用圆极化天线作为发射或接收天线。同时,在卫星导航或通信系统中,如果采用传统的线极化天线接收卫星发过来的圆极化波,由于极化失配会损失一半能量。

2、然而,考虑工业设计(industrial design,id)以及电子设备整体的结构等因素,目前现有的终端电子设备设计天线均采用线极化天线,并未对天线的圆极化特性进行研究。因此,设计圆极化天线对于在终端电子设备中实现卫星通信或导航等功能具有重大的意义。


技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种电子设备,包括一种天线,该天线利用金属边框作为辐射体,在小净空的环境下实现圆极化。

2、第一方面,提供了一种电子设备,包括:导电边框,所述边框上具有第一位置和第二位置,所述第一位置和所述第二位置之间的边框为第一边框,所述第一边框呈弯折状;天线,包括所述第一边框,所述天线用于产生第一谐振和第二谐振;其中,所述第一谐振的频率和所述第二谐振的频率的比值大于1且小于或等于1.5;所述天线的工作频段包括第一频段,所述第一频段的频率介于所述第一谐振的频率和所述第二谐振的频率之间。

3、根据本申请实施例的技术方案,可以由极化正交的第一模式和第二模式(二分之一波长模式和一倍波长模式,或,一倍波长模式和在二分之三波长模式)分别产生第二谐振和第一谐振。通过调整第一谐振和第二谐振之间间隔的频率,可以使天线在频率介于第一谐振的频率和第二谐振的频率之间的第一频段同时具有第一模式和第二模式。在第一频段,第一模式和第二模式正交,且由于第一边框呈弯折状,电流零点所在的区域的电流分量并不为零,第一模式和第二模式在该频段产生的辐射的幅度(增益)大致相同。天线可以利用极化正交的第一模式和第二模式实现圆极化。

4、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述天线在所述第一频段的圆极化轴比小于或等于10db。

5、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第一谐振的极化方式和所述第二谐振的极化方式正交。

6、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,在所述第一频段,所述天线产生的第一增益与所述天线产生的第二增益之差小于10db,所述第一增益为所述天线产生的方向图在第一极化方向上的增益,所述第二增益为所述天线产生的方向图在第二极化方向上的增益,所述第一极化方向和所述第二极化方向正交。

7、根据本申请实施例的技术方案,天线产生的第一增益与天线产生的第二增益之差小于10db,以使天线具有良好的圆极化特性。

8、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,在所述第一频段,所述天线产生的第一相位与所述天线产生的第二相位之差大于25°且小于155°,所述第一相位为所述天线在第一极化方向上的相位,所述第二相位为所述天线在第二极化方向上的相位,所述第一极化方向和所述第二极化方向正交。

9、根据本申请实施例的技术方案,天线产生的第一相位与天线产生的第二相位之差大于25°且小于155°(90°±65°),以使天线具有良好的圆极化特性。

10、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第一谐振的频率和所述第二谐振的频率的比值大于或等于1.2且小于或等于1.35。

11、根据本申请实施例的技术方案,第一谐振的频率和第二谐振的频率的比值大于或等于1.2且小于或等于1.35,以使天线具有更好的圆极化特性。

12、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第一边框由弯折区域划分为第一部分和第二部分,所述第一部分沿第一方向延伸,所述第二部分沿第二方向延伸;所述第一部分的长度与所述第二部分的长度的比值大于或等于0.2且小于或等于5。

13、根据本申请实施例的技术方案,第一边框可以包括多个弯折区域,例如,第一边框可以呈折线状,或任意不规则形状,本申请对此并不做限制。第一部分的长度与第二部分的长度的比值大于或等于0.2且小于或等于5可以理解为第一边框任意一个弯折区域两侧的部分的长度之间的比值大于或等于0.2且小于或等于5。

14、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第一边框的第一端和第二端为开放端。

15、根据本申请实施例的技术方案,所述天线可以为线天线。

16、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述天线还包括电子元件;所述第一边框包括缝隙,所述电子元件电连接于所述缝隙两侧的边框之间。

17、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述天线还包括地板;地板,所述第一边框在所述第一位置和所述第二位置处通过所述地板接地。

18、根据本申请实施例的技术方案,所述天线可以为槽天线。

19、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述天线还包括电子元件;所述第一边框包括连接位置,所述电子元件电连接于所述连接位置和所述地板之间。

20、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述电子元件的等效电容值小于或等于10pf,或,所述电子元件的等效电感值小于或等于10nh。

