System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种带有接收旁路模式的WIFI射频前端收发开关电路制造技术_技高网

一种带有接收旁路模式的WIFI射频前端收发开关电路制造技术

技术编号:40225013 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-02 22:29
本发明专利技术公开了一种带有接收旁路模式的WIFI射频前端收发开关电路,本方案通过在WIFI射频前端模块芯片中的ANT端口使用一个单刀三掷SP3T开关,如SW1、SW2、SW3,来实现对TX、LNA、Bypass模式之间的隔离,使得它们之间不相互影响。本发明专利技术提供的新型电路结构,能够在解决旁路信号传输质量与电路性能的同时,进一步减小LNA模式下的噪声系数,增加各个模式间大信号工作时的隔离度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及fem(射频前端模块)的射频收发电路,尤其涉及其相关的开关电路技术。


技术介绍

1、射频前端模块芯片(fem)是现代wifi等数字通讯系统的重要器件之一,它的主要作用是对天线与收发机(tranceiver)之间的信号的接收与发射的控制以及对信号的增强或改善,以达到更远的传输距离或最佳的数据传输效果。fem对wifi信号的发射与接收控制主要由fem的射频开关实现。并且,由于成本、性能等因素,通常在同一颗开关芯片/工艺上也同时实现低噪声放大器(低噪放,英文:lna),和接收旁路功能。

2、随着当今wifi通讯对速率、传输距离、带宽等要求的提高,系统对wifi fem的各功能指标要求也更高,传统的fem开关、lna、接收旁路芯片的结构与电路已经无法满足更高带宽、更低噪音系数、更高增益、更高线性度等的系统要求。

3、参见图1,其所示为现有wifi射频前端模块芯片适配的低噪声放大器的电路结构示意图。如图所示,现有低噪声放大器电路中,wifi高频信号通过ant端口的一个单刀双掷(spdt)开关分为tx和rx两路,其中rx的一路再分为lna(由m1与m2主动器件等形成的低噪放)和旁路。

4、在开关sw1、sw3断开,sw2、sw4、sw5闭合时,wifi高频信号由开关sw2耦合到隔直电容c1后耦合到lna输入匹配电路l1和c2,进入金属氧化物半导体场效应晶体管m1的g极(栅极),经过m1和m2组成的lna cascode放大器放大后,通过c3、sw4与c4输出。

5、在开关sw2、sw3闭合,开关sw1、sw4、sw5断开时,wifi旁路模式的高频信号从ant输入通过sw2耦合在隔直电容c1后,经过sw3与c4耦合到输出。

6、由于以上两种模式(lna与旁路模式)的信号在节点n处共享,在旁路模式下的一部分信号泄漏到sw5、m1与m2组成的lna cascode放大器,从而影响旁路信号的传输质量与整个电路的性能。


技术实现思路

1、针对现有wifi射频前端模块芯片中适配的低噪声放大器在信号传输质量方面所存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种带有接收旁路模式的wifi射频前端收发开关电路,用于解决旁路信号传输质量与电路性能的同时,进一步减小lna模式下的噪声系数,增加各个模式间大信号工作时的隔离度。

2、为了达到上述目的,本专利技术提供的带有接收旁路模式的wifi射频前端收发开关电路,包括单刀三掷开关、输入匹配电路、cascode lna放大器、第一电容(c1)、第七开关(sw7)、第五电容(c5)与第六电容(c6);

3、所述单刀三掷开关通过第一电容(c1)连接至wifi射频前端模块芯片中的ant端口,所述单刀三掷开关的第一组开关(sw1)连接至wifi射频前端模块芯片中的tx端口;所述单刀三掷开关的第二组开关(sw2)通过输入匹配电路连接至cascode lna放大器;所述单刀三掷开关的第三组开关(sw3)连接至第六电容(c6)的一端;所述cascode lna放大器通过第五电容(c5)与第七开关(sw7)至第六电容(c6)的一端;所述第六电容(c6)的另一端作为信号输出端。

4、在本专利技术的一些实施方式中,所述cascode lna放大器由第一金属氧化物半导体场效应晶体管(m1)与第二金属氧化物半导体场效应晶体管(m2)组合而成。

5、在本专利技术的一些实施方式中,所述单刀三掷开关为非对称控制电压结构。

6、在本专利技术的一些实施方式中,所述单刀三掷开关为对称控制电压结构。

7、在本专利技术的一些实施方式中,所述单刀三掷开关中至少一个开关支路为不带并联到地arm结构。

8、本专利技术提供的新型电路结构,能够在解决旁路信号传输质量与电路性能的同时,进一步减小lna模式下的噪声系数,增加各个模式间大信号工作时的隔离度。

9、本专利技术提供的新型电路结构,可以减小电路在芯片面积,减低芯片的成本。

10、本专利技术提供的新型电路结构在实际应用时,适用于现代wifi通讯系统的更高带宽、速率等的需求问题。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.带有接收旁路模式的WIFI射频前端收发开关电路,其特征在于,包括单刀三掷开关、输入匹配电路、Cascode LNA放大器、第一电容(C1)、第七开关(SW7)、第五电容(C5)与第六电容(C6);

2.根据权利要求1所述的带有接收旁路模式的WIFI射频前端收发开关电路,其特征在于,所述Cascode LNA放大器由第一金属氧化物半导体场效应晶体管(M1)与第二金属氧化物半导体场效应晶体管(M2)组合而成。

3.根据权利要求1所述的带有接收旁路模式的WIFI射频前端收发开关电路,其特征在于,所述单刀三掷开关为非对称控制电压结构。

4.根据权利要求1所述的带有接收旁路模式的WIFI射频前端收发开关电路,其特征在于,所述单刀三掷开关为对称控制电压结构。

5.根据权利要求1所述的带有接收旁路模式的WIFI射频前端收发开关电路,其特征在于,所述单刀三掷开关中至少一个开关支路为不带并联到地ARM结构。

【技术特征摘要】

1.带有接收旁路模式的wifi射频前端收发开关电路,其特征在于,包括单刀三掷开关、输入匹配电路、cascode lna放大器、第一电容(c1)、第七开关(sw7)、第五电容(c5)与第六电容(c6);

2.根据权利要求1所述的带有接收旁路模式的wifi射频前端收发开关电路,其特征在于,所述cascode lna放大器由第一金属氧化物半导体场效应晶体管(m1)与第二金属氧化物半导体场效应晶体管(m2)组合而成。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁瑜丁苗富
申请(专利权)人:上海麓慧科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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