【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、随着半导体装置变得更加高度集成，各个电路图案正在变得更小以在同一区域中实现更多的半导体器件。也就是说，半导体装置的组件的设计规则是减小尺寸。随着dram装置变得更加高度集成，电容器的尺寸变得更小。为了使电容器具有预定的电容，需要具有高长宽比的下电极。为了防止下电极在工艺期间塌陷，需要支持下电极的支撑图案。
技术实现思路
1、本公开提供了一种能够防止或阻碍下电极之间的接触的半导体装置。
2、本公开不限于上述目的。未提及的根据本公开的其他目的和优点可以基于以下描述来理解，并且可以基于根据本公开的实施例来更清楚地被理解。此外，将容易理解的是，根据本公开的目的和优点可以使用权利要求中所示的方法及它们的组合来实现。
3、根据本专利技术的示例实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；多个下电极，位于基底上并且以蜂窝结构布置；以及支撑件，将多个下电极彼此连接，其中，支撑件具有限定在其中的多个支撑件孔，其中，所述多个支撑件孔中的每个暴露所述多个下电极中的每个的至少一部分，其中，支撑件包括多个第一延伸部和多个第二延伸部，所述多个第一延伸部在第一方向上延伸，并且所述多个第一延伸部与第一方向垂直的第二方向上布置，所述多个第二延伸部在第二方向上延伸以便与所述多个第一延伸部交叉，并且所述多个第二延伸部在第一方向上布置，其中，所述多个第一延伸部中的每个具有在第二方向上彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，其中，所述多个第二延伸部中的每个具
4、根据本专利技术的另一示例实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；多个下电极，位于基底上并且以蜂窝结构布置；以及支撑件，将所述多个下电极彼此连接，其中，支撑件具有限定在其中的多个支撑件孔，其中，所述多个支撑件孔中的每个暴露所述多个下电极中的至少一个的至少一部分，其中，支撑件包括多个第一延伸部和多个第二延伸部，所述多个第一延伸部在第一方向上延伸，并且所述多个第一延伸部与第一方向垂直的第二方向上布置，所述多个第二延伸部在第二方向上延伸以便与所述多个第一延伸部交叉，其中，所述多个第二延伸部在第一方向上布置，其中，所述多个支撑件孔包括第一支撑件孔，其中，所述多个第一延伸部包括限定第一支撑件孔的第一子延伸部和第二子延伸部，其中，所述多个第二延伸部包括限定第一支撑件孔的第三子延伸部和第四子延伸部，其中，第一子延伸部至第四子延伸部中的至少一个具有朝向第一支撑件孔的凸起部。
5、根据本专利技术的另一示例实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；多个下电极，位于基底上并且以蜂窝结构布置；以及支撑件，将所述多个下电极彼此连接，其中，支撑件具有限定在其中的多个支撑件孔，其中，所述多个支撑件孔中的每个暴露所述多个下电极中的每个的至少一部分，其中，支撑件包括多个第一延伸部和多个第二延伸部，所述多个第一延伸部在第一方向上延伸，并且所述多个第一延伸部在与第一方向垂直的第二方向上布置，所述多个第二延伸部在第二方向上延伸以便与所述多个第一延伸部交叉，其中，所述多个第二延伸部在第一方向上布置，其中，所述多个下电极包括以四边形方式布置的第一下电极至第四下电极，其中，所述多个支撑件孔中的第一支撑件孔暴露第一下电极至第四下电极中的每个的至少一部分，其中，第一下电极和第二下电极在第三方向上彼此相邻，第三方向在第一方向与第二方向之间，其中，第三下电极和第四下电极在第一方向上分别与第一下电极和第二下电极相邻。
6、本公开的其他细节包括在以下具体实施方式和附图中。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括以四边形方式布置的第一下电极至第四下电极，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括以四边形方式布置的第一下电极至第四下电极，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个下电极中的每个包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第二膜的材料与第一膜的材料不同。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一膜的顶面的竖直水平高于第二膜的顶面的竖直水平。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一膜的顶面与第二膜的顶面共面。
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二膜包括：
9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括在第一支撑件孔的中心周围彼此相邻的第一下电极至第四下电极，
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括在第一支撑件孔的中心
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括在第一支撑件孔的中心周围彼此相邻的第一下电极至第四下电极，
13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，限定第一支撑件孔的支撑件的第一子延伸部、第二子延伸部、第三子延伸部和第四子延伸部的侧壁中的每个是平坦的。
14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个下电极中的每个包括包含不同材料的第一膜和第二膜。
15.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括在第一支撑件孔的中心周围彼此相邻的第一下电极至第四下电极，并且
16.一种半导体装置，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，限定所述多个支撑件孔的支撑件的侧壁中的每个具有波浪形状。
18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，限定所述多个支撑件孔的支撑件的侧壁中的每个是平坦的。
19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述多个下电极中的每个包括：
20.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括以四边形方式布置的第一下电极至第四下电极，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括以四边形方式布置的第一下电极至第四下电极，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个下电极中的每个包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第二膜的材料与第一膜的材料不同。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一膜的顶面的竖直水平高于第二膜的顶面的竖直水平。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一膜的顶面与第二膜的顶面共面。
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二膜包括：
9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括在第一支撑件孔的中心周围彼此相邻的第一下电极至第四下电极，
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个下电极包括在第一支撑件孔的中心周围彼...
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