21、根据本申请实施例的技术方案,电子元件与第一谐振的频率和第二谐振的频率的比值有关。在一个实施例中,电子元件可以用于调整第一谐振的频率和第二谐振的频率的比值大于1且小于或等于1.5,例如,调整第一谐振的频率和第二谐振的频率之间的频率差值。

22、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述连接位置或所述缝隙与所述第一边框的中心之间的距离小于或等于第一波长的十分之三,所述第一波长为所述第二谐振对应的波长。

23、根据本申请实施例的技术方案,第一模式为二分之三波长模式,第二模式为一倍波长模式时,连接位置或缝隙与第一边框的中心之间的距离小于或等于第一波长的十分之三。

24、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述连接位置或所述缝隙与所述第一边框的中心之间的距离小于或等于第一波长的六分之一,所述第一波长为所述第二谐振对应的波长。

25、根据本申请实施例的技术方案,第一模式为一倍波长模式,第二模式为二分之一波长模式时,连接位置或缝隙与第一边框的中心之间的距离小于或等于第一波长的六分之一。

26、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述天线还包括馈电单元;所述第一边框包括馈电点,所述馈电点设置于所述第一边框的中点和所述第一位置之间,所述馈电单元与第一边框在馈点处耦合连接。

27、结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述馈电点与所述第一边框的第一端之间的距离小于或等于第一波长的五分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述天线在所述第一频段的圆极化轴比小于或等于10dB。

3.根据权利要求1或2所述的电子设备,其特征在于,所述第一谐振的极化方式和所述第二谐振的极化方式正交。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,其特征在于,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备,其特征在于,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第一谐振的频率和所述第二谐振的频率的比值大于或等于1.2且小于或等于1.35。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子设备,其特征在于,

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的电子设备,其特征在于,

10.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备,其特征在于,

11.根据权利要求10所述的电子设备,其特征在于,

12.根据权利要求9或11所述的电子设备,其特征在于,

13.根据权利要求9或11所述的电子设备,其特征在于,所述连接位置或所述缝隙与所述第一边框的中心之间的距离小于或等于第一波长的十分之三,所述第一波长为所述第二谐振对应的波长。

14.根据权利要求9或11所述的电子设备,其特征在于,所述连接位置或所述缝隙与所述第一边框的中心之间的距离小于或等于第一波长的六分之一,所述第一波长为所述第二谐振对应的波长。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的电子设备,其特征在于,

16.根据权利要求15所述的电子设备,其特征在于,所述馈电点与所述第一边框的第一端之间的距离小于或等于第一波长的五分之一,所述第一波长为所述第二谐振对应的波长。

17.根据权利要求16所述的电子设备,其特征在于,所述馈电点与所述第一边框的第一端之间的距离小于或等于第一波长的六分之一,所述第一波长为所述第二谐振对应的波长。

18.一种保护壳,其特征在于,用于容纳电子设备,所述保护壳包括:

19.根据权利要求18所述的保护壳,其特征在于,所述天线在所述第一频段的圆极化轴比小于或等于10dB。

20.根据权利要求18或19所述的保护壳,其特征在于,所述第一谐振的极化方式和所述第二谐振的极化方式正交。

21.根据权利要求18至20中任一项所述的保护壳,其特征在于,

22.根据权利要求18至21中任一项所述的保护壳,其特征在于,

23.根据权利要求18至22中任一项所述的保护壳,其特征在于,所述第一谐振的频率和所述第二谐振的频率的比值大于或等于1.2且小于或等于1.35。

24.根据权利要求18至23中任一项所述的保护壳,其特征在于,所述电子元件的等效电感值小于或等于10nH。

...

【技术特征摘要】

1.一种电子设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述天线在所述第一频段的圆极化轴比小于或等于10db。

3.根据权利要求1或2所述的电子设备,其特征在于,所述第一谐振的极化方式和所述第二谐振的极化方式正交。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,其特征在于,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备,其特征在于,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第一谐振的频率和所述第二谐振的频率的比值大于或等于1.2且小于或等于1.35。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子设备,其特征在于,

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的电子设备,其特征在于,

10.根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备,其特征在于,

11.根据权利要求10所述的电子设备,其特征在于,

12.根据权利要求9或11所述的电子设备,其特征在于,

13.根据权利要求9或11所述的电子设备,其特征在于,所述连接位置或所述缝隙与所述第一边框的中心之间的距离小于或等于第一波长的十分之三,所述第一波长为所述第二谐振对应的波长。

14.根据权利要求9或11所述的电子设备,其特征在于,所述连接位置或所述缝隙与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙利滨王汉阳
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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