【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及低噪声放大器，特别涉及一种用于低噪声放大器的偏置电路以及射频低噪声放大器。
技术介绍
1、射频低噪声放大器(lna，low noise amplifier)的主要作用是放大天线从空中接收到的微弱信号，以最低噪声干扰的条件下对所接收的射频信号放大后输出给后级或系统收发芯片，以解调出系统所需的信息数据。因此，其噪音系数与射频散射参数是低噪放大器在系统中表现的两个重要决定因素。低噪放芯片在高低温环境下电路中的电流受器件物理因素影响相对与常温值会有所偏移，从而影响低噪放的噪音系数与射频散射参数，甚至导致元器件过流、过压击穿和产品的彻底损坏，因此保证高低温环境中电流的稳定对于射频低噪放来说至关重要。
2、随着当今通讯业对射频低噪放集成度的提高，对其工作频率、作用距离、覆盖范围和辐射功率的要求也越趋增高，射频低噪放集成电路所使用的器件和工艺本身在高集成度和高频率下，对产品的噪音系数与散射参数特性的要求不仅在常温下越来越高，在高低温环境下的性能与可靠性要求也更加严格要求，导致传统的低噪放设计无法满足现有的苛刻需求。为了解决这个问题，需要提供在高低温环境下性能更好、可靠性更佳的射频低噪音放大器的产品，保障系统在高低温环境中的射频接收性能与质量。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中低噪放芯片在高低温环境下电路中的电流受器件物理因素影响相对与常温值会有所偏移，从而造成影响低噪放的噪音系数与射频散射参数的缺陷，提供一种用于低噪声放大器的偏置电路以及
2、本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
3、本专利技术提供一种用于低噪声放大器的偏置电路，所述偏置电路包括偏置电路控制模块和偏置电流提供模块；所述偏置电流提供模块通过所述偏置电路控制模块连接电源；
4、所述偏置电路控制模块连接所述低噪声放大器的共栅电路，所述偏置电路控制模块用于控制所述偏置电路的打开或关闭，并当所述偏置电路关闭时抑制所述共栅电路的电压泄露和/或电流泄露；
5、所述偏置电流提供模块连接所述低噪声放大器的共源电路，所述偏置电流提供模块用于响应于所述低噪声放大器的电流偏移提供电流偏置以稳定所述低噪声放大器的电流。
6、较佳地，所述偏置电流提供模块通过形成电流镜以根据参考电流和所述电流偏移向所述共源电路提供电流偏置。
7、较佳地，所述偏置电流提供模块包括第一场效应晶体管；所述第一场效应晶体管通过所述偏置电路控制模块连接电源；
8、所述第一场效应晶体管并联到所述共源电路的栅极。
9、较佳地，所述偏置电路控制模块包括开关单元和泄露抑制单元；所述开关单元的一端连接电源，所述开关单元的另一端连接所述泄露抑制单元的一端和所述偏置电流提供模块；所述泄露抑制单元的另一端连接所述共栅电路的控制端；
10、所述开关单元用于控制所述偏置电路的打开或关闭；
11、所述泄露抑制单元用于当所述偏置电路关闭时通过拉低所述共栅电路的控制端的电压以抑制所述共栅电路的电压泄露和/或电流泄露。
12、较佳地，所述泄露抑制单元包括第二场效应晶体管，所述开关单元包括第三场效应晶体管；
13、所述第三场效应晶体管的漏极连接电源，栅极连接所述偏置电路所需的控制电压，源极分别与所述共源电路的栅极和所述第二场效应晶体管的漏极连接；
14、所述第二场效应晶体管的栅极通过第一电阻接地并通过第二电阻连接所述控制电压，所述第二场效应晶体管的源极接地，所述第二场效应晶体管的漏极还连接所述共栅电路的栅极。
15、较佳地，所述偏置电路还包括第一稳压模块，所述第一稳压模块并联到所述共源电路；
16、所述第一稳压模块用于提供稳定电压参考以稳定所述共源电路的电压；和/或，
17、所述偏置电路还包括第二稳压模块，所述第二稳压模块并联到所述共栅电路；
18、所述第二稳压模块用于提供稳定电压参考以稳定所述共栅电路的电压。
19、较佳地，所述第一稳压模块包括第一稳压器件组；所述第一稳压器件彼此串联后并联到所述共源电路的栅极；和/或，
20、所述第二稳压模块包括第二稳压器件组；所述第二稳压器件彼此串联后并联到所述共栅电路的栅极。
21、较佳地，所述偏置电路还包括第一去耦合模块，所述第一去耦合模块并联到所述共源电路；
22、所述第一去耦合模块用于对所述偏置电路与所述共源电路进行射频去耦合以提高所述共源电路的稳定性；和/或，
23、所述偏置电路还包括第二去耦合模块，所述第二去耦合模块并联到所述共栅电路；
24、所述第二去耦合模块用于对所述偏置电路与所述共栅电路进行射频去耦合以提高所述共栅电路的稳定性。
25、较佳地，所述第一去耦合模块包括至少一个第一电容，所述第一电容的一端连接所述共源电路的栅极，另一端接地；和/或，
26、所述第二去耦合模块包括至少一个第二电容，所述第二电容的一端连接所述共栅电路的栅极，另一端接地。
27、本专利技术还提供一种射频低噪声放大器，所述射频低噪声放大器包括如上所述的用于低噪声放大器的偏置电路。
28、本专利技术的积极进步效果在于：
29、本专利技术提供的用于低噪声放大器的偏置电路，通过偏置电流提供模块在lna处于高低温环境下共源电路出现电流偏移时提供电流偏置以稳定低噪声放大器的电流，并通过偏置电路控制模块在偏置电路关闭时抑制共栅电路的电压泄露和/或电流泄露，实现了在高低温环境下稳定lna工作电流的目标，保障了lna产品在高低温下的性能与质量。
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1.一种用于低噪声放大器的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括偏置电路控制模块和偏置电流提供模块；所述偏置电流提供模块通过所述偏置电路控制模块连接电源；
2.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电流提供模块通过形成电流镜以根据参考电流和所述电流偏移向所述共源电路提供电流偏置。
3.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电流提供模块包括第一场效应晶体管；所述第一场效应晶体管通过所述偏置电路控制模块连接电源；
4.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路控制模块包括开关单元和泄露抑制单元；所述开关单元的一端连接电源，所述开关单元的另一端连接所述泄露抑制单元的一端和所述偏置电流提供模块；所述泄露抑制单元的另一端连接所述共栅电路的控制端；
5.如权利要求4所述的偏置电路，其特征在于，所述泄露抑制单元包括第二场效应晶体管，所述开关单元包括第三场效应晶体管；
6.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路还包括第一稳压模块，所述第一稳压模块并联到所述共源电路；
7.如权利要求
8.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路还包括第一去耦合模块，所述第一去耦合模块并联到所述共源电路；
9.如权利要求8所述的偏置电路，其特征在于，所述第一去耦合模块包括至少一个第一电容，所述第一电容的一端连接所述共源电路的栅极，另一端接地；和/或，
10.一种射频低噪声放大器，其特征在于，所述射频低噪声放大器包括如权利要求1-9任一项所述的用于低噪声放大器的偏置电路。
...【技术特征摘要】
1.一种用于低噪声放大器的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括偏置电路控制模块和偏置电流提供模块；所述偏置电流提供模块通过所述偏置电路控制模块连接电源；
2.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电流提供模块通过形成电流镜以根据参考电流和所述电流偏移向所述共源电路提供电流偏置。
3.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电流提供模块包括第一场效应晶体管；所述第一场效应晶体管通过所述偏置电路控制模块连接电源；
4.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置电路控制模块包括开关单元和泄露抑制单元；所述开关单元的一端连接电源，所述开关单元的另一端连接所述泄露抑制单元的一端和所述偏置电流提供模块；所述泄露抑制单元的另一端连接所述共栅电路的控制端；
5.如权利要求4所述的偏置电路，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁瑜，丁苗富，
申请(专利权)人：上海麓慧科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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